不同稀土元素掺杂钛酸钡能带结构与态密度的计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了几种不同稀土元素La、Sm、Gd、Dy、Ho、Yb、Lu对BaTiO 3掺杂前后的能带结构和态密度,并且进行了分析。计算结果表明：与未进行掺杂的BaTiO 3结构相比,La、Sm、Gd、Dy、Ho、Lu六种掺杂体系费米能级穿过导带区,体系均呈现一定的导电性,而Yb的掺杂体系没有表现出明显的金属性。     

La位Dy3+的替代对(La1-x Dyx)0.67 Ca0.33 MnO3传输性质的影响

在La0.67Ca0.33MnO3中用Dy对La进行了部分替代,随替代量增加,材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降,峰值电阻率单调增加,磁电阻比急剧增大。这些变化可以用稀土离子平均直径的减小和自旋团簇模型来解释。Dy掺杂引起的磁结构变化将导致CMR效应。     

稀土元素掺杂对Ba_(0.68)Sr_(0.32)TiO_3陶瓷结构与性能的影响

研究了La2O3和Dy2O3掺杂对Ba0.68Sr0.32 TiO3陶瓷结构与性能的影响,考察了该系统介电温度特性和绝缘电阻率,观察了样品的显微结构,讨论了La2O3和Dy2O3掺杂改变Ba0.68Sr0.32TiO3陶瓷介电温度特性作用.结果表明:La2O3掺杂比Dy2O3掺杂在改变Ba0.68Sr0.32 TiO3陶瓷介电温谱特性曲线上具有更为显著的展峰作用;随着La2O3和Dy2O3掺杂量的增加,样品的绝缘电阻率呈现先减小后增大的趋势.     

Yb掺杂BiPO4光催化剂降解亚甲基蓝的研究

采用水热合成法制备Yb掺杂BiPO_4光催化剂,利用粉末X射线衍射(XRD)、扫描电子显微电镜(SEM)、能谱(EDS)、紫外-可见漫反射(UV-Vis DRS)技术对其进行表征。以亚甲基蓝为目标污染物,考察掺杂量对BiPO_4光催化活性的影响。结果表明:Yb掺杂使BiPO_4的结构和形貌均发生了变化;少量Yb掺杂可以提高BiPO_4的光催化活性,在紫外光下照射3h,Yb~(3+)-BiPO_4-2%对亚甲基蓝的光降解率可达80.2%。     

Dy3+和La3+掺杂ZnO薄膜的特点及其气敏传感特性

采用真空蒸发的方法制备了掺杂原子比为3%、5%和9%的La掺杂和Dy掺杂的ZnO薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)谱和X射线光电子能谱(XPS)表征了所制得的ZnO薄膜的特性.发现所有薄膜都沿C轴取向优先生长.在对ZnO薄膜气敏特性的测量中,在低温条件下掺杂ZnO薄膜的电阻比非掺杂ZnO薄膜的小,且对乙醇和丙酮的灵敏度显著增强,且其中Dy掺杂的ZnO薄膜的气敏特性较La掺杂的ZnO薄膜为高.而空气中暴露9个月后的薄膜的气敏特性表明掺杂ZnO薄膜具有很好的稳定性.同时讨论了气敏传感机制和掺杂行为对薄膜灵敏度的影响.     

稀土离子(Sm~(3+),La~(3+))掺杂纳米TiO_2光催化性能研究

以钛酸四丁酯和稀土氧化物Sm2O3、La2O3为原料,分别制备了掺杂稀土离子Sm2+和La3+的纳米TiO2光催化剂,分别进行了两种离子掺杂纳米材料在甲基橙溶液中的光催化降解实验,通过对制备条件优化,研究了光降解条件对降解效果的影响.结果表明:La2+掺杂纳米TiO2材料的光催化活性要优于Sm3+掺杂纳米TiO2材料.     

A位La和Dy替代Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷结构及介电性能的研究

研究了A位La,Dy替代对BZN基陶瓷结构和介电性能的影响.在替代量x≤0.2的范围内,La替代样品均保持单一的立方焦绿石结构;在x<0.15的范围内,Dy替代样品为单一的立方焦绿石相;当x=0.2时,结构中出现杂相.随着La、Dy替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸、密度和介电性能发生有规律的变化;低温介电弛豫峰的峰形逐渐宽化;La替代样品的峰值温度向低温方向移动,Dy替代样品的峰值温度向低温方向移动.与x为0.1、0.15和0.2相对应的La替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-95℃,-99℃,-104℃,Dy替代样品弛豫峰峰值温度tm分别为-96℃,-89℃,-85℃.     

镧系收缩对(La0.8Ln0.2)2/3Ca1/3MnO3纳米粉体结构和电输运性质的影响

 用溶胶-凝胶法制备了系列掺杂(La_0.8Ln_0.2)_2/3Ca_1/3MnO₃(Ln=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er)纳米级晶体.对于所制备系列样品在同一实验条件下的测试发现,在La位被其他镧系元素部分替代后,平均晶格常数和容差因子也存在类似镧系收缩的单方向变化：随着替代原子Ln原子序数的增加,平均晶格常数a呈减少趋势,平均晶格常数b基本未发生变化,而平均晶格常数c总体来说略呈减少趋势;容差因子t在0.925～0.918之间逐渐减少,但体系仍保持钙钛矿结构.不同掺杂元素样品表面形貌和电输运行为差异很大,各样品颗粒粒度分布在30～800nm范围,转变温度在82～194K范围.铈组(La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu)掺杂样品的转变温度未呈现单一某一方向的变化,而钇组(Gd,Dy,Ho,Er)掺杂样品的金属-绝缘体转变温度随着原子序数的增加而增高,此变化方向的单一性与镧系收缩单一性相协调.     

稀土Dy掺杂纳米CdO薄膜的特性分析

为改善氧化物半导体薄膜的特性,采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备稀土Dy掺杂纳米CdO薄膜并进行热处理,对薄膜进行结构、电学和光学特性进行测试分析。实验结果给出:掺杂稀土Dy后CdO薄膜沿(111)晶向的衍射峰增强,随掺Dy含量增大峰强度逐渐减弱,掺Dy含量为5%时可促进CdO薄膜晶粒的生长,改善薄膜晶相结构特性。制备的薄膜表面颗粒均匀,存在颗粒聚集现象。掺Dy含量为9%时,在波长大于900 nm的范围透光率可达90%,高于纯CdO薄膜。     

Dy3+掺杂对BaFe12O19的微波电磁特性的影响

采用固相法合成了稀土Dy3+掺杂六角铁氧体Ba1-xDyxFe12O19(x=0、0.04、0.06、0.08、0.10).采用X线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和网络分析仪对粉体的相组成、形貌和电磁特性进行表征.结果表明:当x≤0.08时,制得的粉体为单一的六角M型铁氧体;试样的颗粒粒径随着掺杂量的增加有所降低;在2 ～ 18 GHz频率范围内,当Dy3+掺杂量x＜0.08时,试样ε′、ε″、μ′μ″和tanδ的数值随着掺杂量的增加均有所变大,并且利用微波电磁理论分析了磁导率和介电常数的变化机制.     

壳聚糖对镧系金属离子吸附性的研究

壳聚糖分子中含有活性基团－ＮＨ２和－ＯＨ,可使其与金属离子形成稳定的配合物．研究了壳聚糖对镧系金属离子在不同浓度,不同时间的吸附性,测试手段辅以电感耦合等离子体原子发射光谱法（ＩＣＰ－ＡＥＳ法）．实验结果表明,壳聚糖对镧系金属离子均有吸附性,吸附序列为Ｎｄ３＋＞Ｌａ３＋＞Ｓｍ３＋＞Ｌｕ３＋＞Ｐｒ３＋＞Ｙｂ３＋＞Ｅｕ３＋＞Ｄｙ３＋＞Ｃｅ３＋,并且吸附作用受离子浓度和反应时间的影响．     

十钨稀土杂多酸盐的热性质研究

报道了十钨稀土杂多酸盐Ｎａ９ＬｎＷ１０Ｏ３６·ｘＨ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ，ＣｅＰｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｙ）的热稳定性和脱水反应动力学过程，对结晶水在化合物中的存在状态给予了推测。     

稀土三氟化物RF_3晶体化学键、极化率和介电常数

用复杂晶体化学键理论计算稀土三氟化物RF3晶体的结构参数和化学键参数，探讨其微观组成和结构与极化率和介电常数的关系．     

稀土—罗丹明配合物的合成和性质的研究

本文报道12种稀土(Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Er、Yb)—罗丹明B的固体配合物制备,通过元素分析、溶解度及摩尔电导测定、差热热重分析、X-射线衍射、红外、紫外、可见、荧光光谱以及~1HNMR谱等对它们的配位作用和性质进行了研究。     

Y3Al5O12基质中Dy3+的浓度猝灭机制

采用溶胶-凝胶/燃烧合成法制备不同掺杂浓度的Dy:Y3Al5O12(YAG)发光粉体。分析基质晶体结构、Dy3+掺量对Dy3+光致发光性能的影响,并探讨Dy3+在Y3Al5O12基质中的自身浓度猝灭机制。根据激发光谱,Dy:YAG的主激发峰位置在353 nm,对应Dy3+的6H15/2→6P7/2跃迁。在Dy:YAG晶体结构中,Dy3+取代Y3+的位置具有D2对称性,故Dy:YAG的蓝光发射强度要高于黄光发射强度,且Dy3+最佳摩尔分数为0.02;Dy3+的4F9/2→6H15/2、6H13/2跃迁发射的浓度猝灭机制均为相邻中心的电偶极-电偶极相互作用引起的交叉弛豫(4F9/2+6H15/2→6H9/2+6F3/2)所造成的。     

糠醛缩5-氨基水杨酸Schiff碱稀土配合物的合成与表征

以糠醛缩5 氨基水杨酸为配体,合成了未见报道的 6 种稀土配合物,运用元素分析、红外、紫外、核磁共振氢谱、热重 差热分析、摩尔电导等手段对配合物的结构进行表征,证实配合物的组成为[RE(L2 )2Cl]·0.5C2H5OH( RE=La,Nd ) 或[RE(L2)2Cl]·nH2O ( RE=Gd,Dy,Yb,Y ),配体以负一价离子四齿形式配位,配位数为9.     

层状钙钛矿锰氧化物La_（1.3-x）Gd_xSr_（1.7）Mn_2O_7（x=0,0.05）的磁性和电性研究

采用传统的固相烧结法制备了多晶样品La1.3-xGdxSr1.7Mn2O7（x=0,0.05）,对其磁性和电性进行了研究.研究表明：当x=0.05的Gd掺入后,由于铁磁性的减弱导致样品的磁化强度、二维磁转变温度T2D和三维磁转变温度T3D都随之降低,且在低温下有自旋璃态出现.此外,样品的金属-绝缘体转变温度TM1降低,电阻率增大.以上现象的产生可归结为：由于Gd掺杂导致了晶格失配,减弱了双交换作用,致使上述现象出现.