带电对Ga7As7团簇基态结构的影响

采用全势能线性Muffin-tin轨道分子动力学计算方法(FP-LMTO-MD),对中性砷化镓Ga7As7团簇基态结构带电后在能量和几何结构上的变化进行研究.计算结果表明,随着电离程度的增加,团簇结构上的畸变更加明显,并且正离子团簇将比负离子团簇更快地失去稳定性.     

Ag3VO4/Ag2Mo2O7复合光催化剂

由水热法合成Ag₂Mo₂O₇微米棒,通过Na₃VO₄和AgNO₃溶液反应,在Ag₂Mo₂O₇微米棒表面沉积Ag₃VO₄.Ag₃VO₄/Ag₂Mo₂O₇复合材料在可见光照射下对罗丹明B(RhB)、甲基橙(MO)和盐酸四环素(TC)水溶液的光催化降解活性明显高于纯Ag₃VO₄和Ag₂Mo₂O₇.通过多种表征技术研究了Ag₃VO₄、Ag₂Mo₂O₇和Ag₃VO₄/Ag₂     

MnO2和K2Cr2O7氧化盐酸制备Cl2条件的讨论

本文应用Nernst方程讨论了无机化学中MnO2、K2Cr2O7作为氧化剂氧化盐酸制备氯气的实验条件。     

复合催化剂SO42--H3PW12O40/TiO2(P123)的制备及其光催化降解二硝基甲苯

 采用溶胶-凝胶与溶剂热相结合的方法制备了系列介孔复合光催化剂SO₄^2--H₃PW₁₂O₄₀/TiO₂ （P123）,并对其进行了表征和分析。N₂吸附表面分析及扫描电镜（SEM）图片显示,复合催化剂的粒径明显减小,比表面积高达211m²/g,是TiO₂的5 倍。紫外漫反射吸收光谱（UV-Vis）显示,与TiO₂相比,复合催化剂的吸收光谱发生了明显的红移,且吸收强度明显增强。运用L₁₆（4⁵）的正交实验设计探讨了H₃PW₁₂O₄₀负载量、模板剂P123 的添加量、溶液初始pH 值、催化剂加入量以及H₂SO₄浓度5 个因素对二硝基甲苯（DNT）降解性能的影响,并对正交实验结果进行了直观分析和方差分析。结果表明,该降解过程符合L-H 表观一级反应动力学,在催化剂用量为1.2g/L、H₃PW₁₂O₄₀负载量为20%、模板剂P123 的加入量为2g、溶液初始pH 为2、H₂SO₄的浓度为1mol/L 条件下,经氙灯光源辐照4h 后,DNT 的降解率达到98.7%,DNT 降解的半衰期为0.7162h,取得了良好的光催化效果。     

Na2SO4胁迫对酸枣种子萌发及根系生长的影响

为了探索酸枣耐盐生理机制,本试验研究了不同浓度Na2SO4处理对酸枣种子萌发和根系生长的影响,以及亚精鞍、谷胱甘肽、氯化钙、硝酸钾分别对酸枣种子的萌发和根系生长的影响。结果表明:与对照相比,高浓度(0.03、0.04和0.05mol/L)的Na2SO4显著抑制酸枣种子的发芽率和发芽势;不同浓度的Na2SO4(0.01、0.02、0.03、0.04和0.05mol/L)对酸枣的根长和根粗无显著影响;0.05mol/L的Na2SO4抑制酸枣侧根的形成,4种外源物质(亚精鞍、谷胱甘肽、氯化钙、硝酸钾)也抑制酸枣种子的侧根形成。     

新型四帽杂多化合物H11[PMo12O40（VO）4][V2O7]2·3H2O的合成、结构及性能

通过水热法合成了一种新型的四帽杂多化合物H11[PMo12O40(VO)4]·[V2O7]2·3H2O.用红外光谱、X-射线单晶衍射技术对结构进行了表征,并测试了其在苯甲醛氧化制苯甲酸中的催化活性.结果表明,该化合物对苯甲醛选择性氧化制苯甲酸具有较高的催化活性.     

Na2Ce4(MoO4)7晶体的生长及磁光性能研究

采用提拉法生长Na₂Ce₄(MoO₄)₇晶体,通过XRD测试证实其为白钨矿结构,空间群为I4₁/a. 测试晶体在400~1600nm波段的透射光谱,其在600~1600nm波段透过率较高,大约77%~79%. 晶体中Ce³⁺稳定存在,退火前后均未发生变价. 不同方向磁化率的测定表明,Na₂Ce₄(MoO₄)₇晶体为顺磁性且存在明显的磁各向异性,其易磁化方向与光轴方向一致. 采用消光法测试晶体在635、 1064nm处的法拉第旋转角,计算得到的费尔德常数分别为：-194.5、 -58.5rad·(m·T)^-1,约为TGG晶体的1.46倍.     

Si/SiO2和Si/SiNx /SiO2超晶格的能带结构

利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO₂和Si/SiN_x/SiO₂多层膜结构中量子阱的能带结构, 进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现, 适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化. 在Si/SiO₂超晶格中, Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合E_PL(eV)=1.6+0.7/d²关系, 与我们的计算结果十分吻合. 在Si/SiN_x/SiO₂超晶格系统中, 可以通过控制各亚层厚度, 尤其是Si和SiN_x层厚度, 均能够有效地控制发光.     

Eu3+取代Bi1.5MgNb1.5O7陶瓷的结构与介电性能

采用固相法制备Bi1.5-xEuxMgNb1.5O7(x=0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6)陶瓷。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪分别对陶瓷的相结构、显微结构和介电性能进行表征。结果表明:当Eu3+取代量(x)较小(x≤0.5)时,所有组分的陶瓷样品均保持单一的焦绿石相;当x=0.6时,样品出现少量的EuNbO4杂相。随着Eu3+取代量的增加,陶瓷的介电常数逐渐减小,介电损耗先减小后增大,温度系数显著增大。当x=0.5时,1 MHz下测得的介电常数为96,介电损耗为3.8×10-4,温度系数变成-12×10-6℃-1。因此,通过适当的Eu3+取代可以获得适用于Ⅰ类多层陶瓷电容器性能优异的介质材料。     

图C7（r1,r2,r3,r4,r5,0,0）∪St（m）的优美性

圈C7的(r1,r2,r3,r4,r5,0,0)-冠简记为C7(r1,r2,r3,r4,r5,0,0),St(m)表示有m+1个顶点或有m条边的星型树.讨论了C7(r1,r2,r3,r4,r5,0,0)与St(m)的非连通并集C7(r1,r2,r3,r4,r5,0,0)∪St(m)优美性,用构造性的方法给出了一些特殊的C7(r1,r2,r3,r4,r5,0,0)∪St(m)的优美标号.     

例外型根系的商根系

利用商根系的同构关系，给出了例外型不可约根系的商根系的结构。     

典型型根系的商根系

设φ是典型型不可约根系，△是它的一个单根系，△J是△的子集，Ω0J^-是关于φ关于△J的商根系。该文通过简化商根系定义的条件利用商根系同构的判别，给出了四个确定商根系结构的公式。     

有限素域Fp上多项式xp-x-1的根的阶数

讨论了有限素域F_p上多项式x^p-x-1的根α_p的阶数o(α_p)问题.文章猜测：等式o(α_p)=m_p:=（p^p-1）/（p-1）对于任何素数p成立.文章通过具体例子介绍了在素数p给定的情形下证实该猜想的两种方法.     

Q相-CaO.Al2O3-12CaO.7Al2O3系列新型 水泥水化性能研究

对Q相-CA-C     

构建嵌入式Linux的根文件系统

根文件系统是构建一个嵌入式Linux系统的重要组成部分,文章介绍了用busybox构建嵌入式Linux的根文件系统方法,包括busybox的配置和安装,以及在嵌入式Linux环境下,构建文件系统所必需的其他一些脚本文件的编写方法。通过该种方法组建文件系统非常简单而且配置也很灵活。     

李型单群~2G_2(q)阶分量刻画的简化证明

不使用单群分类定理,给出了Sylow 2-子群阶数不大于8的有限单群的完全分类.并在此基础上,简化了李型单群~2G_2(q)阶分量刻画的证明.     

糙隐子草根系特征对氮素添加梯度的响应

选取内蒙古锡林郭勒典型草原区的糙隐子草占优势的退化草地进行氮素添加实验(添加梯度为0,30,50,80 g·m^-2),以研究在退化草地中糙隐子草根系特征对氮素添加的响应。结果显示,随着氮素添加量的增加,糙隐子草根系长度和根系表面积没有显著变化,根系直径和根系体积在50 g·m^-2的处理情况下显著高于其他3个处理,而0,30,80 g·m^-2处理之间无显著差异,这表明退化样地中土壤氮素的适量增加会显著促进优势种糙隐子草根系的增粗生长,而对根系增长生长没有影响,且氮素对于糙隐子草根系的影响存在阈值。糙隐子草根系的长度、直径、表面积、体积与氮素添加量之间都没有显著相关性。