引力场能量公式的推导研究

提出了低于光速的物质为正物质、等于光速的物质为0(零)物质、超光速的物质为虚物质的概念,这些物质概念是建立新引力场理论的基础。并论证低于光速的正物质(三维空间物质)具有正引力场能,外在表现为放热(或有热辐射),有正引力场(有向心力、正引力)。等于光速的0(零)物质有0(零)引力场,也论证了超光速的虚物质(四维空间物质、暗物质)具有负引力场能,外在表现为吸热,具有反引力场(排斥力),超光速的虚物质(四维空间物质、暗物质)因为具有负引力场能,结果导致了宇称不对称现象。推导出了静态物质的引力场能量公式φ_v=KMC~3(K=1),并算出引力场运动的速度为8.988×10~(16) m/s,它是宇宙中物质运动的速度上限。     

高能量场四维空间导致时间场速度变慢的研究

提出了低于光速的物质为正物质、等于光速的物质为0(零)物质、超光速的物质为虚物质的概念,这些物质概念是建立新引力场理论的基础。并论证低于光速的正物质(三维空间物质)具有正引力场能,外在表现为放热(或有热辐射),有正引力场有向心力、正引力)。等于光速的0(零)物质有0(零)引力场,也论证了超光速的虚物质(四维空间物质、暗物质)具有负引力场能,外在表现为吸热,具有反引力场(排斥力),超光速的虚物质(四维空间物质、暗物质)因为具有负引力场能,结果导致了宇称不对称现象。论证了超光速四维空间导致时间场速度变慢的机制,也论证了在高度扭曲的四维空间中一个物体可以同时出现在2个不同的时间点上,为将来研究制造出时间机器做好了理论上的准备。     

引力场理论的研究

提出了正物质、零物质、虚物质的概念,这些物质概念是建立引力场理论的基础,建立了引力场理论体系,并提出正引力场,0(零)引力场,负引力场的概念,并推导出引力场运动的速度V引为KC2(C为光速,K=1,单位∶m/s),它是宇宙中物质运动的速度上限,并推导出物质的引力场能Φ=KMC3(K=1,单位∶s/m)。     

SiOx薄膜微结构的正电子谱学研究

实验中选择Si（N型,（100面）,3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底,利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜,并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱（DBS）测量在慢正电子束流装置上进行．正电子湮没结果显示随退火温度增加,SiOx薄膜中有纳米晶硅生成,使正电子的捕获缺陷减少,从而使S参数呈下降趋势．     

ZnO压敏材料的PAT研究

ZnO压敏材料自60年代问世以来发展迅速,应用越来越广泛,市场对材料性能也不断提出新的要求.如何从实验中研究出性能优良、价格低廉的实用材料和器件一直成为该领域科技人员努力的目标,其技术突破的关键又在于寻找合适的掺杂配方和烧结工艺.本文试图用正电子湮没寿命方法研究材料性能与掺杂量及烧结工艺之间的内在联系,探讨不同条件下微观结构的变化,以期寻求一种优化掺杂和工艺的新方法.从结果来看,这种研究方法是有意义的.     

高温超导体的正电子湮没研究(续)

本文在文献的基础上,进一步测量稀土系YBaCu_xO_y在T_c附近的正电子寿命谱,同时测量了成分相同非超导样品,实验结果证实超导寿命谱在T_c附近有跃变发生,伴随无规则振荡现象,至于非超导样品,τ-T曲线形式则无跃变发生.还测量了非稀土系高T_c超导体BiSrCaCu_xO_y在相变温区的正电子寿命谱,也发现在T_c附近有跃变、无规则振荡,但振荡区域比稀土系样品要宽.样品YBaCuO中,Y,Ba,Cu的氧化物按1:2:3配比,以不同的氧含量,得到T_c=90 K的超导样品Ⅰ和非超导样品Ⅱ.样品BiSrCaCu_xO_y中,按配比Bi:Sr:Ca:Cu=1:1:1:2,以适量氧含量,得到T_c=83 K的超导体Ⅲ,所有样品均为圆片,直径约为15mm,厚为1.5mm.放射源为强度8×10~5Bq的~(20)Na正电子源,衬底为Mylar膜.两片相同的样品夹住正电子源,置于样品架中.测量在空气中进行,测量所用的寿命谱仪为标准的块一块符合系统,对~(60)Co     

电子辐照金红石TiO2晶体的正电子湮没技术研究

以电子辐照金红石相TiO2晶体为研究对象,以正电子湮没多普勒展宽能谱和符合多普勒展宽谱为主要的研究手段,对不同辐照参数时的空位型缺陷类型和浓度进行表征.多普勒展宽能谱测试结果表明,S参数随辐照剂量的增加先变大后变小.S-W曲线和符合多普勒的实验结果验证了Ti3＋-VO复合空位的存在.     

Finemet合金核外电子相互作用的多普勒展宽谱

采用双高纯锗探头符合的正电子湮没辐射多普勒展宽谱测量了Finemet合金各组元的商谱以及在350,380,400 ℃下退火(10 min)的Finemet非晶薄带的商谱,对Finemet合金热处理过程中元素核外电子间的相互作用进行了研究.结果表明,Finemet合金淬火态商谱的谱峰比纯金属元素Fe,Cu,Nb的谱峰要低,Fe和Nb之间存在着3d-4d轨道键合作用.随着退火温度的升高,Fe原子的3d电子与Nb原子的4d电子之间的轨道键合作用增强,商谱谱峰降低,Cu原子易在表面富集,而Nb原子则在非晶薄带中富Fe区域里重新分布.     

Study on Defects in Fe-Doped SrTiO_3 by Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy

SrTi_(1-x)FexO_(3-d) ceramics were prepared using a traditional solid-state reaction method. From X-ray diffraction(XRD) result, we found that the doped Fe~(3+) dissolved in the lattice, and no secondary phase was observed. Cation vacancies in perovskite oxides were identified via positron annihilation lifetime spectroscopy(PALS) measurements. Undoped and Fe-doped SrTiO_3 ceramics and single-crystal SrTiO_3 were measured by PALS at room temperature. The results show that the main defects in undoped SrTiO_3 ceramics are Ti-related defects, and the isolated Ti vacancy lifetime is about 183.4 ps. With the increase of Fe~(3+), the concentration of the Ti vacancies decreases accompanied by the appearance of the V 'Sr-nVggO(defect association of Sr vacancies and multiple O vacancies) vacancy defect complexes.     

La_(0.67)Sr_(0.33)Mn_(1-x)Fe_xO_3体系的正电子湮没研究

采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0x0.2)的系列样品.利用X射线衍射、激光拉曼、正电子湮灭等实验手段并结合输运测量,对该系列样品进行了研究.结果表明,各样品均为正交钙钛矿结构;随着掺杂量的增加,样品的电阻率ρ急剧变大,绝缘体-金属转变峰随着掺杂浓度x的增加,峰值对应温度向低温区移动,这是由于样品内部晶体结构的变化所导致的.掺杂样品中缺陷及电子结构的变化与掺杂浓度密切相关,这主要是由于样品中的Mn3+被Fe3+所替代,部分Mn3+-O2-Mn4+铁磁双交换作用键被打断,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争以及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素的影响所导致的.     

金属微粒-介质复合薄膜(Ag-BaO)的正电子湮没寿命实验

以真空蒸发方式制备的金属微粒-介质复合薄膜,会存在各种不同的微观结构缺陷。为研究它的这种缺陷,制备了Ag微粒-介质(BaO)复合薄膜,并在不同温度下退火,对这些样品做了正电子湮没寿命实验,结果发现随退火温度升高正电子湮没平均寿命减少,这是因为表征金属微粒与介质之间界面状况的缺陷经退火而得到改善。