横向电光效应中相位延迟的补偿方法

分析了光波以不同方向入射于磷酸二氢钾(KDP)晶体时产生的两种电光效应,对γ63纵向和横向电光效应进行比较.针对KDP晶体横向调制时会受到自然折射率的影响,提出了两种相位延迟的补偿方法.     

电光效应在全息光学中的应用

本文采用LN类LiNbO_3晶体制作激光分束光强调节器和位相调节器,给出了装置与结果,并对实验和理论间的偏差因素进行了分析。该装置调节范围大重复性好、简单方便。     

电光效应对光纤波导效率的影响

采用数值计算方法,研究了包层为单轴各向异性电光晶体材料且其主轴沿光纤轴线的单包层光纤外加电场对光纤波导效率的影响.研究结果表明:外加电场对该种光纤中芯层和包层间的功率分布影响显著,在外加电场逐渐增大时,光能量逐渐集中到包层中,为设计新型电压传感器提供理论依据.     

立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压．     

铌酸钡钠晶体的电光效应

本文从析射卒椭球出发,分析了铌酸钡钠晶体在各种运用方式下的电光相位延迟,指出了其最佳运用方式.通过和目前常用的电光晶体比较,衣明了其优越的电光性能和广泛的应用前景。     

晶体的Pockels效应和电光张量

本文简要地介绍了晶体的普克尔效应和电光系数,强调指出电光系数是一个三阶张量,并进行了比较详细的讨论.     

LCLV的电光效应及计算全息实验研究

实验通过改变起偏器、检偏器的夹角和LCD两端电压,得到液晶光阀的电光效应曲线,并利用液晶光阀制作实时计算全息图.由实验结果可得出:1)外加电压较弱时,线偏振光经过LCLV( liquid crystal light valve)后发生偏转,曲线无变化;2)外加电压达到一定值时,垂直入射的线偏振光不发生偏转,电光效应曲线...     

利用一次电光效应的高电压传感器

介绍一种采用光纤传光的高电压传感器的原理、信号处理方法及光器件温度补偿。     

诱导效应指数与某些直链碳氢化合物的燃烧热

利用诱导效应指数， 建立了某些碳氢化合物的燃烧热经验计算式，３０ 个可比较值的平均相对差为０．０４％ 。     

诱导效应指数与直链烷基衍生物的燃烧热

利用诱导效应指数建立了一个计算烷基衍生物气态燃烧热的方法，并计算了一些常见烷基衍生物的气态燃烧热，５１个可比较值的相对偏差为０．０６７％，最大相对偏关只有０．３４％     

诱导效应指数与烷基衍生物的标准汽化热

利用诱导效应指数建立了一个用以计算烷基衍生物的标准汽化热的简单方法，利用此法计算了一些烷基衍生物的汽化热，４７个可比较值的平均偏差为１．３２ｋＪ·ｍｏｌ＾－１。     

LiNbO3:Fe晶体中双光束耦合衍射效率的研究

对两束相干光写入稳态相位栅的衍射效率进行数值模拟,发现在某一角度范围内衍射效率有一最大值存在.测定了双光束耦合时不同入射角度光子晶格的衍射效率,实验曲线表明,衍射效率随写入角度(光子晶格周期)的变化也有极大值存在,并且与数值模拟所对应的角度是吻合的.由于衍射效率与写入的光子晶格的折射率调制度Δn成线性关系,因而证实了不同写入角度的光子晶格有不同的折射率调制度,并有极大值存在.     

诱导效应指数与含氧直链有机物的标准汽化热

利用诱导效应指数，建立了计算含氧直链有机物的标准汽化热的简单方法。据该法计算所得４０个可比较值的平均偏差为０．９７ｋＪ·ｍｏｌ（－１）。     

诱导效应指数与含羰基有机化合物的标准生成热

利用诱导效应指数建立了一个含羰基有机化合物的标准生成热的简单计算方法。利用此法计算了一些含羰基有机化合物的标准生成热，３７个可比较值的平均偏差为１．４８ｋＪ·ｍｏｌ（－１）。     

诱导效应指数与X—SiRxH3—x键的键裂能

利用诱导效应指数，建立了两个用以计算硅烷基衍生物中Ｘ—Ｓｉ键的键裂能的方法．２４个可比较值的平均偏差分别为３．１５和２．５７ｋＪｍｏｌ－１．同时，也得到两个用以计算硅烷基自由基的生成热的方法，４个可比较值的平均偏差分别为０．８５，１．１０ｋＪｍｏｌ     

分子诱导效应指数与链烷烃的物理化学性质

利用基团的诱导效应指数，首次提出了诱导效应指数的概念，并定义了链烷烃的有效碳链长度，研究结果表明有效碳链长度与链烷烃的某些物理化学性质存在线性关系。     

诱导效应指数与含硫含氮有机物的标准生成热

利用诱导效应指数建立了一个用以计算合硫含氮有机物标准生成热的简单方法，利用此法计算了一些常见含硫含氮有机物的标准生成热，３２个可比较值的平均偏差为２．６ｋＪ·ｍｏｌ－１。     

诱导效应指数与CH_3-X/H-X的键裂能之差

利用诱导效应指数Ｉ，建立了计算一些ＣＨ３－Ｘ的键裂能的方法，并计算了一些甲基衍生物ＣＨ３－Ｘ的键裂能，其平均偏差为１．９３ｋＪ·ｍｏｌ－１。同时，推导出由ＤＨＯｍ（ＨＸ）和Ｉ计算烷基衍生物的键裂能的方法。２３个可比较值的平均偏差为２．６８ｋＪ·ｍｏｌ－１。