激光热解沉积微透镜中衬底温度场的研究

激光化学汽相沉积（ＬＣＶＤ）能在激光波长级区域内实现选择性沉积，再利用高斯光束的特性，可以实现在石英衬底上沉积球形剖面介质膜用作做透镜。其沉积生成形状与沉积速率有关，而沉积速率又与衬底温度及其分布有关。本文通过数学推导与计算机处理，详细描述了激光诱导石英衬底的温度分布，并通过高斯光束光斑扩束方法测量石英衬底表面温度分布。理论与实验相符，从而摸索了改善石英衬底温度分布以实现直接沉积微透镜的要求。     

用于红外焦平面的微透镜阵列单片制备技术

提出了离子束刻蚀制备微透镜阵列的工艺原理；研究了球面型光致抗蚀剂掩膜的形成过程以及硅微透镜离子束刻蚀的实验条件．表面探针测量及扫描电子显微镜（ＳＥＭ）实验证明了该技术可在较低的衬底温度下（低于２００℃）有效地制备出球面型微透镜，并用表面探针测量确定了硅微透镜的尺寸．     

氩离子束刻蚀制作大面阵微透镜阵列

对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束刻蚀技术进行了讨论和分析。实验结果表明,衬底材料不同时,制作 表面形貌良好并具有预定参数指标要求的微透镜阵列的工艺条件有明显的差异,给出了在几种衬底材料上刻蚀制作 面阵微透镜列的离子束刻蚀速率束能量之间相互关系的实测结果。     

氩离子束刻蚀制作大面阵微透镜阵列

对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束刻蚀技术进行了讨论和分析．实验结果表明,衬底材料不同时,制作表面形貌良好并具有预定参数指标要求的微透镜阵列的工艺条件有明显的差异,给出了在几种衬底材料上刻蚀制作面阵微透镜阵列的离子束刻蚀速率与离子束能量之间相互关系的实测结果．     

利用矩阵光学研究平凸自聚焦透镜的成像特性

用矩阵光学方法研究平凸自聚焦透镜的成像特性。给出了一般公式,并讨论了几种典型节距的平凸自聚焦透镜的成像问题,其研究结果对平凸ＳＭＬ的使用具有一定意义。     

测量透镜曲率半径的一种简易方法

利用扩束后的激光照射在平凸透镜上，由透镜两表面反射形成的非定域干涉，测凸球面的曲率半径R。     

面阵折射微透镜与红外焦平面结构

分析了利用面阵凸折射微透镜来增大红外凝视焦平面成像器件的填充系数,进而提高信噪比改善器件光电响应特性的物理机制,讨论了引入凸折射微透镜阵列对红外焦平面器件的空间分辨率、探测率Ｄ＾＊和红外响应均匀性参量的影响。     

一种鉴别透镜种类的方法

在物理学中，组成光学系统的光学零件有透镜、棱镜和反射镜等，其中以透镜用的最多，单透镜可以作为一个最简单的光学系统。因此，正确的鉴别透镜的种类是使用光学元件的基础问题之一。以下就透镜的两个曲面是球而为冽，介绍利m透镜肉身反射成像的特性鉴别观凸、平凸、正月弯、双凹、平凹、负月弯透镜的实验方法一、原理及方法1．正、负透镜的鉴别如图1所示，用一平行光（或日光万区过待鉴别的未知透镜人（图中以D表示），若会聚的为正透镜，发散的为负诉镜。2．正透镜种类的鉴别双凸、平凸、正月湾选说日反射在物方成像，如山2所示。水平…     

多孔径光学仿复眼图像采集原理

提出用自聚焦平面微透镜阵列和ＣＣＤ器件可组成多孔径光学仿复眼系统；说明利用计算机和图像卡的处理功能，能够实现并列型复眼的图像采集功能。     

曲面仿生复眼透镜微复型过程变形分析

针对大视场曲面仿生复眼透镜的制造难点,采用了一种基于气压辅助聚合物弹性体微复型的制造工艺,以实现大视场曲面微透镜阵列的快速、低成本制造。利用有限元软件(ABAQUS),对气压辅助微复型工艺过程中聚合物弹性体的大变形、曲面成型过程中微透镜的形变问题进行了仿真实验,得到了曲面成型过程中曲面轮廓对成型气压的依赖关系,以及不同纬度微透镜阵列的尺寸变化关系,并进行了相关工艺实验验证。结果表明,在气压辅助曲面成型过程中,成型曲面的轮廓为球面,其球面直径依赖于成型气压;曲面成型过程中,微透镜形变量沿曲面纬度方向基本一致,不同纬度上微透镜直径的增大率为9.45%～10.56%。由于在不同纬度处所制造的曲面复眼透镜的焦平面不同,因此曲面复眼透镜具有比平面微透镜阵列更大的视场。     

铜合金表面添加SiC晶须的Ni-Cu激光熔覆层

用5 kW CO2激光器,通过优化激光工艺参数,在结晶器用铜合金表面预置添加SiC晶须的镍基自熔合金(Ni1015)粉,制备出表面平整、组织均匀致密、无气孔和裂纹等缺陷、与基体为冶金结合的Ni-Cu激光熔覆层.借助OM,SEM和显微硬度计等分析测定了涂层的显微组织形貌、组织成分和截面显微硬度.结果表明:添加SiC晶须的Ni-Cu涂层比单纯的Ni-Cu涂层的显微组织明显得到细化,涂层的显微硬度高出150HV左右,是铜合金基体(85 HV)的3.7倍,从而能够提高结晶器的使用性能.     

阵列激光微透镜准直器透镜F数的研究

提出用微透镜阵列把半导体激光器阵列光束进行准直的方案．采用单正透镜对圆高斯光束的变换理论研究了微透镜的Ｆ数,得出了Ｆ数以及最小远场发散角半角值的表达式,对微透镜准直器的设计与制备具有指导意义     

Micro-Raman investigations on the structures of the surface and the inner of MgSO_4 droplets

Spherical MgSO4 droplets were deposited by a syringe on the hydrophobic Teflon substrate. Using micro-Raman technique, the laser beam was highly focused twice on the surface and in the center of spherical droplets. The Raman spectra for the surface and the inner of MgSO4 droplets were accord-ingly obtained, suggesting formation of a thin layer of gels on MgSO4 droplets at low relative humidity. The gel layer covered the surface and exhibited a significant delay in response to the change of ambi-ent relative humidity, resulting in the structural difference between the surface and the inner of MgSO4 droplets.     

MEMS开关中氮化硅薄膜工艺研究

分析了沉积薄膜厚度、PECVD的薄膜沉积温度、反应气体形成的杂质以及多层薄膜之间热应力匹配等因素对薄膜残余应力的影响.应用光刻分割聚酰亚胺(PI)牺牲层、分层生长氮化硅薄膜及快速热退火等工艺减小薄膜残余应力,成功生长出了合格的氮化硅薄膜.     

靶衬间距对脉冲激光沉积薄膜均匀性的影响

以国产脉冲激光沉积设备(PLD-Ⅲ型)在玻璃衬底上沉积Ti O2薄膜为例,研究了PLD法制膜过程中靶衬间距对薄膜均匀性的影响.实验过程中,以Ti O2陶瓷片作为靶材,玻璃作为衬底,保持其他工艺条件(如单脉冲能量、脉冲频率、沉积脉冲总数、衬底温度等)不变,专门考察了不同靶衬间距下,Ti O2薄膜在整个衬底台平面区域的沉积分布状况.结果表明,按样品的表观灰度划分,薄膜沉积的相对均匀区可分为2～3个轴对称区域,分别对应不同的沉积速率和厚度;在一定范围内调节靶衬间距(3.00～7.00 cm),可使高速率沉积区逐渐由轴对称的圆环状变为中心大圆斑(直径约2.20 cm).结合PLD沉积原理与靶衬之间的几何关系,分析了导致上述结果的机理.     

低温光化学生长金属钯薄膜研究

报道了新一代紫外光源--激发态双分子(Excimer)紫外光源在制备金属薄膜材料方面的应用研究.金属钯是一种优良的催化剂,首先在各种衬底如Al2O3、AIN、玻璃以及聚合物等上面淀积钯的金属有机化合物薄膜,通过紫外光分解钯的金属有机化合物,形成数埃到几十埃的钯膜,然后再利用钯的催化效应,在无电极电镀液中淀积出几十纳米到几微米厚的各种金属薄膜(如Cu、Au、Ni等).     

金属镍基体表面熔盐电沉积制备石墨涂层

在Li F-Li2CO3熔盐体系中电化学还原碳酸根离子,在镍阴极表面得到石墨涂层.通过循环伏安法研究了碳酸根离子的电化学行为,结合扫描电镜研究了温度和沉积电位对涂层表面形貌的影响,并对涂层性能进行了测试.结果表明:碳酸根电化学还原为碳的反应是一个不可逆过程;在690℃,-1.5 V电沉积时阴极表面形成了呈锯齿状结合的渗碳层.在-1.1 V电沉积时涂层表面形貌呈球形颗粒状,-1.5 V电沉积时涂层呈晶须状.石墨涂层使金属镍在3.5%的氯化钠溶液中的自腐蚀电位增加了739 m V.     

衬底温度对In_xGa_（1-x）N薄膜结构特性的影响

本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度（固定其它工艺参数）来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪（XRD）、X射线荧光光谱仪（XRF）、扫描电子显微镜（SEM）和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.     

衬底温度对InxGa1-xN薄膜结构特性的影响

本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.