ZnO陶瓷键合Cu电极技术的研究

研究了Ｃｕ－ＺｎＯ陶瓷键合技术，并探讨了其作为电极用在线性ＺｎＯ陶瓷电阻器上对器件性能的影响，运用扫描电镜对Ｃｕ－ＺｎＯ陶瓷的键合结构进行了分析，测量了键合Ｃｕ电极后的接触电阻及器件耐电流冲击的稳定性，并与镀Ｃｕ、喷Ａｌ及烧Ａｇ电极进行了分析对比。同时，研究了键合Ｃｕ电极的工艺对ＺｎＯ陶瓷本体电阻产生的影响。     

埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进

运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失败.通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统,提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度.从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面,使键合电压直接加在耗尽层上,避免埋氧层厚度对键合的影响,提高键合静电力.实验表明,通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与玻璃间的键合,该设备还适用于其他异质材料间的阳极键合.     

单晶硅表面键合复合份菁及其伏—安特性

用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ－Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在于电子势垒。     

介质阻挡放电电压对阳极键合材料表面性能的影响

通过亲水角和表面形貌两个标准,探究了介质阻挡放电电压对低温阳极键合材料性能的影响。实验采用1 mm厚的玻璃片和2 mm厚的氧化铝陶瓷片作为阻挡介质,在放电时间为10 s,放电间隙1.5 mm的放电条件下进行活化。实验表明,放电电压为24 kV时,活化效果较好,此时玻璃片亲水角14.3°,硅片亲水角33.5°,玻璃片粗糙度为0.643 nm,硅片粗糙度0.419 nm。     

基于UV光照射在硅片表面活化的阳极键合工艺研究

为了减少阳极键合试验时Si片和Pyrex玻璃片的键合困难,提高硅片表面活性和键合质量,在阳极键合的表面预处理工艺中引进UV光对硅片的活化并对其工艺参数和效果进行评估。基于阳极键合实验的基本流程,采用对比实验,探究UV光对硅片的照射与否,以及对硅片照射的时间长短对硅片表面的影响,并利用大恒图像系列数字摄像机、单轴拉伸测试仪分别对UV光照射前后硅片的活化效果和键合强度进行了测试与表征。结果表明经过该UV光源适当4 min时间照射的硅片,其表面的亲水键合活化能得到很大提高,可以显著地改善键合片的表面状况。验证了该工艺在阳极键合的预处理方法上的可行性和有效性。     

单晶锗表面键合份菁的研究

用一种新的化学方法，将一种份菁键合在抛光的单晶锗表面，对键合有染料的锗片进行了激光Ｒａｍａｎ光谱及ＸＰＳ谱分析，结果表明，光敏染料通过锗氧键共价键合于锗片表面。     

湿法活化工艺对圆片直接键合影响规律研究

为了优化硅圆片直接键合工艺,利用正交试验法,研究了活化液浓度、活化时间和活化温度3个重要工艺参数对硅圆片表面粗糙度的影响规律.试验以活化后表面的承载率BR(bear ratio)高度为指标评价活化效果.其结果表明:活化液浓度对表面粗糙度影响最大,在试验设定水平内浓度越高粗糙度越低;活化时间越长则表面粗糙度越高,必须避免过长的活化时间;而活化温度则对表面粗糙度影响不大.据此结论优化了硅图片的键合工艺,实现了高质量的圆片键合.     

单晶锗表面键合光敏染料的研究

用新的化学方法将一种若丹菁键合在抛光的单晶锗表面．对键全有染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS光谱分析，结果表明，若丹菁通过锗氧键共价键合于锗表面．     

DCB材料的无损检测技术研究

ＤＣＢ材料的键合有效面积是影响ＤＣＢ材料质量的关键因素。根据ＤＣＢ材料的特点，将局部放电和介质电容测量技术相结合，应用于检测ＤＣＢ材料键合质量，并从理论上进行了较为系统的研究，获得了较理想的结果，从而发展了一种对ＤＣＢ材料键合质量进行无损检测的、方便实用的新方法。     

陶瓷过滤器材料及其制备技术进展

对陶瓷过滤器的材料及其生产工艺进行了综述 因非氧化物陶瓷、氧化物陶瓷及其混合物因具有很高的耐热性、抗热震冲击性、高强度、良好的抗氧化性、抗磨损和耐腐蚀等特点而成为高温陶瓷过滤器的首选材料     

轧制温度对复合板初结合强度的影响

研究表明，同种金属复合时，随轧制温度升高．临界变形明显降低；异种金属复合时，合适的轧制温度不仅可降低临界变形程度，而且能显著提高界面初结合强度．用电子显微镜观察分析复合界面形貌证实，温轧复合有不同于冷轧团相复合的粘结机制．     

埋氧层及铝层对SOI／玻璃静电键合的影响

介绍了SOI／Pyrex玻璃静电键合的实验过程和实验现象,利用电流表对静电键合电流进行测量。发现埋氧层厚度越厚,键合电流越小,键合波扩散速度越小。提高键合电压,能有效增大键合电流及加快键合速度。实验也表明玻璃表面溅射铝层对键合产生较大影响。理论分析了产生这些现象的原因,得出埋氧层厚度和键合电压与静电力的关系式。还提出从阳极引一探针电极到SOI器件层,提高玻璃耗尽层与器件层之间电压,实现厚埋氧层SOI片与玻璃键合的方法。     

陶泥的活性评价及其对混凝土抗压强度的影响

通过活性试验对陶泥进行活性测试及评价,并将陶泥作为混凝土辅助胶凝材料,探讨了陶泥对混凝土抗压强度的影响.试验结果表明,陶泥具有反应活性,作为混凝土辅助胶凝材料能与混凝土中水泥水化产物Ca(OH)2发生二次水化反应;陶泥混凝土抗压强度与基准混凝土抗压强度随龄期发展规律相似;随着陶泥取代水泥量(质量分数)的增加,混凝土各龄期抗压强度呈下降趋势;陶泥取代水泥量不超过30%,混凝土强度等级可达到设计强度等级C30或C40;取代量相同时,陶泥混凝土与粉煤灰混凝土各龄期抗压强度比较接近.     

固化剂对环氧胶粘涂层剪切强度的影响

通过试验研究了四种不同固化剂用量，固地环氧胶粘涂层剪切强度及耐水性的影响，并由此推荐出四种固化了佳用量，最佳固化工艺及其适用范围。     

自清洁陶瓷光催化降解油酸特性的研究

制备了表面镀有ＴｉＯ２薄膜的自清洁陶瓷．利用ＸＲＤ、ＡＥＳ和原位光催化反应等方法研究了其光催化降解油酸的特性,考察了热处理条件、膜厚度、光照时间和陶瓷表面油酸浓度等光催化膜制备与反应条件对自清洁陶瓷光催化活性的影响．研究结果表明．油酸光降解为动力学一级反应;自清洁陶瓷的光催化活性决定于负载光催化膜的晶相组成、晶粒大小及其比表面积．     

银合金和锡磷青铜合金复合材料界面结合强度的研究

本文报导了银合金和锡磷青铜合金的复合材料界面结合强度的研究结果:界面的断裂强度不低于银合金的断裂强度,并用Seah的准化学方法计算了复合界面断裂强度,结果表明,界面断裂强度为447.1MN/m~2,略高于银合金的断裂强度,与试验结果一致。     

纳米氧化铜对硝基苯酚的电化学氧化及降解作用

本文通过电化学方法探讨了纳米氧化铜修饰电极对硝基苯酚的电化学氧化及降解作用.考察了在不同p H值和修饰材料存在不同量度条件下,对硝基苯酚的电化学行为影响.结果显示:纳米氧化铜材料能明显地提高硝基苯酚在电极上氧化还原反应的可逆性,ΔE由在裸电极的0.862V降低为0.291V,氧化还原峰电流显著增加.使用钛基纳米氧化铜材料构建的电极,进行对硝基苯酚的电化学氧化,通过紫外可见光谱、高效液相色谱对电解后的溶液检测,结果表明:纳米氧化铜对硝基苯酚具有很好的催化降解作用.