双模随机晶体场对混合自旋1/2和自旋1纳米管磁化强度的影响

本文利用有效场论研究了原子掺杂对纳米管晶格点磁化强度的影响. 结果表明, 掺杂程度、晶场取值概率、最近邻交换相互作用与晶场强度相互竞争, 使系统具有丰富的磁化特性. 当负晶场作用于系统时, 系统发生一级相变. 负晶场越强, 对系统磁化强度的阻碍作用越明显. 当晶场参数和掺杂程度不同时, 系统磁化强度随温度的变化表现出奇异性.     

稀释晶场中最近邻弱交换相互作用对重入现象的影响

利用有效场理论研究了稀释晶场中混合自旋Blume-Capel模型纳米管系统的重入现象,得到了系统的重入现象与稀释晶场取值概率、晶场和外壳层与内壳层格点间最近邻交换相互作用的关系.结果表明:取值概率、交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁化行为:负晶场...     

哈密顿正则方程与稳恒电流电路

用完整系哈密顿正则方程研究了稳恒电路中的能量转换问题,认为在多种保守力作用的体系中研究质点的能态问题,必须将研究对象分别与其有一种保守力作用的物体划分在一个系统内,以构成不同的系统;计算研究对象在一个系统中的能量,必须将其他系统对研究对象作用的保守力视为广义力,考察广义力对研究对象做功的结果,分析研究对象在该系统中的能态变化,即哈密顿正则方程仅适用于一种保守力场中研究对象能态的研究。分析了外电场对晶格势场的作用,认为电流的磁场力和霍尔电场力是稳恒电路中的广义力,霍尔电势是载流子在晶格势场中电势能的增量,因此,在通电时,载流子在晶格势场中的电势能增加,能态升高。同时分析了载流子对比热贡献的物理机制和超导二级相变的发生机理,认为载流子将吸收的热量转变成其在晶格势场中的本征能量而能态升高;在二级相变点附近,比热跃变说明价电子在晶格势场中的电势能发生了跃变,价电子在晶格势场中的受力发生了跃变。同时给出了本征能态的物理意义说明,本征能态是指价电子在晶格势场中的电势能与动能相对应的能态,不同的价电子在实空间中的不同位置只要处于同样的能态,则其在晶格势场中的电势能和动能有相同的数值。     

准一维单原子非线性晶格振动的扭结孤子解和反扭结孤子解

运用连续极限近似, 求解二维单原子晶格的非线性振动方程, 在只考虑最近邻相互作用下, 得出在x方向为强相互作用、y方向为弱相互作用时的准一维单原子晶格的非线性振动具有扭结孤子解和反扭结孤子解.     

混合自旋伊辛模型中损伤扩散的蒙特卡罗模拟

利用损伤扩散技术和Metropolis抽样方法,研究了二维正方格子上具有晶格场作用的混合自旋伊辛模型的动力学.模拟结果显示,损伤和磁化强度具有相似的温度依赖关系.在给定晶格场强度下损伤随温度的升高而减小,并且存在一个临界温度.当温度高于该临界温度时,具有不同初始组态的两系统相空间轨迹重合.系统的临界温度随着晶格场强度的减小而增加.当晶格场足够弱时,系统退化为纯粹的伊辛模型;反之,随着晶格场强度的增强系统的相变温度连续减小到0.没有观察到一阶相变,因而不存在三临界点现象.     

具有4-自旋相互作用Ising模型性质的模拟研究

利用MonteCarlo模拟研究了具有4-自旋相互作用Ising模型的磁学性质．模型建立在平面蜂窝状晶格上，除了考虑对相互作用以外，还考虑了四自旋相互作用．给出了不同四自旋相互作用下系统的磁化强度、磁内能、磁比热、磁化率以及转变温度等物理量．结果表明，4-自旋之间的相互作用对Ising模型的性质有很大影响，但基本上是定量的．Monte Carlo模拟的结果对有效场理论（EFfr）的结果给出了很大的修正。     

十字形液晶分子系统各向同性相至双轴向列相的相变

本文考虑十字形液晶分子组成的系统,假设分子间相互作用为棒与棒相互作用的叠加,且相互作用强度系数彼此独立.利用平均场理论,得到系统在温度和分子结构参数平面内的3类相图:第一类相图中只有一个直接由各向同性相进入双轴相的Landau点,相变为二级相变.第二类相图中Landau点扩展为Landau曲线,为一级相变.第三类相图中...     

晶格振动的次近邻相互作用

在体心立方晶体的[100]方向上,计算了最近邻和次近邻相互作用的晶格振动比仅计算最近邻相互作用的更好。晶格波的简并度降低,更加符合群论和实验结果。     

Dzyaloshinskii-Moriya相互作用对自旋S=1的Heisenberg模型热力学性质的影响

应用二自旋集团平均场近似的方法,研究了外磁场中简立方格子上具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用对自旋.S=1量子Heisenberg模型热力学性质的影响,得到了该系统的相图和磁化强度随温度变化的曲线.结果表明,所研究的系统存在三临界点.系统的这种临界行为可以解释为交换耦合作用与DM相互作用之间相互竞争的结果.     

研究E^＊-Ω相互作用

手征SU（3）夸克模型和推广手征SU（3）夸克模型的短程相互作用机制完全不同,一种来源于单胶子交换,另一种来源于矢量介子交换．在这两个模型中研究了E^＊-Ω相互作用,对可能形成（E^＊-Ω）ST=01/2束缚态的原因进行了探讨．主要分析了这两个模型不同的短程相互作用机制,分析了手征场相互作用及夸克交换效应的影响．计算结果表明,尽管单胶子交换和矢量介子交换机制不同,但在这两个模型中此系统都会形成深束缚态．其主要原因,一是由于σ手征场提供的强吸引相互作用,二是由于它具有特殊的对称性,使夸克交换效应有利于深束缚态的形成．     

具有铁磁性Ising模型的磁性质

以Fe4N为原型,构建在晶场作用下的混自旋Ising模型。利用平均场理论,得到该模型的磁矩和自由能公式;绘制了不同相互作用下的磁化曲线;研究了系统的磁性质。发现系统发生了丰富的相变特性:系统存在一级有序-无序相变、重入现象和二级相变;晶场D_A/|J_1|和D_B/|J_1|对系统的磁性质所起作用相似。随着晶场的增加,一级有序-无序相变的温度升高,重入现象的温度降低;一级有序-无序相变和重入现象的温度间距逐渐缩小,直至这两种相变消失。     

双模随机晶体场对混合自旋1/2和自旋1纳米管上相变的影响

本文利用有效场理论研究了自旋1/2和自旋1混合Blume-Capel模型在具有双模随机晶体场的圆柱形Ising纳米管上的磁化和相变. 通过数值计算,我们得到了随温度和随机晶体场参数变化的相图和磁化强度. 结果表明: (1) 改变晶体场的概率和比例,双模随机晶体场可以描述不同掺杂原子对自旋的作用;(2) 对于一定的概率值、负或正的晶体场和晶体场的比例值都存在临界点;(3) 系统显示多种相变温度,一阶相变和二阶相变.     

Fe掺杂对Zn1 xCoxO纳米晶体结构及磁性行为的影响

利用溶胶-凝胶法制备了Fe掺杂Zn1 xCoxO(x=001~002)纳米晶体.通过XRD,TEM和VSM对其结构、晶格参数和磁性进行了表征和分析.所有样品都没有检测到非晶态产物以及Fe,Co团簇等第二相,即Fe掺杂没有改变Zn1 xCoxO晶体的纤锌矿型ZnO结构、晶粒度大小以及室温铁磁性.随着Fe掺杂浓度的提高,饱和磁化强度、剩余磁化强度和矫顽力等磁性参数都有相应的改善.Fe掺杂还引起了交换偏置,并且,该现象随着Fe掺杂浓度的提高而增强;但是,单原子Fe对饱和磁化强度的贡献低于单原子Co对自发磁化强度的贡献,这表明Fe,Co共掺杂ZnO材料与Co掺杂ZnO材料的磁性机制有所不同.     

二维稀磁Ising铁磁体的磁化行为

对处于外磁场中,自旋为1/2的具有二维正方晶格结构的稀磁Ising铁磁体模型,采用相关有效场理论,推导出了不同浓度下系统的磁矩、磁化率的理论公式·对磁化过程中系统主要物理量随温度、浓度等因素变化的情况进行了探讨·对给定的浓度和温度,磁矩随外场强度增大而变大;而对给定的浓度和磁场,磁矩随温度升高而减小·得到了基态时系统的序参量随浓度的变化曲线及该结构在不同浓度下的相图·     

阻尼系数对Gd（2．34）Tb（0．66）Fe5O（12）磁畴结构的影响饱和磁场和

采用相场方法计算模拟单晶钆铽柘榴石Gd（2．34）Tb（0．66）Fe5O（12）的磁畴结构．利用并行计算、快速傅里叶变换以及高斯迭代法求解Landau—Lifshitz—Gilbert方程以描述磁化过程．通过二雏计算模拟发现，阻尼系数影响磁畴结构的形式．     

温度对于交换作用下的能带劈裂的影响

晶体中电子之间交叠形成电子的能带．格点的电子之间具有交换作用时使能带劈裂成自旋上下的两个子能带．这样的系统是既具有电子巡游性又具有局域磁矩的系统．当两种自旋的跃迁积分不同时,上下两个能带的形状、宽度、峰高等不同．我们利用格林函数方法研究了温度对于此系统的能带的效应．随着温度升高,两个子能带不断靠近,磁化强度也就不断减小．在一定温度,两个子能带中心完全重合,磁化强度为零．两个子能带的裂距的变化与相交可定性地说明系统随温度的变化出现绝缘体、半导体、金属之间的转变．     

阻尼系数对Gd2.34Tb0.66Fe5O12饱和磁场和磁畴结构的影响

采用相场方法计算模拟单晶钆铽柘榴石Gd2.34Tb0.66Fe5O12的磁畴结构.利用并行计算、快速傅里叶变换以及高斯迭代法求解Landau-Lifshitz-Gilbert方程以描述磁化过程.通过二维计算模拟发现,阻尼系数影响磁畴结构的形式.     

高自旋横向Ising模型的基态磁性

采用相关有效场理论,对具有正方点阵结构的S=2横向Ising模型,推导出系统的磁矩公式,并利用数值计算方法得到了基态的磁化曲线。研究发现在基态下,系统随晶场或横场的变化产生了一级有序—有序相变、一级有序—无序相变及二级相变,二级相变普遍存在,一级相变只存在于狭窄的晶场和横场范围内。     

二模外场下键稀疏铁磁混合Blume-Capel模型的磁化

利用有效场理论和切断近似,研究简立方格子在二模外场作用下键稀疏铁磁混合自旋1／2和1的Blume-Capel模型的磁化．在M-T空间中,重入磁化现象出现在适当的晶场范围内,键稀疏的引入可在两个不同的晶场区出现重入磁化．在M-H空间中,磁化趋于零时临界磁场在整个晶场范围内表现出振荡行为．而键稀疏对这种行为有弱化作用,并导致磁有序区减小．