W_2>W_3时三级火箭和一般多级火箭最大速度值的一般变化规律的探讨(续)

■由于W_2>W_1,且V_2与(1.1—2)中的V_2相同,所以,V_(2max)(A)与(1,1,2)中的V_(2max)(A)相同。同时,当A∈[B_3,B_1 B_3]时,V_(max)(A)也与(1.1—2)的V_(mas)(A)相同。     

在线~(14)C年龄测定系统

在~(14)C 年龄测定工作中,将微处理计算机 Lecroy—3500接入双道液体闪烁谱仪。在线~(14)C 年龄测定系统不但能测量~(14)C 计数,而且能测出~(14)C 能谱和有较低的本底计数率。由于~(14)C 样品测量时间较长(1000分钟),故进行精确年龄测量时,必须对仪器稳定性进行监察.从~(14)C 能谱,在线~(14)C 年龄测定系统能够监察仪器的稳定性。本系统在国内首先解决了这个问题。液体闪烁谱仪有1/2—1/3的本底是来自串光本底计数。双道液体闪烁谱仪中,Ⅰ道脉冲辐度 V_Ⅰ,Ⅱ道脉冲辐度 V_Ⅱ。对~(14)C 信号 V_Ⅰ～V_Ⅱ,对串光本底信号 V_Ⅰ(?)V_Ⅱ或 V_Ⅱ(?)V_Ⅰ。利用这一差别,系统软件可灵活地选择 RT 值,有效地消除串光本底计数。本系统提出了监察液体闪烁谱仪和降低串光本底的新途径。本系统不但可以给出上述各参数,而且可以直接给出样品年龄,标准偏差等数据。     

一类OF型图及有关性质

讨论了OF-(-2)型图和OF-(-3)型图的有关性质,得到下列结果:(1)2n阶OF-(-3)型图中含有子图(n—1)K_2;(2)若2n阶OF-(-2)型图G中不存在1—因子,则G具有性质i)V_δ是有n+1个顶点的独立点集,ii)任给w,z∈V_δ,G—{w,z}中存在(n—1)个边不交1—因子,其中V_δ={v∈V(G)|d(v)=δ(G)}.结果(1)部分地改进了J.A.Bondy等人的一个结果。     

无阻尼弱耗散抽象发展方程的强全局吸引子

运用半群理论、收缩函数理论和定义泛函的方法,当非线性项满足较弱的耗散型条件时,在空间V_(2θ)×V_θ×L_μ~2(R~+;V_(2θ))中得到了无阻尼弱耗散抽象发展方程的强全局吸引子的存在性.     

铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜形貌和方块电阻

用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu_n~-(n是簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压V_α为0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P-si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用AFM分析表明:当V_α(?)3kV时,团簇束成膜,膜表面的粗糙度比常规磁控溅射小,且随V_α增加,粗糙度减小。用四探针测薄膜方块电阻,经归一化后可知:团簇束沉积,当V_α(?)3kV时,薄膜方块电阻大于常规磁控溅射的方块电阻,当V_α(?)5kV时薄膜方块电阻已小于常规磁控溅射方块电阻;对于团簇束沉积,薄膜方块电阻随沉积偏压V_α的增加而减小。     

聚酰亚胺/二氧化硅杂化薄膜的制备与性能研究

首先将3-氨丙基三乙氧基硅烷接枝到纳米二氧化硅表面,制得表面含有氨基的改性纳米二氧化硅粒子(A—SiO2)。再将A—SiO2按不同比例与酐封端的聚酰胺酸进行反应,最后经热酰胺化过程,得到一系列聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜。采用红外光谱(FT-IR)、X-射线衍射(XRD)、紫外光谱(UV-vis)、热重分析(TGA)、动态机械热分析仪和扫描电镜(SEM)对合成的聚酰亚胺及其二氧化硅杂化薄膜进行了表征。UV-vis光谱表明,通过向聚酰亚胺薄膜中添加A—SiO2可以改变聚酰亚胺薄膜的透光性。TGA测试结果表明,随着A—SiO2含量的增加,聚酰亚胺/二氧化硅杂化薄膜的热稳定性有所提高。由机械性能测试可知,当A—SiO2掺杂量小于1.5%时,聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的机械性能优于纯聚酰亚胺的机械性能,当A—SiO2的掺杂量大于2.0%时,聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜的机械性能比纯聚酰亚胺的机械性能差。SEM分析可知当A—SiO2粒子含量小于1.5%时,其在聚酰亚胺基体中分散均匀,当含量大于2.0%时,体系出现明显团聚现象。     

MOS结构的雪崩热电子界面效应

本文研究了电子束蒸铝MOS结构的热电子雪崩注入的界面效应。硅表面雪崩产生的热电子注入到SiO_2—Si界面,可能产生界面态和界面正电荷,并使Si表面少数载流子寿命减低,致使△V_(FB)—t关系发生倒N形迥转效应。文中还研究了温度和注入电流密度等对热电子界面效应的影响;选择合适的雪崩注入条件,可降低界面效应。     

合成钒醇盐研制V_2O_5导电膜

以V_2O_5,C_2H_5OH和SOCl_2为原料,用氨法合成了釩的醇盐Vo(OC_2H_5)_3。将玻璃在其乙醇溶液中浸涂、热处理后,得到表面无定形V_2O_5导电膜。浸涂液中乙醇和钒醇盐体积比为14,水和钒醇盐摩尔比为2或3时,导电膜均匀、透明,并具良好的导电性。随着热处理温度的升高及热处理时间的延长,涂膜的厚度减少,膜与基体玻璃的结合增强,膜的电导率逐渐上升,在320℃时达到最大值,为3.5×10~(-2)Ω~(-1)。cm~(-1)。透射电镜分析表明,VO(OC_2H_5)_3水解后得到的凝胶具有纤维状显微结构。凝胶的傅里叶转换红外吸收光谱显示V_2O_5的特征吸收峰。差热和X射线衍射分析表明,在340℃凝胶中V_3O_5晶化。     

用冠醚除杂减小PN结的反向漏电流

在半导体硅器件的硅自由表面上,总有或薄或厚的Sio_2层,它可以是自然形成的,也可以是人工生长的.若在Sio_2层中存在着可动的碱金属杂质离子,则这些离子在温度场或者电场的作用下,可以在Sio_2层中移动,从而引起硅器件性能的不稳定或劣化.Na~ 、K~ 、Li~ 、H~ 等虽皆为Sio_2中能迁移的正离子,但K~ 的迁移率比Na~ 低两个数量级,Na~ 的来源比较广泛,而Li~ 在半导体制造工艺过程中遇到不多,故可动离子主要是Na~ 和K~ 的影响最大.Sio_2对它们几乎没有阻挡能力,温度越高,穿透能力越强,这样漏电     

记忆型抽象发展方程全局吸引子的存在性

在空间V_θ×H×L_μ~2(R~+,V_θ)中,讨论了具有衰退记忆的抽象发展方程当非线性项临界增长且外力项g∈H~(-1)(Ω)时的长时间动力学行为.得到了全局吸引子的存在性结果,推广和改进了已有结果.     

金属酞菁配合物的光伏效应

本文报道了镁、铝、第四主族及第一过渡系金属等14种金属酞菁配合物在电解质溶液中的光伏效应及酸碱介质和环境气氛对光伏效应的影响.结果表明在酸性介质中具有较大的开路光电位(V_(oc)),pH=2.5时,空气气氛中V_(oc)值的大小顺序是ZnPc>MgPc>SnPc>PbPc>CoPc>FePc>VOPc>SiPcCl_2>AlPcCl>CrPc>CuPc>NiPc>GePcCl_2>MnPc.氧化性气氛(O_2)及还原性气氛(H_2)对V_(oc)有较大的影响,不同环境气氛中V_(oc)值的大小顺序是氧气>空气>氮气>氢气.     

晶体管交流参数γ_(ce)和γ_(bc)之间的关系

解析关系式的推导正常偏置状态下的双极型晶体管,即当晶体管的发射结正向偏置(对于NPN型管子,V_(BE)>0)、集电结反向偏置(对于NPN型管子,V_(BC)<0)时,其基极电流和集电极电流分别为(以NPN型管子为例)(?)(1)(?)(2)式中peo、nbo和pco分别为发射区、基区和集电区在热平衡下的少子浓度,D_(pe)、D_(nb)和D_(pc)分别为发射区、基区和集电区的少子扩散系数,L_(pe)、L_(nb)和L_(pc)分别为发射区、基区和集电区的少子扩散长度,q为电子所给电荷量(不包括符号),A为晶体管PN结截面积,W为基区宽度(随集电结反向偏置电压V_(BC)作一定程度的变化)。     

新育北疆长绒棉抗病性的研究

新育北疆长绒棉品系79—669、73—79、B_(3230)、V_(4-2)、37_(-1-2)、V_(9-2)、V_(4-2)、K_(-178)、混8—1和H_(219)等经接抗试验发育率,病情指数都达到国家频布的标准,产量和品质未受到影响,均为抗病品种.     

超硬高速钢的平衡碳问题

本文研究了一种新型无钴超硬高速钢在马氏体成份和二次硬化之间的关系。采用“马氏体碳饱和度”(A~M=C_s~M/C_p~M,C_s~M—马氏体含碳量,C_p~M—马氏体中合金元素在回火时形成二次硬化碳化物所需碳量)作为描述马氏体中合金元素和碳(M—C)配比关系的参数。得出,①A~M和二次硬度有相当严格的依从关系。在通常的成分范围内,与某个合金元素或其总体比较,它对硬度的影响更大些。②当马氏体成分符合W_2C、Mo_2、V_4C_3及Cr_7C_3原子比时,获得最高的二次硬度—HRC69左右。 讨论了G、Steven平衡碳计算式。为解决某些合金化的定量问题,建议采用“钢的碳饱和度”(A=C_s/C_p)表征高速钢中M—C配比。C_s为钢的实际碳量,而C_p按Steven计算式。高速钢的成份可通过实验测定A值来决定。A值还可用于冶炼成份的控制以及淬火温度的选择等。     

关于单形的一类不等式

本文证明了n维单形的一类不等式。设B_1是n维单形A_1A_2…A_(n+1)的任-n-1维平面X内的任意一点,过B_1作不在该面上的各棱的平行线交其余各面于B_2,B_3,…B_(n+1)则:|V_(B_1B_2…B_(n+1)|≤1/n~n|V_(A_1A_2…A_(n+1)|,式中等号当且仅当B_1是面X的重心时成立。     

高纯铝在范性形变过程中内耗对频率和速率的响应行为

考虑了位错平均速度V=f(σ)随时间或应变的变化之后,导出了金属在范性形变过程中内耗Q～~(-1)与位错动力学关系式V=f(σ),形变速率ε、测量频率ω、测量振幅σ_A 以及切变模量G 等的关系为(?)此处(?)t、(?)p 分别为扭切应力和拉伸应力的平均取向因子,Г(n)为取正值的积分常数,m 为除0,-1以外的整数。可见,形变过程内耗可能出现正比于(ε/ω)~(2/3)、((?)/ω)~(1/2)、((?)/ω)以及((?)/ω)~2等各种对于ω和(?)的响应行为。而且出现随测量振幅σ_A增大而减小的反常振幅效应内耗。高纯铝在拉伸速率(?)=50×10~(-6)/秒时,形变过程内耗Q~(-1)的实验数据与上式中n=-2时的结果符合得很好.此时的内耗可表示为Q~(-1)=0.245(G/σ_A)β_(-2)((?)/ω)~(1/2)/(V_0~′+β_(-2)ε~(-(1/2)).亦即Q~(-1)正比于((?)/ω)~(1/2).还观测到随着σ_A 的增加而减小的反常振幅效应内耗.高纯铝在恒速拉伸时,当ε>0.5%后,位错的平均速度(?)_0。与形变量ε间的关系可表示为(?)_0=V_0~′+βε~(-(1/2));而运动位错的密度ρ可表示为ρ=(?)/ab(V_0~~′+βε~(-(1/2)).     

秈型杂交稻新组合—V_(20)A×激光4号介绍

V_(20)A×激光4号是武汉师范学院生物系激光育种科研组一个重要的科研成果.其恢复系激光4号是1975年用He—Ne激光照射ⅠR8号发芽种子30分钟选出的早熟变异株,经过五年九代繁殖稳定的新品系,比原ⅠR8早熟23天,在湖北省属早熟中稻.株高为94.5cm,穗长为21.1cm,千粒重为24克.V_(20)A×激光4号系与V_(20)A等不育系多次测交筛选定型的新组合.现将其特点介绍如下:     

判别Hamilton图的一个方法

本文研究寻找Hamilton的圈的一个方法,证明了如下定理:设G是单图,V(G)={V_1,V_2,…,V_n},则G是Hamilton图的充分必要条件是X_(ki)取1或0时,方程组(*)有解,其中sum from i=1 to n sum from j=1 to n x_(ki)x_(k+1)jV_iV_j=1而x(n+1)j=x_(1j) sum from i=1 to n x_(ki)~2=1 sum from i=1 to n x_(ik)~2=1 而V_iV_i=1 当V_i和V_j邻接时, 0 当V_i和V_j不邻接时。     

同GL参量(K_i)的叠层超导体系统的第三临界场

本文用带电粒子在磁场中运动的 Landau 理论和 GL 超导电性理论相结合[1—5],计算了由不同 GL 参量(K_i)相区别的、堆积在大块超导填底(K_2)上的(1)薄的(K_1)和(2)厚的(K_i)膜的两种极限情况系统的第三临界场 Hc_3,以及(3)三薄层超导膜系统(K_1—K_2—K_1)的临界场 H_K。结果表明,在情形(1)中,当 K=K_1/K_2=1时,Hc_3与半无限空间样品的 H°c_3相一致。当 K≥1时,Hc_3≥H°c_3:而当 K≤时,Hc_3≤H°c_3。在情形(2)中,当 K=1或 K_1层厚 d→∞时,则 Hc_3=H°c_3。当K≤1时,Hc_3≥H°c_3。当 K≤1时,Hc_3≥H°c_3。所得的这些结果对实验结果作了分析。在情形(3)中,当 K≥1时,H_K＝K°,H_(K°K)是同厚度单层薄膜的临界场。当 K≤1时,H_K=3K°_K;而当 K≤1时,H_K≤H°_K:当 K<<1时,则 H_K 随 K~(1/2)而变化。当 K=1时,K_K=H°_K。与 Ginzberg 的结果一致。     

锌掺杂对包碳磷酸钒锂电化学性能的影响

以Li_2CO_3、V_2O_5、NH_4H_2PO_4和ZnO为原料,用葡萄糖作为碳源和还原剂,然后通过高温煅烧法制备了Li_3V_(2-x)Zn_x(PO_4)_3/C(x=0,0.05,0.10)。用X射线衍射、扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜,对制得的样品进行物相、结构和微观形貌分析表征。用恒电流充放电、循环伏安和电化学阻抗谱法测试样品的电化学性能。研究结果表明:掺杂Zn~(2+)不会改变Li_3V_2(PO_4)_3的结构。适量地掺杂Zn~(2+)能使Li_3V_2(PO_4)_3颗粒更加均匀、结构更稳定,同时显著改善其电化学性能。当x=0.05时,样品的首次放电比容量为123.1 m A·h·g~(-1),并且以0.5C充放电循环20圈后容量保持率仍达99.76%。