基于Multisim可变增益放大器的仿真研究

研究了程控放大器AD603的工作原理以及在典型一级、二级工作电路下增益调节范围和两级低噪声AGC放大电路的性能参数;主要侧重于基于Multisim对实际电路仿真的研究方法,通过仿真阐述了AD603调节增益的原理、方法及适用范围,实现了AD603的性能指标的测量,符合它的设计参数并能够很好地实现增益可控。     

宽带低附加相移可变增益放大器

基于130 nm BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改变偏置实现增益控制,而开关衰减器的应用在拓宽增益控制范围的同时减小了偏置变化范围,从而减小了不同增益状态下的附加相移.提取版图寄生参数后的仿真结果表明：在1.6 V供电电压下,该可变增益放大器在3.5～11 GHz范围内增益平坦度小于±0.75 dB,增益控制范围为-22～10 dB,增益步进值为0.5 dB,噪声系数小于6.5dB,不同增益状态下的附加相移小于±5°,电路输出1 dB压缩点大于12 dBm,动态功耗小于155 mW.该可变增益放大器拓扑在满足项目需求的同时为减小可变增益放大器的附加相移提供了一种思路.     

宽控制可变增益放大器（VGA）电路的设计

宽控制可变增益放大器（VGA）电路,其控制电压范围从OV到3．3V,可控增益范围从-5dB到5dB变化,VGA电路利用了电压控制电阻再控制电流或电压输出,具有线性度高,大信号失真小,应用广泛的优点。     

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的带宽为2 GHz的高精度可变增益放大器

设计了一个高精度可变增益放大器,采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行前仿真和后仿真.运用电流反馈型闭环运算放大器获得了高精度的固定电压增益,输出级中加入了共模反馈电路,使得输出共模电压可以由外部控制电压在0.8~1.3 V之间进行调节.另外,先进的补偿网络可以对工艺偏差进行校准,使其带宽达到2 GHz;为了实现增益可调,采用了无源R-xR网络实现步长为2 dB的精确衰减,最终使得增益在数字信号控制下以2 dB步长在-0.93~39.19 dB范围内可调.整个系统结构简单,增益控制方便.     

应用于OFDM超宽带系统中的0.18 μm Gm-C滤波器和可变增益放大器的设计

设计了一种应用于OFDM UWB系统中的完全采用CMOS工艺的滤波器和VGA.滤波器采用5阶Chebyshev近似、G-mC biquad结构,转折频率为264 MHz,OTA采用伪差分结构以提高滤波器的线性度;VGA采用跨导增强型源级负反馈结构来控制增益,并加入源级负反馈电容进行高频补偿以拓展带宽.采用DC OffsetCorrection电路降低直流失调,并通过数字控制电容阵列(DCCA)来实现滤波器的转折频率的调谐.电路采用0.18μm CMOS工艺,1.8 V电源电压.电路的仿真结果表明滤波器和VGA系统的增益为6~48 dB,可变增益为42 dB,6 dB/step,在输入电压峰峰值为100 mV时THD小于-54 dBc,线性度为-6.35 dBV,噪声系数在通带内小于25 dB,消耗电流为30 mA.     

基于55 nm CMOS工艺的可变增益放大器

为了实现5G通信系统中高数据传输速率的要求,满足宽带条件下接收信号幅度的大动态范围变化,基于Global Foundries 55 nm CMOS工艺提出一种宽带且增益大范围线性变化的可变增益放大器.在该可变增益放大器中,采用改进型Cherry-Hooper放大器结构使其动态范围和电路带宽有效扩展,并利用晶体管的可调谐特性,在不使用附加电路的前提下使增益变化具有良好线性,解决了CMOS电路中放大器增益与控制电压非线性变化的难题,同时添加低截止频率的高通滤波器,消除可变增益放大器的直流偏移,并降低其误码率.版图仿真结果表明,在-33.4～46.9 dB的超宽动态范围内实现增益线性变化,3-dB带宽对应的频率达到1.89 GHz(0.000 12～1.9 GHz),可变增益放大器芯片(核心区域,不含焊盘)面积仅为0.006mm~2.该可变增益放大器指标完全满足目前5G宽带通信系统的要求.     

视频放大器及其时序增益控制电路

设计了一种光电探测器前置视放及时序增益控制电路,给出了电路的工作原理、设计考虑及参数计算,解决了高灵敏与误测干扰的问题。     

基于89C51单片机控制放大器增益的设计

用单片机控制放大器增益,实现放大器增益扩程功能,以满足不同幅度信号对放大器增益的要求.分析了单片机控制放大器增益的原理、设计思路,给出了计算公式和设计电路.     

Zigbee接收机内嵌CMOS程控增益放大器设计

针对低中频结构Zigbee接收机,设计一个CMOS程控增益放大器,在低功耗下实现了宽dB线性动态范围和高线性度。程控增益放大器提供70dB数字控制的线性动态范围,增益步长为2dB,增益误差≤±1dB,工作带宽1MHz～3MHz,最大增益时IIP3为1.86dBm,功耗3.14mW。采用SMIC 0.18 CMOS工艺,供电电压1.8V。     

采用负电阻技术的增益恒定放大器

对传统型单级差分放大器在先进工艺下的增益降低进行分析,在电路设计实现上提出了具体的改进方法.通过金属氧化物半导体(MOS)管的交叉耦合正反馈形成了小信号负电阻,并通过负电阻抵消放大器的正的输出电阻,通过小信号负电阻的大小设置,使得其增益能表达成为两个跨导的比值,并且能实现先进工艺下增益的提高,因而增益能不受工艺和沟道长度的影响,具有优异的工艺兼容性,适用于低压应用和深亚μm工艺.基于此结构,实现了工艺转换而无需再设计的放大器.仿真结果表明,该运算放大器能实现不同工艺下的增益恒定以及稳定的相位裕度.     

四光耦线性隔离放大器原理及实验研究

应用普通运算放大器LF353和普通光耦TLP521设计了一种新型线性隔离放大器．介绍了设计方案及其电路结构，并分析了其工作原理．实验结果验证了本设计方案的正确性．和同类放大器比较，该隔离放大器除了在性能上和集成模拟隔离放大器相接近外，还具有电路结构简单、易于实现、造价低廉等优点．     

一款新型超低功耗可控增益放大器的研究与设计

设计了一种新型超低功耗可控增益放大器,对其构成及工作原理进行分析。考虑到不同于常用的可控增益放大器,设计需要满足系统在恶劣环境下稳定运行;且系统超低功耗的要求。因此对可控增益放大器采用了休眠-唤醒机制、高线性度电阻衰减电路以及亚阈值电路设计方法;并通过搭建仿真平台对设计的可行性进行验证。仿真结果表明,接收器可在温度-40℃—125℃,电源电压2.3 V—5 V的环境下可靠工作,且在该工作范围内超低功率运行。     

可变增益放大器AD604在B超前端电路的应用

本文介绍了B超前端电路的对放大电路的要求，介绍了AD604的特点，给出其放大倍数的详细计算方法，针对几种不同类型的可变增益放大器，综合考虑选择AD604来实现B超前端电路的放大，给出了其放大电路原理图，并讨论了其供电问题。     

光纤喇曼放大器增益特性分析

根据SRS（Simulated Raman Scattering)的前向耦合波方程，给出了光纤喇曼放大器的增益表达式，分析了光纤喇曼放大器的增益与泵浦波功率和光纤长度之间的关系。     

低功耗、高线性CMOS可编程放大器

针对接收机前端中可变增益放大器需要高线性处理大信号的问题,分析了使用源极退化电阻以及跨导增强电路的放大器线性度;设计了使用改进型跨导增强电路的放大器。它具有更强的跨导增强能力,同时减小了输入M O S管跨导由于漏源电压变化产生的非线性失真。提出了一种对称的可变电阻结构,它降低了M O S管开关带来的非线性。仿真结果表明,放大器在3.3V电源电压下直流功耗为1.5mW,在1~10MH z带宽、3~24 dB增益范围内,差分输出信号峰峰值为3.3V时,总谐波失真低于-60 dB。     

放大器增益—带宽积的研究

本文通过对几种放大电路的分析，阐述了放大器在电路和晶体管确定之后，“其增益与通频带的乘积基本上是个常数”这一重要概念．并指出了在设计宽带放大器时，为了进一步展宽频带应采取的方法     

可编程增益放大器AD526在应变测量中的应用

在动态应变信号测试中，经常需要根据信号的幅值不断调整放大器的放大倍数，测量电路复杂，精度低。采用可编程增益放大器和单片机构成自动调整放大增益的应变测试系统，该系统可对动态小应变信号进行采集处理，测量精度高，通用性强。