粉末溅射SnO2:Pt薄膜及SnO2/SnO2:Pt薄膜电导在CO中的振荡现象

采用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2 :Pt薄膜和SnO2 /SnO2 :Pt双层膜 .这两种薄膜材料不仅对CO气体有很高的灵敏度 ,良好的选择性和较低的工作温度 ,而且其电导在CO气体中均出现了振荡现象 .本文分析了电导振荡温区、振幅和频率与CO气体浓度及膜厚的关系 ,介绍了其振荡特性并对有关问题进行了讨论     

钼钨纳米合金膜的制备及其微结构研究

利用羰基金属气相沉积方法，在Al2O3陶瓷基片上，以Mo(CO)6 W(CO)6为源，制备了Mo-W纳米合金晶膜.采用XRD和SEM技术，并与相同条件制备的Mo膜比较，研究了Mo-W合金晶膜的微结构．结果表明：该法制备的薄膜是以纳米粒子状态存在、具有超微结构的多晶膜材料．     

TiO2薄膜的半导体和气敏特性

溶胶-凝胶法制备了添加聚乙二醇和Al3 的TiO2薄膜,研究了薄膜的半导体特性和气敏性.添加聚乙二醇使TiO2薄膜的荧光发射峰从未添加的650 nm蓝移至600 nm处.添加聚乙二醇(相对分子质量2000)2.0 g/100mL的TiO2薄膜在还原性气氛中电阻值增大,在350℃下薄膜对1.0×10-3(体积分数)CO的灵敏度约为3.4;进而掺杂离子半径较小的Al3 ,能够提高薄膜对CO的气敏性:在350℃时添加聚乙二醇且Al3 摩尔分数为50/0、100/0的薄膜对1.0×10-3(体积分数)CO的灵敏度分别为5.0和20.4.X射线光电子能谱表征说明,由于Al3 的晶格替代和氧间隙原子使添加有聚乙二醇和Al3 的TiO2薄膜产生以空穴为主的传导机制,表现出P型半导体特性.该研究结果对于研发TiO基的气敏传感器、新型太阳能电池具有重要意义.     

TiO2薄膜光催化氧化降解苯的研究

用溶胶-凝胶法制备出薄膜型TiO2催化剂,利用XRD,Raman,SEM和UV-Vis等手段对催化剂进行表征,并考察了光催化降解苯的活性和降解主要产物CO,CO2的生成速率．结果表明,制得的薄膜型TiO2颗粒均匀致密,平均粒径为30～40nm,550℃焙烧后全部晶化为锐钛矿晶型．苯的降解反应表明TiO2膜的厚度对催化剂活性有显著影响,薄膜的最佳厚度为480nm,在180min时苯降解率达91.5％,CO和CO2的生成反应属于表观零级反应．同时还对反应动力学及反应机理作了初步探索．     

应用化学溶液沉积法制备薄膜

本文介绍应用化学溶液沉积法制备超导薄膜的方法．原则上应用这种方法可以广泛制备诸如氧化物铁电薄膜、氧化物介质薄膜、半导体薄膜、金属化合物薄膜等各类薄膜，广泛应用于科研和生产中．其方法成本低廉、工艺简单、制备周期短、且可在较低温度下成相，是一种制备薄膜的好方法．这里从理论与实践的结合上给以论述．     

微波等离子体CVD方法制备金刚石薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积方法分别在CH4／H2，CO／H2和（CH4＋CO）／H2气体体系下合成了金刚石薄膜．结果表明，所合成的金刚石薄膜具有明显的柱状生长特性和较高的品质，（CH4＋CO）／H2体系合成的金刚石薄膜具有较高的生长速率和（100）晶面定向生长的特性．     

连续片状纳米TiO2薄膜的制备和表征

采用溶胶-凝胶法，通过在制备过程中加入丙烯酸对纳米TiO2胶体颗粒进行表面修饰以及加入引发剂偶氮双异丁腈(AIBN)引发丙烯酸聚合，利用提拉法在载玻片表面制备了纳米TiO2薄膜；采用热分析仪考察了纳米TiO2胶体颗粒中有机物的热解行为，并用X射线衍射仪测定了经不同温度下焙烧后的纳米TiO2粉体的晶体结构；采用原子力显微镜和透射电子显微镜观察分析了薄膜的微观结构；在对不同制备条件下制备的纳米。TiO2干胶进行红外光谱分析的基础上，初步考察了薄膜成膜机理，结果表明，所制备的TiO2薄膜经400℃烧结处理后形成连续、片状、由粒径为6-8nm的纳米TiO2组成的薄膜材料。     

羰基金属气相沉积工艺条件及膜结构研究

在Al2O3陶瓷基片上以Mo（CO）6为源采用低压冷壁式设备和金属有机气相沉积（MOCVD）方法制备Mo2C薄膜,探讨了该薄膜结构受温度、压力和沉积速率等工艺因素影响的关系．     

真空蒸发法制备聚酯衬底ITO透时导电膜及其光电特性

采用真空反应蒸发技术，在聚酯薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性及制备条件薄膜性能的影响进行了研究。     

溅射法制备ZnS∶Er~(3 )薄膜的微结构研究

利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术，研究薄膜微结构，发现薄膜中多晶沉积有择优取向趋势，掺杂的铒有表面集聚现象，这将对薄膜的激发态产生影响．     

Mo原子表面扩散激活能的计算及Mo2C膜成膜机理

应用Ｃｏｌｌｉｎｓ模型,计算了Ｍｏ原子表面扩散激活能。根据实验结果,论证了如下结论：在制备Ｍｏ２Ｃ膜的过程中,Ｍｏ（ＣＯ）６的变化遵从先被基底吸附,发生相变再进行级联式分解的两步机制;其成膜过程是Ｍｏ（ＣＯ）６先分解,再由Ｍｏ碳化为Ｍｏ２Ｃ成膜。用Ｇｉｂｂｓ函数最小的原理,探讨了成膜的适宜温度。     

Electrochemical preparation and abnormal infrared effects of nanostructured Ni thin film

Nanometer-scale thin film of Ni supported on glassy carbon (nm-Ni/GC) was prepared by electrochemical deposition through cyclic voltammetry (CV). The properties of nm-Ni/GC were studied by electrochemical in situ FTIR reflection spectroscopy using CO adsorption as probe reaction. It has revealed that the nm-Ni/GC exhibits almormal infrared effects (AIREs). The study has extended the inves-tigation of the AIREs that we have discovered initially on nanostructured film materials of platinum group metals and alloys to nanostructured film materials of iron group metals.     

铒近红外发光的瞬态特性

报道了用分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光的瞬态特性,首次运用多段式指数衰减公式与高斯函数复合,描述薄膜发光的瞬态过程,理论结果与实验数据十分接近,证实薄膜的定域能级对器件的弛豫发光产生了影响．     

Abnormal infrared effects of nanometer scale thin film material of PtPd alloy in CO adsorption

Nanometer scale thin film material of PtPd alloy supported on glassy carbon (nm-PtPd/GC) was prepared by the electrochemical codeposition method under cyclic voltammetric conditions. STM patterns demonstrated that the prepared thin films are composed of layered crystallites in elliptic form. Electrochemical in situ FTIRS studies explored the abnormal infrared effects (AIREs) of nm- PtPd/GC for CO adsorption, which are (ⅰ) the remarkable enhancement of IR absorption, (ⅱ) the inversion of CO_ad band direction, and (ⅲ) notable increase in the full width at half maximum (FWHM) of CO_ad bands. The results demonstrated also that the enhancement factor of IR absorption varies with the thickness of PtPd alloy film and has reached a maximum value of 38.3 under the experimental conditions.     

Binder-free heterostructure(g-C_3N_4/PPy) based thin film on semi-flexible nickel foam via hybrid spray technique for energy storage application

A semi-flexible binder-free graphitic carbon nitride(g-C_3N_4) intercalated polypyrrole(PPy) nanocomposite thin film was prepared via hybrid electrospray technique. A homogeneous thin film was achieved by the controlled spray process. A deposited thin film illustrated the amorphous nature of composite with high surface purity and good chemical composition. The surface analysis confirmed the smoother surface with well-defined distinct phases of g-C_3N_4 and PPy matrix in the composite thin film. The electrochemical studies exhibited that a maximum areal capacity of the thin film was achieved to be 289.6 mF/cm~2 at a current density of 0.4 mA/cm~2,which is higher than that of pristine PPy(194.8 mF/cm~2). The heterostructure electrode illustrated that the life cycles of 99% could be up to 10,000 cycles with low resistance due to the synergetic effect of g-C_3N_4 and PPy matrix with strong material adhesion(hybrid spray process) on the surface. A binder-free heterostructure thin film will play a significant role in the energy storage application.     

面向心血管应用的电子束蒸发氧化钛薄膜的特性——润湿性与血液相容性

用电子束蒸发的方法在钛盘上沉积氧化钛薄膜以检验其在心血管支架方面的应用.用接触角仪测定水滴在所制备氧化钛薄膜表面的接触角,随着沉积过程中氧气流量的增加,薄膜的接触角不断降低,经过热处理后薄膜的亲水性得到了增强.通过观察猪主动脉平滑肌细胞(PASMC)在样品表面的生长行为,研究薄膜的结构与细胞活性的关系.结果表明,覆有薄膜的钛盘具有更好的生物相容性,而沉积后的热处理能够进一步改善氧化钛薄膜的生物相容性.通过观察血小板的吸附行为研究薄膜的血液相容性,发现在所制备的氧化钛薄膜上吸附了极少的血小板.研究结果表明,用电子束蒸发制备的氧化钛薄膜能够用于心血管支架的表面改性.     

金属彩光云母铁珠光颜料的制备

以云母为基材，用液相沉积法在其表面包膜透明氧化铁薄膜，控制反应条件，制得高性能的古铜、红棕、酒红、紫红等金属彩光云母铁珠光颜料，探讨了影响包膜氧化铁薄膜的各种因素，获得最佳工艺参数。     

旋涂法制备二氧化钛纳米薄膜的光催化性能研究

采用溶胶-凝胶法和旋涂法在普通玻片上制备了具有锐钛矿相结构的TiO2纳米薄膜,系统研究了退火时间对薄膜中TiO2纳米晶粒的尺寸和TiO2薄膜光催化效率的影响。结果表明,随着退火时间的增加,薄膜中TiO2纳米晶粒的尺寸增加,但TiO2薄膜的光催化效率降低。据此从理论上分析了引起上述实验现象的物理机制。     

ISG法制备钙钛矿纳米陶瓷薄膜

采用ＥＳＧ法合成钙钛矿稀土复合氧化物ＬａＭＯ３（Ｍｘ为Ｎｉ＾３＋、Ｃｏ＾３＋或Ｆｅ＾３＋）纳米陶瓷薄膜，研究了ｐＨ值对柠檬酸与Ｌａ＾３＋和Ｍ离子络合的影响及 合方式对形成ＬａＭＯ３的作用，发现ＬａＭＯ３前驱体凝胶膜对形成陶瓷薄膜有很大影响，慢的干燥速度、预处理温度与烧成温度，慢的干燥速度、预处理温度与烧成温度均有利于形成良好的陶瓷薄膜。     

用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量

以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层．为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量．借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征．结果表明：区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高．