转换效率达20%的混合式太阳能电池

最近,日本三洋电机公司开发出一种转换效率高达20％的太阳能电池,打破了迄今保持的18.7％的最高记录,这是一种把性质不同的硅面接而成的混合式太阳电池,面接温度低于200℃,制法简单,成本低廉。 太阳能电池通常采用N型半导体和P型半导体制成,接受太阳光照射后,半导体出现电子(负电荷)和空穴(正电荷),在P型和N型的接面上,负电荷移向N型半导体,正电荷移向P型半导体。由于接面具单向性,故电子和空穴一旦强行通过接面就不能返回。于是,两种半导体中蓄有不同电荷,产生电压差。双双接以导线,电子从N型流向P型;空穴从P型流向N型,从而产生电流。太阳能电池常用的半导体是硅半导体。硅太阳能电池有单晶、多晶的晶态和非晶态之分。单晶系硅太阳能电池转换效率较高,比非晶系(8％～10％)高1倍左     

热传导型半导体瞬态问题配置方法的H1模估计

热传导型半导体瞬态问题的数学模型是一类非线性偏微分方程的初边值问题。电子位热方程是椭圆型的，电子、空穴浓度方程及热传导方程是抛物型的。本文给出求解的配置方法，并得到最优H^1模误差估计。     

求解p型半导体霍尔系数极值的新方法

本文取用新的方法,求解在过渡温度范围下p型半导体霍尔系数的极值,导出了与过去理论中的结论有所不同的极值表示式,并在新的表示式中引入了一个霍尔极值因数r_(Hm).本文还指明了应用有关结论来测定半导体中电子与空穴迁移率之比值的新途径.     

贝尔实验室的半导体研究

本文叙述了贝尔实验室有关半导体理论和实验研究的工作，涉及到晶体管效应发现，输运和散射理论，半导体光谱学，深能级研究和电子－空穴液的内容。     

空穴的本质阐释--澄清一些电子学教材对空穴概念的不确切含义

文章系统地阐述了晶体中电子运动的性质，绝缘体、导体和半导体的区别。在此基础上澄清了一些电子学教材中不明确的空穴概念。     

基于InAs／GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态

基于InAs／GaSb的二类、断带半导体异质结构由于其特殊的能带结构和独特的光电性质而备受关注。主要研究了基于InAs／GaSb的二类、断带半导体量子阱（AlSb／InAs／GaSb／AlSb）中电子和空穴的波函数和能级。通过直接求解有效质量近似下的Schrodinger方程得到电子（空穴）沿生长方向的能级和波函数，研究发现：电子和空穴的波函数在材料层的交界面上有一定程度的耦合，所以该系统可以在新型光电器件方面有重要的应用。     

组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响

针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面。模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.     

晶体中电子的行为与空穴概念的引入

本论述通过一个例子—分析P型半导体在磁场中的霍尔效应,提出＂空穴＂概念的准确理解问题。利用量子物理学理论分析了晶体中电子的行为,得出了＂晶体电子＂与自由电子行为不同的结论,进而引出＂空穴＂概念的准确定义并对引入＂空穴＂概念的必要性做出了说明。     

应用光伏方法测定P型半导体表面性质

本文报道了应用变温光伏方法对半导体表面能级,表面态密度的非破坏性测量原理。通过一定的模型简化,将Shockly-Read体复合理论应用于表面,建立起P型半导体表面态对少子电子的俘获截面估算公式。并以P型Si单晶样品进行验证,所得结果同有关报道一致。     

半导体电子学教学中对空穴的解释

本文系统地阐明了晶体中电子运动的性质，导体及半导体和绝缘体的区别，在此基础上，澄清了一些教材中不明确的空穴概念。