Co-Fe-γFe_2O_3磁粉包复过程的研究

本文通过对Co-Fe-γFe_2O_3磁粉的包复过程进行研究,讨论了外延钴铁氧体包复层中Fe~(2+)离子的作用及对磁性能影响的机理,并发现包复溶液的[OH]~(1-)浓度通过改变外延钴铁氧体包复层中的Fe~(2+)离子量而起作用.文中对钴铁氧体的包复增加了γ-Fe_2O_3矫顽力的机理也进行了探索.     

Li-Mg-Zr系尖晶石型铁氧体的磁性和穆斯堡尔效应研究

用(Zr~(4+)Mg~(2+))离子代换纯锂氧体中的Fe~(3+)离子,得到Li-Mg-zr系列铁氧体复合材料。通过穆斯堡尔效应、x射线衍射和磁性测量等方法,探讨分析了这种复合材料的磁性与微观结构的关系。     

新型NTC热敏电阻材料——Mn基铁氧体的研究

研究了Mn基铁氧体的阻温特性,讨论了过铁含量、Ti~(4+)离子及工艺对Mn基铁氧体电阻率ρ和材料参数B的影响.通过改变铁离子氧化状态、掺杂及淬火工艺、改变Mn基铁氧体的整体电阻率ρ和材料参数B.     

BaM六角铁氧体的磁晶各向异性

本文半经验地得到了Fe~(3+)自由离子及其络离子系统的径向波函数R_3d(r),解释了3d电子的电子云延伸效应。并根据晶场理论用点电荷模型和高阶微扰近似,计算了BaM六角铁氧体2b晶座Fe~(3+)的单离子各向异性。计算结果与实验符合得很好。     

Co掺杂对共沉淀法制备Co-Ni铁氧体纳米颗粒结构及磁性能影响研究

利用共沉淀法成功地合成了(x=0、0.2、0.2、0.4和0.8)纳米颗粒并进行了退火处理.对样品进行了XRD、FT-IR、TG-DSC和VSM等表征.结果显示,样品前驱体中存在少量的杂质如吸收水和硝酸盐,退火处理是获得单相和高度结晶Co-Ni尖晶石铁氧体的必备条件.所有退火样品均是单相立方尖晶石结构纳米晶粒,其平均尺寸在40~60 nm的范围.晶格常数随着Co掺杂含量增加而增加.比表面积测试显示Co掺杂量的增加在一定程度上减少了样品的表面体积比,有利于CoNi铁氧体的晶粒生长.样品饱和磁化(Ms)和矫顽力(Hc)与钴掺杂量密切相关.Ms值从37.5 emu/g(x=0)增加到62.0 emu/g(x=0.8),这是由于较高的掺杂Co~(2+)阳离子磁矩的增强导致A和B亚晶格之间的超交换相互作用增强.矫顽力Hc的大小从73.0 Oe(x=0)到558.3 Oe(x=0.8),这主要是由于掺杂Co~(2+)阳离子具有比Ni~(2+)阳离子更大的磁晶各向异性常数.     

分光光度计法测定石榴石铁氧体中铋离子含量

利用碘化钾分光光度法测定Bi的标准曲线,并用以分析溶胶-凝胶法制备得到Bi_(0.7)Y_(2.0)Ca_(0.3)Zr_(0.3)Fe_(4.7)O_(12)石榴石纳米颗粒的Bi~(3+)含量.实验表明,当钇铁石榴石样品的煅烧温度越高时,Bi~(3+)的损失量越大.当煅烧温度为700℃以下时,Bi~(3+)损失量在3%以内,当煅烧温度分别为800、900℃和1 000℃时,Bi~(3+)的损失量为4.53%,9.74%和17.73%.Bi~(3+)的损失量与煅烧温度满足高斯变化规律,该结果可为石榴石铁氧体中Bi~(3+)含量提供依据.     

Co_xFe_(3-x)O_4/SiO_2纳米复合材料结构和磁性

采用溶胶—凝胶法制备了不同Co~(2+)含量的Co_xFe_(3-x)O_4/SiO_2(x=0.8,1.0,1.2)纳米复合材料.利用X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对复合材料的结构和磁性进行测试,分析了Co2+含量和热处理温度对复合材料结构和磁性能的影响.XRD测试表明,经700℃热处理后复合材料中形成尖晶石结构的Co_xFe_(3-x)O_4铁氧体.随着热处理温度的升高,复合材料中Co_xFe_(3-x)O_4的晶粒尺寸和晶格常数逐渐增大,同时晶格常数随Co~(2+)含量增加而增大.磁性测试表明,样品的饱和磁化强度和矫顽力随热处理温度的升高而增大,而且与Co~(2+)含量变化相关.经1 100℃热处理后Co_(0.8)Fe_(2.2)O_4/SiO_2的矫顽力为3 383 Oe,是性能优异的磁记录材料.     

有机质对河流沉积物吸附重金属的影响研究

研究了去除有机质前后河流沉积物(CK、QC)对重金属Cu~(2+)、Cd~(2+)、Zn~(2+)的吸附行为影响.结果表明,沉积物对Cu~(2+)、Cd~(2+)、Zn~(2+)的吸附量均随着加入重金属浓度的增加而增加;去除有机质后,河流沉积物对Cu~(2+)、Cd~(2+)、Zn~(2+)的理论最大吸附量较原河流沉积物理论最大吸附量分别降低了36.60%、16.58%和25.52%;沉积物对Cu~(2+)、Cd~(2+)、Zn~(2+)的吸附过程适用Langmuir方程和Freundlich方程描述(P0.001);有机质的去除,可导致沉积物对Cu~(2+)、Cd~(2+)、Zn~(2+)的吸附率下降;伪二级动力学方程可适合用来描述Cu~(2+)、Cd~(2+)、Zn~(2+)在沉积物上的吸附过程(P0.01),表明以化学吸附为主.原沉积物CK对重金属离子的吸附能力为Cu~(2+)Zn~(2+)Cd~(2+),去除有机质后沉积物对重金属的吸附能力降低.     

四种过渡金属对DNA稳定性影响的研究

本文用紫外光谱法研究了 Fe~(3+)、Co~(2+)、Ni~(2+)、Zn~(2+)四种过渡金属对 DNA 稳定性影响及与 DNA配位方式,结果表明 Fe~(3+)、Co~(3+)有稳定 DNA 的作用,Zn~(2+)、Ni~(2+)使 DNA 稳定性降低.     

新型氨基二硫代甲酸盐螯合树脂的合成及其吸附性能研究

用新型大孔球状聚氯乙烯为骨架的多乙烯多胺树脂与二硫化碳反应,合成了氨基二硫代甲酸盐螫合树脂,并研究了这类螫合树脂对Au~(3+)、Ag~+、Hg~(2+)、CU~(2+)、Zn~(2+)、Pb~(2+)、Cd~(2+)的吸附性能。结果表明,此类螯合树脂对Au~(3+)、Ag~+,Hg~(2+)的吸附容量较高(Ag~+、Au~(3+)的吸附率分别达98.3％和98.9％),对Cu~(2+)、Zn~(2+)、Pb~(2+)、Cd~(2+)的吸附容量较低。对贵金属具有较好的选择性,能分别从Au~(3+)、Cu~(2+)、Pb~(2+)、Cd~(2+)的混合离子和Ag~+、Zn~(2+)、Pb~(2+)、Cd~(2+)的混合离子中定量地吸附Au~(3+),Ag~+,而不吸附其它离子,对Au~(3+)的动态吸附率达98.8％。     

溅射铝对热压Mn—Zn铁氧体性能的影响

用磁控溅射的方法,研究在热压Mn—Zn铁氧体上溅射铝后,不仅铁氧体磁性能得到改善,而且发现在铁氧体表面形成了一层厚约20μm的优良的软磁性磁层。     

A3钢基体磁控溅射离子镀铝膜的物相分析

本文应用 Ｘ射线衍射分析和电子衍射分析研究了Ａ３钢基体磁控溅射离子镀铝 膜的相组成，结果表明，膜的相组成主要是基板负偏压所决定的。文中论述了正离子 对基板的溅射作用所引起的靶材原子和基板（基体）原子在基板上共同沉积的成膜机 理。     

Structural and magnetic properties of ZnFe2O4 films deposited by low sputtering power

To validate the correctness of the Hartman-Perdok Theory (HPT), which indicates that the {111} planes have the lowest surface energy in spinel ferrites, the {111} plane orientated ZnFe₂O₄ thin films on Si(100), Si(111), and SiO₂(500 nm)/Si(111) substrates were obtained through a radio frequency (RF) magnetron sputtering method with a low sputtering power of 80 W. All of the experiments prove that the atom energy determined by sputtering power plays an important role in the orientated growth of the ZnFe₂O₄ thin films, and it matches well with HPT. The ZnFe₂O₄ thin films exhibit ferromagnetism with a magnetization of 84.25 kJ/mol at room temperature, which is different from the bulk counterpart (antiferromagnetic as usual). The ZnFe₂O₄ thin films can be used as high-quality oriented inducing buffer layers for other spinel (Ni, Mn)Zn ferrite thin films and may have high potential in magnetic thin films-based devices.     

PET基纳米ZnO膜的溅射沉积及AFM表征

在纺织材料表面进行ZnO镀层处理,能赋予聚合物纤维表面以特殊的光电功能.利用磁控溅射法在PET非织造布表面制备出颗粒均匀、细致、稳定的纳米ZnO薄膜.利用原子力显微镜(AFM)对不同参数下制备的ZnO薄膜表面形貌进行表征,分析了不同溅射加工条件对ZnO薄膜表面形态的影响.     

退火温度对MnZn铁氧体薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在Si(111)基片上沉积了MnZn铁氧体薄膜,用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的物相结构,用振动样品磁强计(VSM)测量薄膜面内饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc。结果表明:随着退火温度的升高,MnZn铁氧体薄膜的X射线衍射峰强度逐渐增强,且主峰逐渐由(311)峰变为(222)峰,沿(111)面取向生长明显。薄膜的饱和磁化强度和矫顽力均随着退火温度的升高而升高。     

Electrochemical Behaviour of Sputtering Deposited DLC Films

Diamondlike carbon (DLC) films were deposited via magnetron sputtering process. The energetic ion bombardment on the surface of growing film is one of the major parameters that control the atom mobility on the film surface and further the physical and chemical characteristics of the films. In this study, the energy of carbon ions was monitored by changing sputtering power density, and its effect on the electrochemical performance of the films was investigated. For the deposition at a higher sputtering power density, a higher sp3 content in the DLC films was achieved with denser structure and increased film-substrate adhesion. The impedance at the interface of Si substrate/sulfuric acid solution was significantly enhanced, and at the same time higher film resistance, lower capacitance, higher breakdown potential and longer breakdown time were observed, which were related to the significant sp3 content of the DLC films.     

V型沟槽Si衬底上SrTiO_3薄膜制备

在单晶Si(100)衬底以及经过改型处理的侧壁为Si(110)"V"型沟槽衬底上,分别采用液相沉积(LPD)和射频磁控溅射法(RF magnetron sputtering)制备了SrTiO3(STO)薄膜.通过对沉积溶液的温度、衬底的表面处理方法、衬底的放置方式以及热处理工艺的优化,研究了利用LPD法制备具有较为致密均匀的STO薄膜的条件;通过对溅射功率、溅射气压、衬底温度以及退火温度等具体参数的优化,研究了利用射频磁控溅射法在较低的衬底温度下制备具有一定取向的STO薄膜的条件.结果表明,射频磁控溅射法制备的STO薄膜在结晶状态、择优取向和表面形貌优于液相沉积.     

磁控溅射法制备PET基纳米TiO_2抗菌薄膜的研究

利用磁控反应溅射法在PET基底上制备了纳米TiO2 抗菌薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对制得的溅射膜的微观形貌进行了表征 ,发现采用磁控溅射法在很短的时间内即可在基底上得到一层致密均匀的由纳米粒子组成的薄膜。采用光 -氧抗菌实验方法 ,研究了溅射薄膜的抗菌性能。实验结果表明溅射后的薄膜比未溅射样品具有明显的抗菌性能     

NiFe2O4铁氧体薄膜溅射产额的蒙特卡罗模拟

通过蒙特卡罗方法,运用SRIM程序,模拟了Ar+轰击NiFe2O4铁氧体靶材的过程,研究了不同入射能量及角度Ar+轰击NiFe2O4靶材引起的溅射产额。结果表明:离子垂直入射时NiFe2O4中各元素的溅射产额和出射原子能量都随入射离子能量的增大而增大;各元素产额的比率在低能离子入射时,变化较大,但能在较大的入射离子能量范围内保持相对稳定的值;离子斜入射时,随着入射离子角度增加,各元素的溅射产额先增大,后减小,并在77°左右达到最大值;离子入射角度变化时,并不严重影响各元素之间产额的比率,且组分比率能在较大的离子入射角度范围内保持相对稳定的值。     

射频磁控溅射制备SiO2防离子反馈膜工艺探讨

利用射频磁控溅射方法,在微通道板输入面上做出了性能满足使用要求的SiO2防离子反馈膜。对防离子反馈膜进行了理论分析,对所制备的SiO2防离子反馈膜进行了电子透过率测试。