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Ⅰ.在均匀的磁場中,电子的束縛态是存在的。其本征值是 E_n=(ehH/2πμc)(n+1/2)+(h~2/8π~2μ)k~2, 其中μ为电子貭量,H为磁場强度,n为主量子数,(h~2/8π~2μ)k~2代表沿磁場方向运动的动态。在上述能态間跃迁的电子,能够产生頻率为 v=(E_(n+1)-E_n)/h=eH/2πμc (1) 的輻射。輻射性貭为偶极輻射,单个振子所发射的能 相似文献
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一个v阶Mendelsohn三元系MTS(v)是这样一个序对(X,v),其中的X是一个v元集,A是由X的循环有序3-子集(称为三元组)组成的集合,使得由X中不同元素作成的任一序对恰好包含在唯一的一个三元组中,我们指出三元组(a,b,c)包含序对(a,b),(b,c)与(c,a)而不包含(b,a),(c,b)或(a,c)。 设(X,A)为一个MTS(v),如果(a, 相似文献
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采用密度泛函理论(DFT)探讨了高自旋原儿茶酚3,4-双加氧酶(3,4-PCD)活化底物儿茶酚(PCA)复合物的磁性电子结构特征及电子轨道起源.计算的g-张量表明,从配体到金属电荷转移(LMCT)主要来自于配体PCA和Tyr408的型轨道转移电子到Fed轨道,导致沿x轴方向极化(PCA)或沿y轴方向极化(Tyr408).x和y轴方向的极化要求沿z轴方向,Lz(z=z′),产生较大的自旋轨道耦合(SOC)矩阵元,并且因单中心重原子效应Fe导致gz′=2.0158,即在z方向较大地偏离于ge=2.0023.由于△S=-1自旋翻转激发态混入六重基态,得到较大的零场分裂参数D=+1.147cm-1.SOC计算表明高自旋(S=5/2)基态3,4-PCD-PCA是弱的自旋翻转复合物(SOC=31.56cm-1). 相似文献
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c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一. 相似文献
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在文献[1]和[2]中,我们探讨了一价、二价离子极化率的定量关系,在这里将讨论一价、二价和三价、四价离子极化率统一的规律性我们发现一价、二价和三价、四价离子极化率可用下式求得:式中,a为极化率,r为离子半径,n为离子价数,x为原子的电负性,d为周期数,D_+为正价离子的族数,D_-为负价离子的族数,n_A为较小的离子价数,n_B为较大的离子价数,A=1.8是无量纲常数,x_H=2.1是氢原子的电负性。在这里电负性标度采用的都是Pauling值。 相似文献
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电子和磁单极子的电磁场角动量为对于处于静止情况并视为点粒子的电子和磁单极子,其值为|L|=eg/c,很早就知道了.近来又有一些讨论,在静止情形下,阿达威(Adawi)考虑了电子、磁单极子大小不能忽略, 相似文献
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c轴取向PbTiO_3薄膜的制备与结构分析 总被引:3,自引:3,他引:3
一、引言 钛酸铅PbTiO_3,是一种优良的热释电材料.特别是c轴取向的PbTiO_3薄膜,c轴就是极化轴,热释电系数r约为2.5×10~(-8)C/cm~2·K,热容量小,沿c轴的相对介电常数8_r~6小(约100),热释电品质因素较PbTiO_3,晶体有明显提高.因此有希望成为高性能指数,高灵敏度的传感器材料.目前,人们利用射频磁控溅射法已生长出口轴取向PbTiO_3薄膜. 相似文献
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早在1917年,爱因斯坦证明了在弱场近似并在一定的坐标条件下,真空引力场方程有一波动解,这组解对应一平面引力波,当传播方向为x轴时,波的极化将由yz平面内的二阶对称张量决定,所以相应的引力波是一横波,这个弱场近似的条件是 相似文献
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蛋白质生物大分子在电极上的电子转移过程是生物电化学领域的重要研究课题。电化学家认为以蛋白质-电极之间的电子转移过程模拟生物体中蛋白质-蛋白质之间的电子转移有可能提供某些解释生物体中电子传递机理的信息。细胞色素c(Cyt.c)是一种典型的传递电子的蛋白质,其辅基血红素铁为氧化还原活性中心。 相似文献
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电子转移在有机分子及生物体中有重要意义,是目前最活跃的研究领域之一.关于电子转移的速率理论,目前有Marcus的经典模型、对核运动作量子力学处理的量子力学模型,以及忽略核运动隧道效应而考虑非绝热电子态跃迁的半经典模型.在研究对称双势阱结构图1(a)的电子转移时,有适合于弱偶合的半经典动力学模型.而在外电场中,电子转移反应能垒降低,势能面结构不再是对称结构图1(b),这时,基元步骤为放热反应.当外电场达到某一阈值时,反应能垒完全崩溃,变为如图1(c)所示的无能垒结构.在外电场中考察反应的重组能(E_λ),电子转移矩阵元(V_(AB)),活化能及反应速率常数,对分子电子器件等的研究具有重要意义.本文在谐振模型近似下,建议外电场作用下双势阱结构的半经典模型,计算在外电场作用下共线电子转移O_2O_2~-→O_2~-O_2的透热势能面、过渡态结构参数及反应速率常数. 相似文献
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相对论赝势ab initio研究——KX~-(X=Cl,Br,I)的电子结构 总被引:1,自引:1,他引:0
碱金属卤化物负离子(MX~-)具有非常特殊的电子结构和性质,它也为电子与闭壳层的强偶极分子相互作用提供一个极好的模型。曾有人用静电模型来描述这一相互作用,认为电子是“附着”于偶极分子的正极一端。也有人用极化模型来描述,认为卤素负离子(X~-)使中性的碱金属发生极化。Jordan等人用ab initio方法对比较轻的离子LiF~-,LiCl~-, 相似文献
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弱玻色子在非极化PP或P碰撞中产生及其衰变过程已为许多作者所研究。本文目的是讨论其极化效应。近些年来,基本粒子过程中的极化效应无论在理论上还是实验上,已引起不少作者的兴趣。我们计算了非极化质子与极化质子碰撞产生大横动量玻色子W-过程的不对称度,对P→W-X和πP→W-X中的自旋不对称性进行了讨论。 相似文献
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本文所涉及的图都是有限无向简单图。设G是一个图,用V(G),B和c(G)分别表示G的顶点集、边集和周长,d(u,v)表示u和v间的距离,且设p=|V(G)|。 相似文献
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采用密度泛函理论(DFT) B3LYP/6-31G*方法对5,6,7顶点双取代碳硼烷桥连分子几何构型进行优化, 进一步结合有限场(FF)方法, 计算其二阶NLO系数. 结果表明: 5,6,7顶点双取代碳硼烷桥连分子受推拉电子基的影响, 构型发生一定的变化, 碳硼烷中两个C原子间的距离变长. 碳硼烷中两个C原子取代的位置不同, 影响了分子的稳定性和极化率. 取代基与碳硼烷成键数较低的C原子相连的异构体, 稳定性较好且具有大的极化率. 5,6,7顶点双取代碳硼烷桥连分子形成一维结构, 有利于分子内电荷转移, 同时电荷转移过程中偶极矩变化较大, 对应体系的二阶NLO系数较大. 相似文献