任意角入射时matlab在电磁屏蔽材料设计中的应用

通过半波损失与叠加原理对电磁屏蔽材料的吸收原理进行阐述,利用网格法对影响反射系数的参数阻抗与频率等参数进行优化设计,优化结果有利于不同频段实际材料的设计和应用。     

掺杂纳米稀土氧化物的电磁屏蔽材料的电磁匹配规律研究及设计

利用电磁波传输理论推导出了电磁屏蔽材料表面反射率公式、基于电磁参数广义匹配规律下总后向反射率公式和预设总后向反射率取值的表面反射率公式;通过3维网格法理论分析了电磁参数对表面反射率和总后向反射率的影响,并使用掺杂了纳米稀土氧化物的电磁屏蔽材料进行优化设计.研究结果表明:在电磁屏蔽材料的设计中应主要调节材料的电损耗ε;掺杂了少量纳米稀土氧化物的电磁屏蔽涂层能实现在2～18 GHz内有大于6 dB的衰减值,即表明掺杂纳米稀土氧化物能够较好地提高材料的电磁屏蔽性能.     

ZrO2基固体氧离子导体的Y2O3、Gd2O3复合掺杂

在纳米Y2O3稳定ZrO2粉中,加入不同摩尔分数(0.0-10%)的纳米Gd2O3粉进行复合掺杂.当Y2O3和Gd2O3与ZrO2的摩尔比之和小于8%时,烧结样品为四方相或四方/立方混合相;超过8%,完全为立方相.复合掺杂Y2O3和Gd2O3的ZrO2固体氧离子导体的电导率优于单独由Y2O3稳定的ZrO2固体氧离子导体.当Y2O3和Gd2O3与ZrO2的摩尔比之和为8%-9%时,样品电导率有最大值.在1000℃时,掺3.0%Y2O3和5.0%Gd2O3的1300℃烧样品的电导率为5.1×10-2Scm-1.     

Y2O3薄膜热应力分布的有限元模拟

对采用射频磁控溅射法制备的Y2O3红外光学薄膜的热应力进行了分析,随着沉积温度的升高,薄膜内热应力变大;并通过计算机对热应力分布进行了模拟,剪切力随沉积温度升高而变大,且在薄膜边缘处具有极大值。     

ZrO2—Y2O3—Al2O3系统的拉曼光谱

测试了60％ZrO2(4.05%Y2O3)-40%a-Al2O3(ZYA)(百分数全为重量比）粉末样品受机械压力前后的拉曼光谱和纯ZrO2粉末样品的拉曼光谱,样品光谱的对比研究表明,四方相ZtrO2受到50MPA的冲压后,约64％转化为单斜相,由此证明了四方相ZrO2陶瓷基质的相变增韧机制,文中同时给不同相ZrO2拉曼活性模的群论分析结果。     

Y2O3：Eu^3＋电荷迁移激发光谱的纳米效应

利用低温燃烧法合成Y2O3：Eu^3＋体相及纳米粉体材料,通过XRD图谱和电荷迁移（CT）激发光谱测定粉体的平均尺寸、电荷迁移能及CT激发光谱能量跨度。在理论分析与实验验证的基础上,探讨Y2O3：Eu^3＋发光材料的纳米化对电荷迁移（CT）激发所需电荷迁移能的影响。结果表明：在Y2O3：Eu^3＋材料发光中心CT激发的谐振子模型中,发光中心的振动频率ω（基态）及ω’（CT态）将随材料纳米尺寸的下降而下降;CT激发光谱能量跨度Espan以及CT激发中发光中心所获得的振动能量Evib将随CT态振动频率ω’的下降而下降;此外,基于发光中心零声子电荷迁移能Ezp以及发光中心振动能量Evib随Y2O3：Eu^3＋纳米尺寸的下降幅度,求得CT激发所需电荷迁移能ECt的变化幅度,所得结果与实验测量值基本相符。该文揭示了Y2O3：Eu^3＋材料纳米化后CT激发能的下降以及CT激发光谱能量跨度的收缩机理,具有一定的理论和实际意义。     

Y2O3：Er纳米透明陶瓷的制备及其显微结构研究

以甘氨酸为燃烧剂,采用低温燃烧法制备了Y2O3：Er纳米前驱体粉末,采用XRD和TEM对纳米粉末的物相结构及其形貌进行了表征,结果表明前驱纳米粉末为分散均匀、轻微硬团聚、粒径均一、Y2O3立方晶相。前驱纳米粉末经研磨、高压钢模成型和1570℃真空烧结6h得到Y2O3：Er透明陶瓷。通过光学显微镜对陶瓷表面及断裂面观察和分析,定性讨论了低温燃烧法制备的纳米粉体的特性对陶瓷透光性的影响。     

Bi3+、Eu3+在Y2O3-B2O3-Nb2O5体系中发光性能的研究

采用固相反应法合成了Y2O3-B2O3-Nb2O5:Bi^3 、Eu^3 发光体。通过X-射线粉末衍射确定了其结构;通过激发光谱和发光光谱的测试,讨论了材料的发光特性及Bi^3 对Eu^3 的敏化作用。     

电磁屏蔽材料在现代室内装修中的应用

电磁污染已经成为环境的第五大污染,但同时又是经常被普通民众忽视的一大污染。研究开发并且推广具有电磁屏蔽功能的建筑材料可以有效防止办公室和家居的电磁辐射污染。本文对电磁屏蔽的原理和目前建筑用电磁屏蔽材料做了综述,并提出了应用展望。     

电磁屏蔽在电子机箱设计中的应用

电磁屏蔽是电子设备抗干扰的关键,机箱电磁屏蔽效能的好坏直接影响电子设备的电磁兼容性能。本文针对机箱上容易出现的电磁汇漏进行了分析,给出了相应的电磁屏蔽措施和设计方法,有效提高了机箱的屏蔽效能。     

高发光强度上转换材料Y2O3 ∶Er,Yb纳米晶的制备

将反相乳液合成方法与水热处理方法相结合, 获得Y₂O₃ ∶Er,Yb纳米晶的前驱体, 经过一定温度灼烧, 获得了高发光强度的上转换Y₂O₃ ∶Er,Yb 纳米晶,经水热处理的纳米晶样品具有更好的晶体结构, 有利于激发电子在Er离子^{4F_9/2能级上的分布，进而导致红色发射强度极大地提高.}     

Y2O3掺杂对WO3压敏非线性及介电性能的影响

在Y2O3掺杂量(摩尔分数)为0.2%～2%的范围内研究了Y2O3掺杂对WO3的非线性伏安特性及介电性能的影响.实验结果表明:随Y2O3掺杂量的增加,样品的非线性系数先增大后减小,在Y2O3掺杂量为0.8%附近达到最大值(3.61);样品的介电常数(在1kHz频率下测量)也是先增大后减小,其最大值(1.16×104)出现在Y2O3摩尔分数为1.2%附近的样品中.测量了各样品的阻抗频率依赖关系,并由此估算了不同Y2O3含量样品的晶粒电阻,利用德拜弛豫关系式解释了Y2O3掺杂引起WO3介电常数与晶粒电阻变化的关系.Y2O3掺杂的WO3陶瓷是一种新型的压敏电容材料.     

红色Y2O2S:Eu3+磷光材料的沉淀法制备和发光性能研究

月沉淀法制备了Eu3+掺杂的Y2O2S磷光材料,测量并研究了掺杂不同物质的量的Eu3+离子的Y2O2S磷光材料的发射谱和激发谱.发射光谱对应了Eu3+离子5DJ(J=0,1,2,3)-7FJ(J=0,1,2,3,4)的特征发射,激发光谱主峰对应260,345,468,540 nm等,余辉时间(到人眼的最小亮度分辨率0.32 mcd/m2)可达1 h以上.     

湿化学法合成Y2O3—PSZ微粉的研究

本文提出了制备 Y-PSZ 微粉体的方法.具有线性结构的氢氧化锆被确定为前身粉末.通过胶溶,使氢氧化锆沉淀形成稳定的溶胶.用乙醇和丙酮脱去氢氧化锆凝胶中包襄的水分,可给出均匀和快速干燥的粉末.氢氧化锆前身粉末煅烧以后,可以得到亚微米级白色的 Y-PSZ 微粉.     

Ti3C2Tx薄膜制备与电磁屏蔽性能研究

为了减少电磁屏蔽对设备的影响,采用真空抽滤方法制备了一种超薄Ti3C2Tx薄膜,在2～18 GHz研究了其电磁屏蔽性能.用扫描电子显微镜(SEM)表征了Ti3 C2 Tx薄膜断面的微观形貌,X射线衍射仪(XRD)测试了Ti3 C2 Tx薄膜成分.结果表明:制备的Ti3 C2 Tx薄膜,具有超薄性、高导电性和高电磁屏蔽性...     

射频磁控反应溅射制备Y2O3薄膜沉积分布的研究

金刚石具有高透过率、高热导率、高的化学和热稳定性以及优异的力学性能，是制造高速飞行器红外窗口和头罩的理想材料。然而，在高速飞行时，由于空气动力加热会产生很高的温度，使金刚石迅速发生氧化，导致透过率急剧下降。为此，需要在金刚石表面制备抗氧化增透涂层。本文采用射频磁控反应溅射法制备Y2O3薄膜，观察了薄膜的沉积分布，并通过电磁场理论对沉积分布进行了探讨，结果表明：在腔体内的电场线分布是导致薄膜厚度周期性变化的主要因素。     

La2O3/Y沸石上La2O3与Y型沸石载体的相互作用

用X射线衍射法(XRD)和骨架红外光谱法(IR)研究了La2O3／Y沸石上La2O3与Y型沸石的相互作用．结果表明：La2O3在Y型沸石上自发分散，且分散阈值较高；La2O3的引入对载体的结构具有破坏作用，且随负载量的增大骨架破坏得越厉害；La2O3负载过程中有部分La进入骨架内部．     

Y2O3-Al反应合成YAG相变分析

针对高纯Y2O3和Al粉体之间发生的相变和Y2O3-Al粉体固相反应法制备的YAG粉体进行了研究。Y2O3-Al粉体在摩尔比3∶10和转速200 r/min条件下球磨12 h,在1 200℃空气中煅烧2 h生成YAG粉体。采用DTA-TG表征混合的Y2O3-Al粉体热物性,并采用XRD、SEM表征混合的Y2O3-Al粉体、YAG粉体特性。实验表明：Y2O3-Al粉体在569℃时,Al粉氧化显著,Al氧化物继续与Y2O3粉反应;600℃煅烧后出现YAM相,800℃煅烧后显现YAP相,1 200℃煅烧生成YAG粉体;混合的Y2O3-Al粉体和煅烧的YAG粉体粒径均为亚微米级,粉体存在软团聚。     

电磁屏蔽技术在电子设备中的应用

本文针对电子设备在机箱选材、孔洞和缝隙的处理等环节容易出现的电磁泄漏，提出了相应的电磁屏蔽方法，有效地解决了电子设备的电磁兼容超标问题。     

纳米Fe2O3-Al2O3复合材料的制备

采用溶胶-凝胶表面包覆法制备了纳米Fe₂O₃-Al₂ O₃复合材料, 利用X射线衍射和透射电镜对样品的物相、 粒度和形貌进行了研 究. 结果表明, α-Fe₂O₃掺杂降低了Al₂O₃相变温度, 在900 ℃可以得到稳定的α-Al₂O₃相.