In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂

用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺杂,元素Si电离的电子转移到量子阱中,在量子阱中形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)。对该样品在低温下进行了磁输运测试,得到了2DEG纵向电阻(磁电阻)和横向电阻(Hall电阻)在不同温度下随磁场的变化曲线。观察到磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡和由零场自旋分裂引起的SdH振荡在低场下的拍频效应。也观察到Hall电阻出现量子Hall效应所特有的Hall平台。对Hall电阻在低场部分的直线拟合获得2DEG的Hall浓度,并根据Hall浓度和零场电导获得2DEG的Hall迁移率。对磁电阻曲线的快速傅立叶变换(fast Fourier trans-form,FFT)分析获得的2DEG浓度与Hall浓度一致。对拍频节点进行分析,获得了2DEG的自旋轨道耦合常数,并由此得到了零场自旋分裂能、自旋弛豫时间、自旋进动长度等实现自旋器件的相关参数。     

HPLC-HG-AFS测定As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的方法研究

选用四丁基氢氧化铵作为As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的离子对试剂，优化了高效液相色谱的分离条件，在Pecosphere C18色谱柱上有效地分离了As(Ⅲ)和As(Ⅴ)．随后在氢化物发生原子荧光光谱仪最佳测定条件下，成功地测定了As(Ⅲ)和As(Ⅴ)，其精密度分别为6．8％和4．0％．为HPLC—HG—AFS联用在线分离测定做出了有益的探索．     

In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP液相外延材料的组分分析

一引言随着光纤通信技术的发展,发射波长λ=1.3μm光纤损耗小、色散低的光源制造已受到普遍重视。由于外延材料是器件制造的基础,因此如何确定和控制四元材料In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的组分x、y,乃是制造发射波长λ=1.3μm光源的重要问题。四元材料In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)有二个自由度x、y,且其晶格常数和带隙(波长)是x,y的函数(服从Vegard定律),适当调整化学配比可使InGaAsP四元固溶体的带隙在1.35eV～0.74eV(对应波长λ=0.92～1.68μm)范围内变化,能得到与InP衬底相匹配的完整的外延     

Ga As—Al Ga_(1-x) As双异质结平面条型激光器的掩蔽扩散

本文介绍了一种采用三元系源Ga—As—Zn为扩散源的GaAs—AlxGa_(1-x)As双异质结平面条型激光器的掩蔽扩散。其中对三元系源Ga—As—Zn源的选择做着重的讨论,并且对元素Zn源与三元系源做了比较;从中引出了扩散系数D依赖于As_4压力的关系公式和扩散截面的表面浓度的表达式。最后,对工艺结果和存在的问题进行了分析讨论。     

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

分光光度法测定Ga_(1-x)Al_xAs中x值

本文研究了在同时有镓和砷的情况下用分光光度法直接测定铝的显色条件,并应用于测定Ga_(1-x)Al_xAs外延层中的x值。     

GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱的平方电光效应和光折变效应的研究

本文研究了半绝缘GaAs／Al0.3Ga0.7As多量子阱的电光效应和光折变效应．用光调制反射谱分析了样品的结构;用电调制透射谱测量了电吸收和电折变;用二波混合的方法测量了它的光折变性质．对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较．     

(La,Ga):YIG单晶薄膜的铁磁共振研究

本文研究了用于微波静磁波器件的(La,Ga):YIG单晶薄膜的铁磁共振特性,分析了共振线宽和单轴各向异性与生长条件、微观结构参数、表面质量之间的关系.从实验中观察到了三种性质不同的静磁共振模式,并根据这些模式并入一致共振模的条件对(La,Ga):YIG薄膜的线宽的增宽现象作了初步探讨.     

紫外吸收光谱测定氢键强度的实验讨论

通过对丙酮、环已烷、乙醇等溶液的光谱分析，探讨含杂原子基团的有机化合物在极性溶剂中，与溶剂分子形成氢键而导致n→π＊跃迁，吸收带发生位移的规律。     

GaAs/Al_xGa_(1-x)As和In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y量子阱中激子的结合能

计算了GaAs/Al_xGa_(1-x)As和In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y量子阱中激子的结合能,得到了结合能随阱宽和阱深的变化。结果表明,在这两类量子阱结构中激子结合能的变化规律有本质的不同。     

离子注入的~(75)As在SiO_2薄膜中的射程参数

用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析，测出了７５Ａｓ在样品中的射程分布．将实验测出的射程参数与ＴＲＩＭ９０程序预言的结果作了比较，结果表明，实验测量的Ｒｅｘｐｐ与ＴＲＩＭ９０程序计算的Ｒｃａｌｐ值符合得很好，而ΔＲｐ的值符合较差，ΔＲｅｘｐｐ普遍大于ΔＲｃａｌｐ．上述现象产生的原因可能是在注入过程中Ａｓ原子发生了辐射增强扩散     

Ba_4In_2O_7纳米棒薄膜的制备与光催化性能(英文)

采用溶胶凝胶法在石英基体上制备Ba4(In0.95Cr0.05)2O7薄膜。通过X射线衍射,扫描电镜,紫外漫反射光谱,光照下水溶液中甲基橙降解实验表征材料性能。SEM结果表明薄膜由均匀纳米棒组成,紫外漫反射结果表明材料吸收边为450nm,具有较宽的光谱响应范围。光催化实验表明材料在2h内甲基橙降解率达到76%。由于该材料易于回收再利用,可重复使用,并且其光催化效率可通过材料和光催化反应体系的不断改性来继续提高,因而在光催化方面具有较理想的研究及应用前景。     

水立方薄膜(ETFE膜)导热系数的测定

大学生创新实验项目是我国高等教育培养当代大学生创新能力的一项重要举措,它旨在培养大学生的创新意识和动手能力。上海工程技术大学对申请到的大学生创新实验项目"水立方薄膜(ETFE膜)热传导特性的研究"做了深入探讨,利用稳态法测得了ETFE膜的导热系数,发现其值小于0.23W/m.℃,可以作为理想的绝热材料应用在建筑等领域,有效地节省电能,符合当前的绿色经济的要求。     

In_(1-x)Ga_xAs材料的LP-MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEIn)和AsH_3为原,在(100)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs外延层的生长条件,并用X射线单晶衍射仪和光电子能谱(XPS)仪给出了不同TEIn与TMG摩尔流量比下外延层的测量结果.     

中孔型活性炭制备及对As(Ⅲ)/As(Ⅴ)吸附特性研究

针对低温微污染水中(7℃)低质量浓度As(Ⅲ)/As(Ⅴ)离子(0.5 mg/L),通过优化配煤、改进制备工艺制备,制备一种中孔型活性炭(NCPAC),以普通商品活性炭PVAC为对照,研究了NCPAC的表面物理化学特性,并进行了pH影响和吸附等温线、吸附动力学方程及吸附热力学拟合研究.结果表明,NCPAC的孔径分布、总孔容积和表面极性大小等方面均得到改善.在酸性/偏中性范围内(pH=4.0~8.0),NCPAC对As(Ⅲ)、As(Ⅴ)均有较好的去除效果,除砷效果明显高于普通商品活性炭.NCPAC对As(Ⅲ)/As(Ⅴ)的吸附平衡可用Langmuir进行较好的拟合;动力学研究表明NCPAC对As(Ⅲ)/As(Ⅴ)的吸附过程可用假二级动力方程进行很好的拟合(R20.999),且As(Ⅲ)/As(Ⅴ)在活性炭表面的吸附过程以化学吸附为主;热力学数据显示,NCPAC对As(Ⅲ)、As(Ⅴ)的吸附过程均为放热反应.共存离子方面,天然水体中常见的磷酸氢根、硅酸根、碳酸根对NCPAC除砷效果有一定的抑制作用,铝离子会降低其对As(Ⅲ)的吸附效果,其他阴阳离子对除砷效果影响不大.     

Ga_(1-x)Al_xAs禁带宽度的计算

用分区变分法研究Ga_(1-x)Al_xAs的直接、间接禁带宽度随组分x的变化关系。计算中,假设合金中的各个原子的原子球球内势场为球对称;球面上用径向波函数对数微商的平均值;球外区用虚晶势近似。计算结果与实验结果符合较好。     

Ga_(36.5)Sb_(63.5)熔体的电阻率—温度特性

为分析Ga36.5Sb63.5熔体电阻率的变化规律与液态结构变化的相关性,采用电阻率测试仪(RM)、X射线衍射仪(XRD)测量其电阻率及合金熔体的凝固组织。结果表明,Ga36.5Sb63.5熔体的电阻率-温度曲线在(716~730)℃温度之间出现突变,在突变区域前后温度下所得到的快速凝固组织中均含有GaSb二元相。     

玻璃碳电极阳极溶出伏安法测定盐酸及工业废水中无机的As(Ⅲ)和As(Ⅴ)

在HCl介质中用苯从样品溶液中萃取分离As(Ⅲ)。加入KI在HCI介质中予先还原As(V)后,再用苯萃取分离无机砷总量。在Au(Ⅲ)与Cu(Ⅱ)存在下,1.2M HClO_4作为支持电解质,用玻璃碳电极阳极溶出伏安法测定HCl及工业废水中As(Ⅲ)及无机砷总量。以差减法求得As(V)含量。测定砷的最低浓度为0.08微克/10亳升。     

Zintl相化合物Sr_3Ga_2M_4(M=P,As)的电子结构和成键特征

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Zintl相Sr_3Ga_2M_4(M=P,As)的电子结构和成键特征.计算得到的晶格常数和实验符合得很好,确保了计算的准确性.相似的态密度表明两种化合物能带结构近似,Sr_3Ga_2P_4和Sr_3Ga_2As_4的带隙分别为0.99eV和0.74eV,价带顶最高点和最低点分别位于Γ点和X点说明材料为窄带隙间接半导体,满足对热电材料的带隙要求.利用电子局域函数分析其成键特性,晶体结构内部展现出共价键和离子键的共存,符合Zintl相材料成键特征,这种复杂的结构有利于材料的低热导率.对有效质量的分析和计算进一步表明材料具有潜在的热电特性.     

PLD法在透明石英单晶(100)上制备高取向KTN薄膜

Sol-Gel法制备KTN多晶粉末, 在富氧气氛下烧结富钾KTN陶瓷, 代替KTN单晶作为靶材, 用PLD技术在透明石英单晶(100)基片上制备高取向透明KTN薄膜.受石英单晶热应力限制, 沉积时基片温度为300˚C, 远低于在P-Si(100)制备时的基片温度560℃. XRD分析表明, 所制薄膜为非晶态, 通过提高脉冲激光能量密度结合后期退火的方法使非晶态薄膜转化为晶态, 最佳激光能量密度和退火温度分别为2.0J/cm²和600˚C. 探讨了PLD技术在低衬底温度下成膜的机理, 分析退火温度对薄膜钙钛矿相形成和晶粒取向的影响, 给出透明石英单晶(100)基片上制备高取向KTN薄膜的最佳工艺.