三公分微带型硅超突变结变容二极管

本文介绍了用平面工艺，用液态源气相扩散的方法试制的三公分微带型硅超突变结变容二极管。它具有结电容小，电容变化比大，电压与频率的线性关系较好等优点，与砷化镓变容二极管相比它的工艺简单。     

锗隧道二极管的实验研制

一、引言隧道二极管在无线电技术领域中,显示了广泛应用的可能性。由于应用上对隧道二极管的基本参数提出了各种要求,因此,有必要探明控制隧道二极管基本特性的可能性。本工作根据隧道二极管的制备原理,为了满足应用上对电流峯谷比大、电压摆幅大和时间常数小的要求,寻找其制备的最佳条件,并在此过程中建立及查明其基本参数的可控制条件。我们是按合金法制备锗隧道二极管的,结合实验室具体情况,分别控制:底片浓度、合金成分、熔合温度三个因素中的任意二个,而改变其它一个。p-n 结     

梁氏引线开关二极管用硅外延材料

介绍了研制适合梁氏引线开关二极管用的硅外延材料的工艺过程,通过采用CVD化学气相外延生长技术,对硅源流量与掺杂剂浓度进行精确控制,解决了满足梁氏引线开关二极管用的薄层高阻硅外延材料问题。     

简易脉冲激光能量检测器

一、工作原理图一是硅光二极管用积分电路以检测光脉冲能量的原理图。图中GT是硅光二极管、C是积分电容。先将开关闭合,使电容C充电至电源电压,然后断开电源。当入射光落到硅光二极管的接收面上时,在二极管回路里便引起一个电流脉冲,这时电容C放出电量Q0电量Q是     

用复频率波的概念分析脉沿的陡度

本文用复频率波的概念定义脉冲边沿的陡度,分析隧道二极管组成的网络的自激响应,并以陡度的概念计算沿的上升时间。     

对一种新型全有机复合薄膜的超高密度信息存储研究

用真空热壁法生长了一种新型全有机复合薄膜TTF/m-NBP(tetrathiofulvalene/m-nitrobenzylidene propanedinitrile)。用透射电子显微镜和傅立叶变换红外光谱对薄膜的表征结果证明,该制备方法能够生长出较大面积的化学结构完善的单晶薄膜。用原子力显微镜(AFM)和扫描隧道显微镜(STM)都观察到了TTF/m-NBP薄膜表面的原子级分辨像。通过STM针尖施加脉冲电压在TTF/m-NBP薄膜上实现了纳米级的信息存储,最小记录点直径约为1.2nm。扫描隧道谱分析表明TTF/m-NBP薄膜具有很好的电开关“记忆”特性。初步研究认为其电开关机制可能主要是脉冲电压诱发的TTF电子给体与m-NBP电子受体分子间的电荷转移的变化所致。     

GaAs热氧化自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究

本文介绍利用闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究。采用ZnAs_2作为扩散源,源区温度为610℃,样品在650℃下进行扩散,使用显微镜和染色的方法进行了结深的测量,其实验结果表明这种自生氧化膜具有掩蔽杂质Zn扩散的性能,并用标准的平面工艺,以自生氧化物作掩蔽膜,试制了变容二极管。     

基于副边无源箝位的FBZVZCS变换器的设计与仿真

一种副边带改进的能量恢复缓冲电路的无源箝位ZVZCS全桥变换器,可以有效实现超前臂开关管的ZVS和滞后臂开关的ZCS,同时可以大大降低整流二极管的电压应力,实现副边整流二极管和续流二极管的零电压开关,减小二极管的反向恢复损耗和寄生振荡。对该种变换器各个阶段模态的工作原理和实现软开关的条件进行了分析,对主要参数进行了设计,利用仿真软件Matlab中的Simulink模块对主电路进行了仿真,验证了设计的正确性。     

自偏流检波电路

目前常用的检测高频小讯号电压的方法有两类:一类是检波放大式;另一类是放大——检波式。前者将被测讯号先行检波,然后通过高灵敏度的直流放大器放大,再通过电表或其它方式指示。后者是先将被测讯号放大(一般用外差式),然后再进行检波指示。检波——放大式检测法的优点是频带宽,一般可达10KC～1GC。然而,小讯号检波由于用到二极管的平方律检波特性,因此线性度差,指示不方便,此外由于二极管对小讯号检波的效率很低,一般在无偏流时,对1mv数量级小讯号的检波效率小于0.1％。因此,对后级     

锗隧道二极管基本参数均匀性问题的初步探讨

一、引言隧道二极管参数的一致性差,增益小,输出与输入隔离性不好,是其最大的缺点,这除通过电路技术得到克服外,在隧道二极管的研制问题上,对其参数均匀性控制问题进行探讨是有实际意义的。关于如何控制隧道二极管基本性能参数问题,许多文献有过不少报导。其中例如:1963年等人研究了锗的掺杂浓度对隧道二极管参数的影响,提出了通过选择     

技术市场

高磁导率锰锌铁氧体材料 内容简介 用先进的工艺,解决高μi MnZn铁氧体材料制备中的主要技术和难点,成功制备出μi为6000和10000的MnZn铁氧体材料。 用于低频宽带变压器、脉冲变压器、电源滤波器小型化、高密度磁记录短波长化及电子节能镇流器、照明变压器、燃气热水器磁阀开关。     

GaAs光导开关电极制备工艺及性能测试

为了解决目前GaAs光导开关成品率低、稳定性差和可靠性低等问题,提出了GaAs光导开关的关键电极制备工艺解决方案。该方案首先以半绝缘GaAs材料作为衬底,利用电子束蒸镀机在GaAs衬底上沉积Ni/Ge/Au/Ni/Au金属复合层作为光导开关电极,并对电极进行快速退火使其与GaAs衬底形成欧姆接触;然后,为了隔绝光导开关与外界环境,在GaAs衬底上沉积氮化硅作为钝化保护层;最后,通过在欧姆接触电极上外延场板的工艺,制备出电极间距为4 mm的异面GaAs光导开关。对所制备的GaAs光导开关的测试结果表明：在400℃退火条件下,电极的接触电阻率最低可达到0.019 5Ω·cm²;采用50Ω单脉冲形成线,在工作频率为1 kHz、偏置电压为22 kV时,光导开关的输出电压脉冲为10 kV,脉冲上升时间为亚ns量级。采用该制备方法制备的GaAs光导开关的成品率高达约98%,可稳定工作上万次。     

锗隧道二极管中的过剩电流

研究了深能级杂质 Au 和 Ni 对锗隧道二极背过剩电流的影响,在掺Au锗隧道二极管中,观察到明显的驼峰电流,而在掺 Ni 锗隧道二极管中只观察到指数过剩电流,用萨支唐解释掺 Au 硅隧道结伏安特性的方法对所得结果进行了解释。另外,还研究了普通隧道二极管中的过剩电流。     

Von及C1对E类零电压开关整流器的影响

分析了二极管导通电压Ｖｏｎ及二极管两端并联电容Ｃ１对Ｅ类零电压开关整流器的影响，给出了该整流器在正弦电压源激励下的数学分析式及其数值解。     

射流动态测试装置

为了配合射流元件与系统的动态研究,本实验室试制了射流动态测试装置,包括射流讯号发生器,射流气-电转换器与射流漏脉冲检查记录仪三部分。射流讯号发生器:能较准确地发出从超低频(33分钟1周)到较高频(1000Hz以上)的连续可调的射流脉冲讯号,以便获得供分析研究的确定的射流脉冲讯号。射流气-电转换器:能较好地将射流脉冲讯号转换为足够大的电压讯号,以便利用电子仪器对射流脉冲进行分析研究。目前的性能指标为:分辨能力为1mm水柱,输出讯号大于300mV,频率特性从0到3000Hz以上。射流漏脉冲检查记录仪:能精确地将一列射流连续脉冲中的漏脉冲个数加以检测与累计显示,并对     

三极管开关型Marx脉冲成形电路的改进

介绍了三极管进入雪崩状态的3种方式,分析了采用三极管的脉冲电路的工作机理,研究了三极管做开关的Marx电路中限流电阻在电路中的作用,以及对电路造成的损耗问题及其对输出脉冲电压的影响,采用降低电阻的隔离电压和二极管代替部分电阻的方法提高脉冲电源的输出峰值.通过实验对比了不同方案的十级脉冲发生器的输出,结果表明,改进后的发生器输出脉冲电压幅值更高,二极管代替限流电阻方案的输出脉冲前沿更快,输入功率减小,输出功率增大,发生器的工作效率提高.     

基于Matlab的消弧模型仿真研究

本文对电弧的产生机理进行了分析,提出了一种采用MOSFET开关器件的消弧装置。该装置通过在每一方的开关触点连接一个二极管桥的中点,启动电流脉冲通过并联二极管的桥为短路开关提供一个短暂的接近于零的电压,防止电弧电压发生突变,达到抑制电弧的目的。利用Matlab/Simulink工具,构建智能开关设备的仿真模型并进行了消弧仿真验证。结果表明,本文提出消弧装置具有较好的抑制电弧的能力。     

用光学克尔效应作红外激光脉冲的变换与测量

激光技术的发展已将激光脉冲的宽度压缩到微微秒量级。如此短的激光脉冲将使许多物理、化学等快速过程的研究成为可能,然而对测量技术也带来了较大的困难。对于红外激光脉冲的检测,常用光子牵引探测器、热电探测器及碲镉汞探测器等,其响应时间一般大于1ns。有的则检测灵敏度低或需低温条件等,这就使这类检测技术受到限制。但是在可见光或近红外波段却有一些光电检测技术,尤其是适宜于测量短脉冲的高速照相、双光子荧光技术及快速条纹照相术等,在灵敏度或时间分辨率等方面都大有提高,可是这类检测系统却不能直接用于红外激光脉冲的测量。 1964年,Mayer等首先提出了用强功率偏振光脉冲取代传统克尔开关中的电脉冲而产生双折射效应。Duguay等在这个原理上建立了测量脉冲激光的行波光学克尔开关。其设想是用一强的偏振光脉冲(“开关光束”)在克尔介质内感生一个短暂的双折射,从而对另一偏振方向与之成45°的“探针光束”产生调制作用,也就是使其偏振面产生旋转而得以通过原置于正交位置的检偏器,最后所获得的透射光讯号就反映了原“开关光束”的变化情况。在[3][4]中将上述思想用于10.6μ红光激光脉冲的调制变换,然而由光     

电脉冲触发气体火花开关的研制

结合现有理论与研究成果,研制出了一套既具有良好屏蔽效果又有助于减小脉冲上升时间的同轴一体式气体火花开关装置.通过对开关的自击穿特性及触发特性进行的实验研究表明,开关具有电感小、触发特性好等优点,并成功应用于脉冲源装置.     

4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究

采用平面工艺，用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触，采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触，制作出Ni／4H—SiC、Ti／4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)．研究了在-100～500℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系．实验表明：当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时，器件正向直流压降随温度变化具有线性关系，斜率约为1．8mV／℃，由此，提出了以4H—SiC肖特基势垒二极管为基础的高温温度传感器模型．