硅外延工艺中HCl气相腐蚀技术研究

主要对硅外延工艺中的HCl气相腐蚀原理以及HCl气腐对外延工艺的作用进行了分析。从HCl腐蚀速率、腐蚀温度和对外延层电阻率均匀性影响等方面进行了重点研究,并采用不同的工艺条件,进行了相关的对比试验,总结了HCl气腐对外延层影响的规律。     

CVD法制备高质量硅外延片的工艺研究

本文采用化学气相沉积(CVD)法在单晶硅衬底上沉积硅外延层,同时研究了沉积工艺对外延层电阻率和厚度的影响规律。研究发现采用H2气变流量吹扫后可以有效抑制非主动掺杂,提高外延层电阻率的均匀性;衬底表面气流边界层厚度会对外延层的沉积速率有显著的影响。通过对沉积工艺的控制可以得到电阻率和厚度均匀性良好的硅外延层。     

基于HCI协议层的蓝牙技术应用开发

蓝牙是一种短距离无线通信技术,目的是取代终端的连接电缆,因此从蓝牙协议栈中的HCI层入手,对该层的主要功能模块和工作机制进行了分析,并阐述了基于HCI层的蓝牙应用开发方案,最后给出了一个蓝牙应用开发的设计实例--蓝牙二维条码扫描仪系统,该系统证实了基于HCI层进行蓝牙技术应用开发的可行性.     

桶式外延炉吹扫工艺改善外延层电阻率均匀性的研究

随着硅外延片在器件制造领域应用的不断扩展,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是准确控制外延层电阻率及其均匀性。由于衬底自掺杂与系统杂质因素的影响,使得外延层电阻率的控制十分困难,同时电阻率均匀性也大大降低。通过对外延生长过程中外延层表面气体边界层的原理进行分析,提出了变流量吹扫工艺,减少边界层中杂质浓度,制备出电阻率均匀性好的外延片。     

PIN光电探测器用反外延片工艺研究

创新性使用反外延法工艺,介绍了适用于制备近红外波段PIN光电探测器的硅外延材料的研制工艺,在区熔单晶抛光片上进行重掺导电层和支撑层的外延层制备。通过对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过精细的后期加工工艺,将高阻区熔层加工为厚度和表面质量均满足器件要求的有源层。结果显示,采用反外延法工艺得到的反外延材料片应用到PIN光电二极管中,不仅节省器件制备中的工艺程序,而且大大提高了器件耐压性。     

牺牲层腐蚀技术在微悬臂梁器件制作中的应用

以微悬臂梁的制造工艺为例,探讨了MEMS中的牺牲层腐蚀技术,对牺牲层材料的制备方法和腐蚀牺牲层材料得到微悬臂梁结构等工艺中的关键与核心技术作了详细阐述,从腐蚀机理的角度探讨了腐蚀速率及其影响因素。     

功率VDMOS器件用N/N~＋型外延层过渡区的研究

该文主要对VDMOS器件用N/N＋型外延层工艺进行了分析,从造成过渡区展宽的三种因素进行了重点分析,并采用不同的工艺条件进行了相关的对比试验和研究,总结了外延层过渡区工艺规律并提出了改善方案。     

InP及In_(0.53)Ga_(0.47)As单晶薄膜吸收光谱的实验测定

报导了用光学透射比法在外延单晶薄膜上进行InP及In_(0.53)Ga_(0.47)As材料吸收光谱测定的实验结果,对单层及双层材料样品两种情形分别讨论了透射比T(λ)与吸收系数α(λ)之间的理论关系;并描述了使用异质结外延材料与选择腐蚀工艺制备单晶薄膜样品的方法。对获得的实验结果进行了理论分析与解释,并与其他作者的研究结果进行了比较。     

台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响

分析了台面刻蚀程度对埋栅型SITHI-V特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而限制了栅体的控制能力,影响器件性能,严重时会导致特性异常,这是影响器件成品率的一个重要因素.台面刻蚀必须刻透外延层并适当过腐蚀,过腐蚀程度宜控制在栅体结深的1/10左右.     

无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究

利用K2S2O8作为氧化剂,通过无电极光助化学腐蚀GaN外延层制备多种形貌的GaN微米/纳米结构.采用扫描电子显微镜(SEM)、阴极射线发光图(CL mapping)、高分辨X射线衍射(HRXRD)、拉曼光谱(Raman spectra)和光致发光谱(PL)等先进的表征手段研究腐蚀样品的形貌、晶体结构和光学性质.结果表明:在高浓度的KOH(1 mol/L)和低强度的紫外光照下,腐蚀出高质量的腐蚀坑、微米/纳米柱和纳米线;在低浓度KOH(0.4 mol/L)和高强度的紫外光照下,制备出GaN棱锥,研究发现此微米/纳米锥体阵列为包裹了位错的GaN晶体.在腐蚀液KOH浓度低至0.1 mol/L时,GaN腐蚀样品表面形成大量的晶须,聚集成束,晶须揭露了位错;并探讨了多形貌微米/纳米GaN的形成机理.腐蚀温度和GaN外延层极性对腐蚀形貌也具有明显的影响.     

高阻外延层电阻率均匀性控制技术分析

随着高频大功率器件的广泛应用,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是外延层电阻率.为了提高器件的工作频率与工作电压,要求外延层电阻率要高,电阻率均匀性要好.而高阻外延层的电阻率由于受到自掺杂与系统杂质的影响,很难获得好的电阻率均匀性.通过对外延生长过程中杂质的引入,以及不同杂质的来源及特点进行深入分析,针对不同杂质来源的控制提出有效的解决方法,保障了生长出电阻率均匀性好的高阻外延层.     

基于HCI协议层的蓝牙技术应用开发

蓝牙是一种短距离无线通信技术，目的是取代终端的连接电缆，因此从蓝牙协议栈中的HCI层入手，对该层的主要功能模块和工作机制进行了分析，并阐述了基于HCI层的蓝牙应用开发方案，最后给出了一个蓝牙应用开发的设计实例－蓝牙二维条码扫描仪系统，该系统证实了基于HCI层进行蓝牙技术应用开发的可行性。     

硅外延片（111）面层错腐蚀坑显微图象分析

本文就硅单晶外延片（１１１）面上层错腐蚀坑层显微图象和代表的腐蚀坑的形状作了分析研究，并对腐蚀坑的形成机理及其形成的规则作了讨论，且给出了实验技术上需注意的几个问题。     

影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究

本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获得了激射波长为１．３μｍ．失配量≤１．４×１０－３的ＤＨ结构ＬＰＥ工艺条件．探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响；提出采用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，避免了纵向ｐ－ｎ结偏位现象的出现．获得了室温下阈值电流最低小于２５ｍＡ、在６０ｍＡ直流驱动下单面光输出功率高达１２．５ｍＷ、激射波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣ－ＰＢＨ激光器．     

低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺

200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性1. 0%,电阻率不均匀性1. 1%,无滑移线、雾等缺陷。实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数。通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层。     

表面重熔加工对材料耐空泡腐蚀的影响

采用TIG(钨极惰性气体保护焊)表面重熔工艺对表面耐空泡腐蚀堆焊材料进行改性加工,与磨削表面加工对比研究了TIG表面重熔对空泡腐蚀的影响.结果表明:在45 h空泡腐蚀试验后,磨削试样的累积失重量是TIG表面重熔试样的1.59倍;相变产生的马氏体剥落是质量损失的主要形式,而TIG表面重熔工艺延迟了奥氏体到马氏体的相变,降低了质量损失;大量裂纹沿着马氏体片层发展,而TIG重熔表面抑制了裂纹发展,避免了大的物质剥落.     

15.24 cm外延材料厚度均匀性控制研究

利用LPE-3061D平板式外延炉制备硅外延片,实验研究了流场分布对外延生长速率、厚度及其均匀性的影响,在外延制备过程中通过运用流场和热场控制、基座浅层包硅、变流量吹扫、快速本征生长、二次外延等工艺手段并且加以有机组合,提高了外延层参数的一致性。     

退火对SOI材料电阻率的影响

在SIMOX SOI材料外延生长硅层时,存在电阻率较高的过渡层.对衬底研究表明,SOI层呈现高阻.采取不同温度对衬底进行退火,结果表明:合适的温度退火可以明显降低SOI层电阻率,对外延硅层后的SOI材料进行退火,也可以部分降低外延层电阻率,减少外延层中高阻层厚度.     

CdTe薄膜太阳电池的硝酸-磷酸腐蚀及应用

采用硝酸磷酸腐蚀CdTe薄膜，研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响，获得腐蚀的最佳工艺条件．在腐蚀后，沉积了缓冲层材料和（或）金属背电极，研究了腐蚀后背接触的形成及碲对CdTe太阳电池的影响．结果表明，腐蚀后生成的碲有助于产生p+层，实现CdTe与金属背电极的欧姆接触．     

MOCVD生长非故意掺杂GaN/Si薄膜的电阻率控制研究

本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜。高分辨率X射线衍射(HRXRD)和Lehighton非接触面电阻测量系统用来表征GaN外延层的质量和面电阻(Rs)。通过计算HRXRD测量得到的GaN(0002)和(10-12)半高宽(FWHM),估算了GaN外延层中的线性位错密度(TDD)。GaN外延层的Rs和TDD之间的关系被研究。下面GaN初始层生长条件,包括载气种类(H2或N2)、生长温度和生长压力,对上面GaN外延层的影响被讨论和分析。我们认为H2作为载气能提高GaN质量,减少GaN外延层中的TDD,并由于其活泼的化学特性,能通过还原反应去除GaN外延层中的O和C等杂质。另外,下面GaN初始层在低温和高压下生长,更有助于提高GaN质量和减少TDD。下面GaN初始层通过在H2载气、低生长温度(1050℃)和高生长压力(400mba)下外延生长,上GaN外延层的电阻率得到了提高。