二十微微秒开关隧道二极管的研制

本文简述了隧道二极管的工作原理,分析了用作高速脉冲讯号源用的隧道二极管的若干基本要求,探讨了制备成所需指标的可能工艺,指出了用平面工艺可以完成性能甚为优越的超高速开关锗隧道二极管,给出了基本工艺条件及试制的初步结果,表明了用平面工艺可制备成当前最快速脉冲讯号源用的开关隧道管。     

锗隧道二极管基本参数均匀性问题的初步探讨

一、引言隧道二极管参数的一致性差,增益小,输出与输入隔离性不好,是其最大的缺点,这除通过电路技术得到克服外,在隧道二极管的研制问题上,对其参数均匀性控制问题进行探讨是有实际意义的。关于如何控制隧道二极管基本性能参数问题,许多文献有过不少报导。其中例如:1963年等人研究了锗的掺杂浓度对隧道二极管参数的影响,提出了通过选择     

NiCr合金基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其结构分析

室温下在 Ni Cr合金 ( Hastelloy c-2 75)基底上应用 Ar 离子源辅助 ,准分子脉冲激光沉积了Ce O2 薄膜 .结果表明 :在合适的外部条件控制下 ,直接在 Ni Cr合金基底上可以制备出 c-轴取向的 Ce O2薄膜 ,但这时的 Ce O2 薄膜在其 a-b平面内没有观察到织构的信息 ;进一步在相同的条件下 ,首先在 Ni Cr合金基底上制备一层 YSZ( Yttria-Stabilized Zirconia) ,再在 YSZ/Ni Cr上制备 Ce O2 薄膜 ,这时的 Ce O2薄膜不但是 c-轴取向 ,同时在其 a-b平面内织构 .     

隧道工程施工中GPS测量技术的应用探讨

隧道控制测量的主要目的，就是保证隧道在两个或两个以上开挖面的相向施工中，使其中线符合线路平面和纵断面的设计要求，在允许误差的范围内，在满足限界要求的条件下正确贯通。隧道洞外控制测量的精度直接影响隧道的贯通误差，决定着隧道施工的安全、顺利贯通和工程质量。     

适于MEMS器件的低应力Ni-W纳米晶薄膜的制备

以高强度、高耐腐蚀性Ni-W合金为研究对象,探讨了柠檬酸胺-HEDP体系中,各种电沉积工艺参数以及热处理条件对Ni-W合金薄膜应力的影响规律及其在微喷嘴模具上的应用.研究结果表明,在优化的工艺条件下,可获得应力为230 MPa、硬度高达988 HV、无裂纹的纳米晶Ni-W薄膜材料,为其在MEMS微器件、微模具制备上的应用提供了有效途径.     

NiCr合金基底上离子源辅助激光制备CeO2薄膜及其？…

室温下在ＮｉＣｒ合金（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ ｃ－２７５）基底上应用Ａｒ＾＋离子源辅助,准分子脉冲激光沉积了ＣｅＯ２薄膜。结果表明：在合适的外部条件控制下,直接在ＮｉＣｒ合金基底上可以制备以ｃ－轴取向的ＣｅＯ２薄膜,但这时的ＣｅＯ２薄膜在其ａ－ｂ平面内没有观察到织构的信息;进一步在相同的条件下,首先在ＮｉＣｒ合金基底上制备一层ＹＳＺ（Ｙｔｔｒｉａ－Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｚｉｒｃｏｎｉａ）,再在ＹＳＺ／     

超导隧道多极器件

本文首先推广Feynman 方法,把讨论两个超导体之间弱耦合的Josephson方程推广到n 个超导体之间的弱耦合。指出多个超导体之间弱耦合(即超导隧道多极器件)在工艺上实现的可能性。最后以超导隧道三极管为例,说明它在超导逻辑电路中应用的可能性。     

锗隧道二极管中的过剩电流

研究了深能级杂质 Au 和 Ni 对锗隧道二极背过剩电流的影响,在掺Au锗隧道二极管中,观察到明显的驼峰电流,而在掺 Ni 锗隧道二极管中只观察到指数过剩电流,用萨支唐解释掺 Au 硅隧道结伏安特性的方法对所得结果进行了解释。另外,还研究了普通隧道二极管中的过剩电流。     

锗和砷化镓隧道二极管某些参数的温度关系

§1.引言隧道二极管峰值电流L_p,峰值电压V_p和結电容C等参数随温度变化規律的研究,在理論上及应用上都有一定的意义。理論上可以提供簡并半导体能带結构及簡并p-n結內电流傳輸机构的知識,实用上可以提供設計参数几乎不随温度变化的隧道二极管的資料。锗隧道二极管峰值电流与温度关系已发表了許多研究結果。总括起来,在4.2°K     

浅谈PLC技术在高速公路隧道监控中的应用

随着我国高速公路建设速度的不断加快,对高速公路隧道建设中监控系统的构建要求日益增强,主要基于PLC技术简要分析其在高速公路隧道监控系统中的应用策略,从区域控制、功能实现及软件程序设计等几个方面进行简要分析。     

单双层石墨烯的制备及电导特性调控

石墨烯二维材料有着优异的物理、化学特性,在多个科学领域展现出广阔的应用前景.采用化学气相沉积方法在Cu-Ni合金表面制备了二维石墨烯薄膜并揭示其生长机制;研究生长时间、温度等对石墨烯覆盖度和晶格质量的影响.通过优化生长条件,成功制备了大面积单层及具有强烈层间耦合作用的AB堆叠双层石墨烯薄膜.进一步运用表面沉积技术在单层石墨烯上构建零维Au团簇和二维Au薄膜,研究其对石墨烯电导特性的影响;并结合第一性原理计算,揭示Au的形态及覆盖度影响石墨烯电导特性的规律.据此制作了石墨烯场效应晶体管器件,通过精确控制Au的覆盖度,实现石墨烯电导类型和载流子浓度的有效调控,拓展了其在微电子领域的应用.     

PIN光电探测器用反外延片工艺研究

创新性使用反外延法工艺,介绍了适用于制备近红外波段PIN光电探测器的硅外延材料的研制工艺,在区熔单晶抛光片上进行重掺导电层和支撑层的外延层制备。通过对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过精细的后期加工工艺,将高阻区熔层加工为厚度和表面质量均满足器件要求的有源层。结果显示,采用反外延法工艺得到的反外延材料片应用到PIN光电二极管中,不仅节省器件制备中的工艺程序,而且大大提高了器件耐压性。     

普鲁兰／聚丙烯酸丁酯合金

研究在水介中焦磷酸锰引发下,普鲁兰/聚丙烯丁酯接枝物合金的制备、组成的控制及接枝共聚反应速率。用红外光谱、扫描电镜、热重分析方法对接枝物合金进行了分析。结果表明:焦磷酸锰是制备普鲁兰/聚丙烯酸丁酯接枝物合金的有效引发剂,控制反应条件可以调节接枝物合金的组成。普鲁兰接枝物合金的耐水性与纯普鲁兰相比,有较大幅度的提高。耐热性和柔韧性也有所提高。     

钯铜合金膜的化学镀制备过程研究

采用正交法研究了Pd-Cu合金膜的化学镀制备过程,考察了镀液组成和制备条件对镀膜速率的影响.在化学镀膜过程中,CuCl2浓度对镀膜沉积速度的影响最大,最优Cu镀液组成和制备条件为CuCl2 0.04 mol/L,KNaC4H4O6 0.05 mol/L,HCHO 15.0 mL/L,温度30 ℃.根据Pd、Cu的沉积速率,控制化学镀Cu的时间可制备出一系列精确Pd/Cu质量比的致密Pd-Cu合金膜.     

纳米晶合金在高压电力系统中的应用

研究了非晶纳米晶合金在电力系统中高压断路器及全封闭组合电器上配套测量级电流互感器中的应用，并分析了在电力系统中其他设备上应用的可能性。     

镍基单晶高温合金表面微阵列孔的制备方法及其实验研究

微小孔结构在航空航天、现代医疗、精密仪器等领域有着广泛的应用,但孔径尺寸微小且加工精度要求高,常规的接触式机械加工方式存在切削力致使孔精度较难控制.而电火花加工非接触和无宏观切削力的特点使其在微小孔加工中具有独特的优势.开展镍基单晶高温合金表面微阵列孔制备的实验研究,首先通过低速走丝电火花线切割方法结合精修工艺实现了边长小于340μm菱形微细阵列电极的高精度制备.采用所制备的微细阵列电极在镍基单晶高温合金表面进行微阵列孔加工,探究微阵列孔尺寸的一致性精度、孔壁的表面质量和电极损耗特点,揭示抬刀速度和抬刀模式对微阵列孔的孔壁粗糙度的影响规律,实现了镍基单晶高温合金表面微阵列孔的高效率高精度制备.     

甲壳糖的制备和絮凝作用

从除钙和脱乙酰基两个方面，通过比较不同制备条件所制得的甲壳糖对造纸废水ＣＯＤ去除率的影响，探索了适用于实际应用需要的制备工艺条件和甲壳糖作为造纸废水处理的絮凝剂的可能性。     

GPS在长大隧道控制测量中的应用与实现

建立隧道施工控制网通常采用三角测量法和精密导线法,但这些常规方法受到通视条件、图形条件及地形条件等诸多因素的影响。而基于GPS技术建立的隧道测量控制网具有精度高、布网方便等优点。本论述以三棵树隧道为例,阐述GPS在长大隧道控制测量中的实际应用,以期对该行业工作者起到一定借鉴意义。     

现场计算机系统在仰口隧道中的应用

本文介绍了现场计算机系统在隧道自动化中的应用。青岛仰口隧道采用现场计算机PLC＋中央控制计算机的集成方案，对隧道机电设备进行分散控制、集中管理，同时对洞内、外环境和机电设备进行监测，既满足公路隧道对洞内交通、照明和通风的控制要求，又保证了交通顺畅。     

高能超声在制备颗粒增强金属基复合材料中的作用

采用高能超声处理方法制备了致密度高、增强颗粒均匀分散的ＳｉＣ／ＺＡ２２基复合材料．对复合材料制备过程中高能超声的作用机理、有效作用范围进行了分析．结果表明,在试验所用高能超声处理条件下（２０ｋＨｚ,１ｋＷ）,熔液中能造成瞬时局部高温、高压的声空化效应与具有较高速度和加速度的声流效应的协同作用,是高能超声处理技术在制备颗粒增强金属基复合材料时改善增强颗粒与基体合金润湿性,并使颗粒在合金中弥散分布的原因．而高能超声在熔体中有限的有效作用区域,要求利用该技术制备复合材料时,必须在工艺上保证熔体的各个部位均能受到高能超声的有效作用才能获得优质的复合材料