电子束辐照纳米TiO2多孔薄膜及在太阳电池中的应用

用电子束辐照了纳米TiO2多孔薄膜,并将其应用于染料敏化太阳电池,结果表明,电子束辐照可以提高太阳电池的短路电流,而开路电压基本不变.运用XRD分析了电子束辐照前后纳米TiO2多孔薄膜的晶型和晶粒度,发现电子束辐照不会造成纳米TiO2由锐钛矿相向金红石相转变,其晶粒度随电子束辐照注量的增加,存在着先增大、再减小,然后再增大的趋势.运用XPS分析了电子束辐照前后纳米TiO2多孔薄膜中Ti、O的化学状态,说明电子束辐照主要是使纳米TiO2多孔薄膜中氧充足状态的O1s逐渐减少,而不是通过Ti3+来改善太阳电池的性能.     

掺杂Sb的SnO2基陶瓷导电薄膜的研制

对 Sn O2 陶瓷导电薄膜的特性、导电机理、制备、应用进行了叙述 ,并且利用喷涂热解工艺制备了 Sn O2 陶瓷导电薄膜 ,探讨了掺杂剂Sb的掺杂量、喷涂溶液的浓度对 Sn O2 导电薄膜电阻值的影响     

电子束辐照对二氧化锡纳米晶生长的影响

通过溶胶凝胶法制备二氧化锡纳米晶,然后利用电子束辐照技术对其进行辐照。与未辐照样品对比表明:辐照样品的结晶性更好,比表面积比未辐照样品明显提高,辐照剂量为1 400kGy,辐照样品的比表面积近2倍于未辐照样品。同时发现辐照样品在538和680cm-1出现了新的拉曼峰。研究结果表明:电子束辐照技术对二氧化锡纳米晶成核和量子点生长是一种重要手段。     

掺锡氧化铟导电玻璃的表面改性及其性能研究

采用溶剂超声、H2SO4溶液浸泡和NaOH溶液处理等方法对掺锡氧化铟(In2O3:Sn)导电玻璃进行了表面改性,基于原子力显微镜(AFM)和接触角表征以及表面能计算,研究了改性方法对其表面形貎和润湿性能的影响.研究结果表明:In2O3:Sn导电玻璃的表面性能与改性方法密切相关,H2SO4溶液浸泡和NaOH溶液处理能够更为有效地降低表面粗糙度、改善表面形貎、提高表面能和表面极性度,并且In2O3:Sn导电玻璃表面能的变化主要来源于表面能极性分量的变化.     

复合掺杂固体电解质氧离子导电性的回归模型

基于导电粒子模型分析,采取数学简化处理手段,建立了关于氧离子导电电解质掺杂体系的数学模型和线性回归方程．测量了采用Y2O3,Sm2O3,Nd2O3,La2O3复合掺杂形成的Ce0.8Gd0.2-xMxO1.9-δ的一系列组分的高温电导率．运用该线性回归数学模型分析某些已有数据和本试验数据,都得到线性相关性较好的结果．分析表明,掺杂离子和所取代离子的半径差越大,离子导电性越高．改进该模型可望使之具有更好的预测性．     

Sn(Ⅳ)-Sb(Ⅲ)-NH3-NH4Cl-H2O体系热力学分析及其应用

应用同时平衡原理和电中性原理对Sn（Ⅳ）-Sb（Ⅲ）-NH3-NH4Cl-H2O体系进行热力学分析，得到标准状态下该体系的[Sn^4＋]T和[Sb^3＋]T与pH值之间的关系曲线，以此为基础对该体系的沉淀机理进行研究。研究结果表明：体系pH值决定沉淀反应的可行性和反应进行的方向；采用常规共沉淀方法制得的锑掺杂二氧化锡前驱体为Sn（OH）4和Sb4O5Cl2 2种沉淀的不均匀混合物；添加缓释剂进行均相沉淀、采用并流沉淀或在沉淀反应前使用适当的配位剂可获得锑掺杂均匀的二氧化锡。     

钢化过程中低辐射玻璃SnO_x:F薄膜氧含量的变化及其影响

采用有机金属化合物化学气相沉积法(MOCVD)在浮法玻璃上沉积了F掺杂的氧化锡薄膜,制备低辐射镀膜玻璃,并在高温电阻炉和钢化炉内分别进行热处理和钢化实验,对不同条件下的电学性能进行了研究。采用XPS和AES对薄膜中[O]/[Sn]平均含量的变化进行了分析。结果表明,在650℃之内,表面电阻没有发生明显改变,但此后快速上升至86.68Ω/□;薄膜O和Sn的含量不符合化学计量比,[O]/[Sn]比均小于1.20;随着热处理温度的提高和时间的延长,薄膜中O含量有所提高,与表面电阻的变化趋势接近。     

纳米Y2O3掺杂CeO2固体电解质导电性能及机理研究

以纳米粉体为原料，采用固相反应法制备了Y2O3掺杂CeQ2、运用XRD分析了它们的相组成和结构，在300℃-1000℃温度范围内利用交流阻抗谱技术，试其电性能。结果表明在掺杂范围内，固体电解质存在三种不同的导电机理。     

制备工艺对ATO超细粉体导电性能的影响

采用化学共沉淀法制备锑掺杂二氧化锡（ATO）超细导电粉体,研究了反应温度,滴定终点pH值,掺锑量及锻炼温度对粉体导电性的影响,并对实验结果进行了讨论。     

SNO2掺Sb薄膜导电机理

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。本文介绍了掺锑氧化锡（ATO）薄膜的导电机理和光电性能。掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈＋4价,掺杂的Sb分别以＋5和＋3价形式存在。对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。     

MO-PECVD SnO2气敏薄膜的制备及表征

目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺，研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征，对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。     

制备方法对稀土Gd掺杂SnO2/Sb电催化电极性能的影响

分别采用浸渍法、 溶胶-凝胶法, SnCl₄·5H₂O, Sb ₂O₃ Gd(NO₃)₃为 原料, 制备了稀土Gd掺杂SnO₂/Sb涂层电催化电极. 以苯酚为目标有机物, 考 察了电极的电催化氧化性能, 初步探讨了电极结构与电催化特性之间的关系. 采用SEM, XRD, XPS和EDX等手段对不同方法制备电极的表面形貌、 晶体结构、 电极表面涂层的 元素化学结合态及元素组成进行了表征与分析. 结果表明, 溶胶-凝胶法制备的电极为纳 米涂层电极, 表面裂纹较少, 晶体发育完全, 有利于SnO₂, Gd₂ O₃和 吸附氧的表面聚集, 进而提高了电催化电极的性能.     

SnO_2纳米粉体的制备研究

以Sn粒为原料,在柠檬酸体系中,用溶胶凝胶法合成了四方晶系的SnO2粉体.对前驱体进行了TG-DTA分析,用XRD、TEM对产物的组成、粒径大小、形貌进行了表征.结果表明:Sn∶柠檬酸的摩尔比为1∶2,煅烧温度在550℃时可生成粒度小、纯度高的SnO2纳米晶粉体.     

沸石负载复合氧化物粒子电极的制备及其电催化活性

以经预处理的沸石为基体,采用溶胶-凝胶法制备了以Sn和Ti组成的双组份氧化物为负载层的新型粒子电极。SEM、XRD、EDS的表征显示,Ti和Sn的氧化物薄膜以高度分散的形态沉积于沸石孔道内。电催化活性的测定结果表明,Sn与Ti的物质的量比、溶胶的pH值、膜的热处理温度是影响粒子电极催化活性的主要因素,当n(Sn)∶n(Ti)为0.1,溶胶的pH值为3,膜的热处理温度为450℃时,复合金属氧化物粒子电极的催化活性最高,所构成的电催化反应器对抗生素废水的CODC r去除率达89%以上,电流效率为74.37%,每kg COD能耗为18.24kW.h。     

有机锡化合物{(PhCH2)2Sn[4-NC5H4CON2C(CH3)CO2](H2O)}2的合成及晶体结构

合成了有机锡化合物{(PhCH2)2Sn[4-NC5H4CON2C(CH3)CO2](H2O)}.用X-射线单晶衍射测定了该化合物的晶体结构,结果表明,在该配合物的晶体中,锡原子呈五配位畸变三角双锥构型.     

温度循环条件下镀锡引脚的晶须生长

在热循环条件下,对电镀纯Sn覆层的器件引脚的锡须生长进行了评估.当器件经历500与1 000次温度循环后,纯Sn镀层表面会产生致密的热疲劳裂纹,伴随生长出许多锡须.由于镀层表面的SnO2氧化膜与镀层中Sn的热膨胀系数(CTE)存在较大的差异,在温度循环条件下发生SnO2与Sn的热失配,进而在其界面处产生了极大的交变应力,最终导致SnO2氧化膜破裂,为锡须生长提供了条件.此外,在Sn镀层与Cu基板界面处形成的Sn-Cu金属间化合物(IMC),提供了锡须生长的驱动力.镀层中的Sn原子在压应力的驱动下,沿着氧化物表面裂纹位置挤出,从而释放了压应力形成锡须.在锡须生长的初始阶段,阻力较大,故而速率较慢,在锡须突破表面氧化物层后,阻力较小,故加速了锡须的生长.     

Sn/Sn3O4?x heterostructure rich in oxygen vacancies with enhanced visible light photocatalytic oxidation performance

Sn3O4,a common two-dimensional semiconductor photocatalyst,can absorb visible light.However,owing to its rapid recombina-tion of photogenerated electron?hole pairs,its absorption is not sufficient for practical application.In this work,a Sn nanoparticle/Sn3O4?x nanosheetheterostructurewaspreparedbyin situreductionofSn3O4underaH2atmosphere.TheSchottkyjunctionsformedbetweenSnand Sn3O4?x can enhance the photogenerated carrier separation ability.During the hydrogenation process,a portion of the oxygen in the semicon-ductor can be extracted by hydrogen to form water,resulting in an increase in oxygen vacancies in the semiconductor.The heterostructure showed the ability to remove Rhodamine B.Cell cytocompatibility experiments proved that Sn/Sn3O4?x can significantly enhance cell compat-ibility and reduce harm to organisms.This work provides a new method for the fabrication of a Schottky junction composite photocatalyst rich in oxygen vacancies with enhanced photocatalytic performance.     

铟锡氧化物热等静压时分解氧对裂纹形成的作用

用化学共沉淀法制备的铟锡氧化物复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化所得靶材常常会产生裂纹．用电子探针分析了铟锡氧化物热等静压后裂纹处铟、锡和氧的成分分布．结果表明,裂纹处铟含量极低,锡含量极高,而氧含量低于配比含量,这与Ｉｎ２Ｏ３ 和ＳｎＯ２ 在高温下不同的分解行为有关;粉末经高温煅烧预处理后,进行热等静压致密化所获得的靶材的相对密度可达到９８ ％ 以上,且裂纹大大减少．     

溶胶-凝胶法制备纳米SnO2

运用溶胶-凝胶法合成前驱物Sn（OH）4胶体，在不同温度下加热分解得到一系列纳米SnO2试样，并用X-射线衍射（XRD）图谱和透射电子显微镜（TEM）表征不同温度下热处理得到试样的结构和形貌，研究了分解温度与产物粒径大小之间的关系以及微晶生长动力学。