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用Mullins和Sekerka的线性动力学理论定性探讨了Te溶液生长半磁半导体Cd_(1Mn_xTe时固-液界面的稳定性.并在自行设计的旋转式液相外延装置中,用CdTe作籽晶,利用失稳小平面的长厚,富Te溶液生长了CdMnTe晶膜,其面积为0.5cm ̄2,厚度~0.4mm.分析了界面能各向异性的影响及晶膜表面形貌呈波纹状的原因,最后探讨了获得稳定液相外延的条件. 相似文献
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用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 . 相似文献
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应用Na|β-Al_2O_3|Hg固体电解质电池,制备了68个钠汞齐Na_xHg_(1-x)(x:0.035~0.8846)组分.从Na/Na_xHg_(1-x)电池电动势的测量,测定了Na_xHg_(1-x)的熔点和在熔化过程电池反应中的熵变和焓变.实验得出Na/Na_xHg_(1-x)(液态)电池电动势E和汞齐中的钠摩尔分数x存在E=α(-lgx) ̄b的关系式.线性方程式lgE=lgα+blg(-lgx)中的lgα和b在各个组分x(0.065~0.16,0.16~0.333,0.333~0.715)和温度范围内分别是温度的线性函数.相应于x≥0.715时的lgα和b值(100≤t≤350℃)为lgα=-0.1788-1.010×10 ̄(-3)t+1.109×10 ̄(-6)t ̄2,b=1.783-1.713×10 ̄(-3)t+1.475×10 ̄(-6)t ̄2 相似文献
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采用KI(PHx)方法和真空红外技术研究了化学计量式为ABO3的钙钦矿型完全氧化催化剂—La0.35Sr0.65Co(1-x)CuxO3上的表面过剩氧量和活性氧物种,实验得到的表面氧氧化能力分布曲线证明,只有具备高氧化能力的氧种才能参与反应。对其红外吸收谱的解析表明,可能的表面活性氧种是、及晶格氧。根据CO氧化反应的催化剂活性评价数据,并与相应条件下该催化剂的X光衍射图谱相关联,探讨了催化剂的活性物相是以正交钙钛矿为主的混合物相,这种物相存在的合理性在于它能有效调变B位活性组分元素的氧化价态,对提高催化功能是有利的。 相似文献
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超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。 相似文献
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作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17. 相似文献
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对n-ZnxCd1-xTe为基的光电化学电极进行FeCl3,Pb(NO3)2的修饰,消除了光电极在1M NaOH 1MS 1M Na2S多硫溶液中的钝化现象,电池效率可达10.2%,通过光谱响应,循环伏安曲线等的研究,探讨了FeCl3,Pb(NO3)2对电极的修饰机理以及与电池稳定性的关系。 相似文献