数字程控放大器设计与应用

在自动控制系统或智能仪器中 ,如果测量信号的范围比较大 ,为保证必要的测量精度 ,经常采取改变量程的办法。当改变量程时测量放大器的增益也相应地加以改变。这种变化通常是自动进行 ,即不需要人为的改变电路连接 ,而是通过软件实现放大器增益的改变。这样可以实现仪器量程的自动切换。另外 ,通过改变增益的方法使系统功能增强 ,在核测量中 ,稳谱的方法之一就是改变输入信号的放大倍数。这就需要用到数字控制放大器 ,并针对核仪器要解决的具体问题要求放大器的放大倍数在一定范围内变化 ,并且放大倍数调节要求精细。该文提供了这种数控放大的一种设计方案 ,它的放大倍数范围为 9～ 9.999,其倍数的调节步长为 0 .0 0 1倍。     

视频放大器高频补偿电路的电阻调节特性

作者在“视频放大器里高频补偿电路的一种调节方法一文中曾提出,在并联补偿电感上加分路电阻可以减弱电路的振荡性,而不影响放大级的放大倍数,以及输出信号在起始点的陡度。同时,当原补偿电路的Q~2值为一定时,可以改变“调节参量”r/R(R是放大     

基于集成电路的多种波形发生器设计一例

本文介绍了一种基于集成电路的多种波形发生器的设计方法。将周期性变化的连续信号经过采样、编码后获得相应的波代码,波代码存放到EPROM存储器中,一片EPROM存储器可以存储多种波形的波代码。利用波形选择电路,选择某种波形的波代码输出,经D/A转换器和放大器输出连续变化的模拟信号。电路中通过改变存储器输出波代码的速度来调节输出信号的频率,改变放大器的放大倍数来调节输出信号的幅值。     

基于AD8065和TH4052的宽带前置放大电路设计与实现

本文介绍了一款基于AD8065和TH4052两个运算放大器来实现多个放大倍数的宽带前置放大电路，可以对1伏或5伏的大信号（带宽不低于DC-10MHz）进行一定倍数的放大或衰减，在一定带宽范围内，放大或衰减小信号．对于信号的放大或衰减的倍数可以方便调节。设计新颖，方便实用。     

高精密放大器的设计

着重讨论高精密放大器的系统构成及主要性能指标.它主要用于对称重传感器输出的微弱直流信号进行放大,并在一定范围可以调节放大倍数使该信号能够匹配模/数(A/D)转换器的标准信号范围.另外,当称重传感器空载或者加载容器时它都可以实现输出归零,同时当系统连续工作积累的漂移过大时它也可以使输出归零.     

用隧道二极管组成的快符合电路

一、绪言 在核幅射测量中,有些同位素能量很低(~3H只有5.6Kev)采用一般的脉冲幅度甄别的方法是很困难的。因为它通过探测元件时所能产生的光电信号很弱,而作为探头的主要元件光电倍增管(其放大倍数K=10~7～10~8),在高压下工作的噪声水平却远大于被测的信号,因此不能用幅度甄别的方法来消除噪声对本底的干扰而取出有用的测量信号(如~3H、~(14)C等产生的脉冲信号)。为此目前世界上广泛采采用一种双管符合型线路,其基本原理     

集成运算放大器的零漂特性研究

为改进抑制零点漂移的技术,提出了利用一种新型的器件CBT来抑制零点漂移的方法,分析了CBT的电流增益在一定范围内基本上不随温度和工作电流变化的机理,给出了输出特性曲线与基区沟道宽度、时间及温度的关系。测试结果表明：改进后的集成运算放大器的失调电流随温度变化显著减小。输出特性曲线基本不随温度变化。该器件主要应用于军事及航天领域中的精密仪器及仪表中。     

放大和收窄量子波导中的声学声子输运和热导率

运用散射矩阵方法,研究了在低温下量子波导宽度变化和长度L的变化对声学声子输运系数的影响.数值结果表明：当介电量子波导的宽度变化不大时,声学声子透射系数几乎不随宽度变化长度L的变化而变化;当介电量子波导的宽度变化比较大时,声学声子透射系数随长度L的增大而增大;当温度很低时,介电量子波导的宽度变化对热导率几乎没有影响,当温度升高时,热导率随长度L的增大而增大.     

含铌低硅TRIP钢板烘烤硬化行为分析

模拟汽车板的烘烤工艺,研究了预变形量、烘烤温度和烘烤时间等对含铌低硅TRIP钢板组织和性能的影响,探讨了TRIP钢的烘烤硬化机理。结果表明,当预变形量小于4%时,烘烤硬化值随预变形量增大而增加,预变形量大于4%时反而降低了烘烤硬化效应;当烘烤温度低于170℃时,随烘烤温度的上升,烘烤硬化值明显增加,当烘烤温度高于170℃时,烘烤温度对烘烤硬化值影响不大;当烘烤时间在20min以内时,随烘烤时间的延长,烘烤硬化值显著增加,烘烤时间超过20min时,烘烤硬化值随烘烤时间的延长反而有所降低。通过对TRIP钢的烘烤硬化机理分析,建立了烘烤硬化值变化模型:ΔYBH=ΔYγ+ΔYb+ΔYγc+ΔYdp+ΔYc,其中沉淀析出碳氮化物数量和Cottrell气团数目变化引起的ΔYdp+ΔYc对烘烤硬化值变化影响相对显著。     

GaN基带电粒子探测器能谱测量的改进研究

分析了GaN和Si两种不同探测器的电荷灵敏前置放大器增益,修正了GaN基带电粒子探测器能谱的放大倍数。利用~(241)Am和~(239)Pu两种α粒子源标定了能量与道指的关系,获得了能量刻度曲线方程。根据标定的曲线方程,测量了修正前后的GaN基pin探测器~(241)Am源的能谱。修正后的测量结果表明,当反向偏压为-10 V时,5.48 MeV的~(241)Am源在GaN基pin探测器里沉积的能量约为620 keV。     

模糊数学方法在γ能谱同一性识别中的应用

传统的γ能谱同一性分析方法较为繁琐。提出了较为简单的基于模糊数学的同一性分析方法。首先对原始的能谱数据进行处理,得到其中全能峰的峰位值,再通过计算2条或多条γ能谱全能峰峰位值之间的贴近度来判断它们之间是否具有同一性。试验结果表明,该方法对于重复测量、不同测量时间和不同测量距离条件下的γ能谱具有较好的同一性判定结论。     

中子活化分析中煤样厚度及探测器位置的选择

利用MCNP5程序包模拟14MeV脉冲中子照射一定厚度煤样,并通过时间控制获得非弹γ能谱和俘获γ能谱,再利用计数率的高低确定γ能谱的获取位置.结果表明:当煤样厚度为20cm时,非弹γ能谱的计数率达到饱和;当煤样厚度为35cm时,俘获γ能谱的计数率达到饱和.     

射极跟随器的辅助放大作用

射极跟随器输入电阻很高、输出电阻很低，使得其用途非常广泛。本文就射极跟随器作输入级和输出级时，对主放大器的电压放大倍数的影响，作出简单的剖析。     

对负反馈放大器的再认识

我们知道引入负反馈后,放大电路的性能得到了改善,负反馈放大器的闭环增益A_f与开环增益A之间的关系是:A_f=A/(1 AF),也就是说引入负反馈后,其增益(传输函数)值下降了,其中A_f=x_0/x_i,A=x_0/x_di,F=x_f/x_0,而x_i,x_di,x_0,x_f,分别为放大器的原输入信号,净输入信号,输出信号和反馈信号,那么,在4种基本类型的负反馈放大器中,每种类型其电压放大倍数和电流放大倍数的求解是否有规律可循,怎样求解,它们之间的关系如何?怎样理解负反馈放大器对输入、输出电阻的影响?本文试对这些问题作一探讨和总结。     

隧道二极管快符合电路

本文介绍一种隧道二极管快速成形和符合电路。利用该电路直接对由菧晶体配合的光电倍增管ФЭУ-33的输出进行了低阈快速成形和符合。实验结果表明,在效率为100%的情况下,符合曲线的半宽度不大于2毫微秒。     

穿通增强型硅光电晶体管的结构及参数优化

为克服各种常用光电探测器件的缺点, 对穿通增强型硅光电晶体管进行了结构优化和参数优化。将窄基区穿通晶体管仅在一侧与宽基区光电晶体管复合的传统结构, 改进为窄基区穿通晶体管在中间, 两侧各复合一个长度减半的宽基区光电晶体管。同时, 对不同窄基区宽度下的暗电流、 光生电流及光电响应率等随偏压变化的电学性能和光电转换特性进行仿真, 得到窄基区宽度最优参数。然后对优化后的器件在不同光强下的光生电流和光电响应率随偏压的变化进行了仿真, 分析了器件在不同光强下的响应特性。结果表明, 当窄基区宽度为0.6 μm时, 器件性能折中达到最优, 在0.5 V偏压下, 器件暗电流仅为1 μA;入射光功率密度为10^-7 W/cm²时, 器件响应率高达4×10⁶ A/W。     

大曲率主管的圆钢管X型节点轴压承载力研究

为研究大曲率主管的圆钢管X型节点轴压性能,采用数值模拟方法对96个不同支、主管外径比β、主管径厚比2γ和主管曲率半径R的圆钢管节点进行有限元参数分析。有限元参数分析结果表明:支、主管外径比β对节点的破坏模式影响较大;曲率半径R对节点破坏模式影响较小。小β值节点主管出现局部凹陷之后产生一定薄膜效应导致承载力出现一定回升;大β值节点试件主管仅出现椭圆化变形无承载力回升现象。当β=0.8时,随着曲率变化节点极限承载力变化较小。当β=0.2、0.4和0.6时,主管曲率半径大于12倍主管直径时,极限承载力变化较小;主管曲率半径小于12倍主管直径时,极限承载力随曲率增大而有所提高。对于相同的主管径厚比2γ,主管曲率半径大于12倍主管直径时,极限承载力变化较小;主管曲率半径小于12倍主管直径时,极限承载力随曲率增大而有所提高。在欧洲钢结构规范(Eurocode3 Design of Steel Structures)中的主管平直的圆钢管X型节点极限承载力计算公式的基础上,采用乘以修正系数的方式拟合出大曲率主管的圆钢管X型节点轴压承载力计算公式,为该类节点的设计提供参考。     

基于LED的LaBr_3:Ce~(3+)闪烁γ谱仪稳谱技术研究

针对基于LED的LaBr_3:Ce~(3+)闪烁γ谱仪稳谱技术进行研究,介绍了稳谱原理,搭建了硬件测量系统,利用计算机编程控制,通过标定保持待测能区不变时参考峰位随温度变化曲线,达到了非线性稳谱目的,实测稳谱效果在温度0~50℃变化时偏离不超过±1道.     

高频溅射α-Si:F,H薄膜光电导的实验与计算

通过对射频溅射RF a-Si:F,H薄膜样品光电导随入射光的波长、光强以及温度变化的测量,定量地考察了带隙、带尾态的宽度和带隙中悬键态密度与氟含量的关系,给出了氟原子在网络中一种可能的分布形式。按照Rose模型,计算了电光导随温度的变化关系,给出了局域态分布的位置、高度、宽度以及俘获截面等参量,理论计算与实验符合较好。     

风室试验中轴对称排气引射-混合器的引射特性

建立了大尺度引射进气风室试验装置,以精确测量排气引射-混合器的引射流量,采用辅助风机补风以调整并逼近实际引射进口压力,从而提高了引射流量的测量精度,采用3种直径的混合管对轴对称排气引射-混合器的引射流量特性进行对比研究,并结合射流理论对其流动状态加以分析.结果表明:在主流喷管直径一定而混合管直径(D2)不同的条件下,混合管内的流动状态有所不同;当D2=250 mm时,混合管内的流动为过度发展状态,随着主喷管与混合管间距离(a)增大,射流半厚度经扩展后过早附着在混合管壁,其引射系数和引射流量随a值增加而增大,当增至最大值后逐渐减小,随着主流流量的增加,引射流量增大而引射系数变化不大;当D2=300 mm时,混合管内的流动为充分发展状态,随着a值增大,射流半厚度经扩展后在a=300 mm时恰好在混合管出口处附着于混合管壁,其引射系数和引射流量随a值的增幅逐渐变缓;当D2=350 mm时,混合管内的流动为欠发展状态,随着a值增大,射流半厚度经扩展后在混合管出口处仍未附着于混合管壁,引射系数和引射流量随a值增加而增大.