库仑作用对顺式聚乙炔中极化子和双极化子稳定性的影响

采用包括库仑长程相互作用的扩展的紧束缚模型，研究了一维强关联体系－顺式聚乙炔（ｃｉｓ－ＰＡ）中极化子和双极化子的稳定性。发现库仑相互作用较弱时，双极化子稳定；库仑相互作用较强时，极化子稳定。     

表面极化子的基态能量

本文研究极性晶体中表面电子与在面光学声子相互作用的性质，采用微扰法导出表面极化子的基态能量．在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论对表面极化子性质的影响，结果表明，反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用对表面极化子的自陷能的影响随耦合常数ａ＿ｓ的增加而加大．     

量子阱中束缚光学极化子

采用线性组合算符及幺正变换方法研究了量子阱中强、弱耦合束缚光学极化子的性质．导出了量子阱中束缚光学极化子的基态能量与库仑束缚势、电子-LO声子的耦合强度和阱宽的变化关系．通过数值计算结果表明：基态能量因电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的不同而不同，它随电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的增大而增大，当电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势取某一定值时随阱宽的增大而增大．     

束缚在高温超导体Cu－O面中的极化子

本文采用绝热近似理论，用变分法讨论了束缚在高温超导材料Ｃｕ－Ｏ面中的极化子。结果表明：Ｃｕ－Ｏ面上对电子的库仑束缚和电子－声子耦合的增强以及材料的光学介电常数与静态介电常数差别的减少，将有利于形成稳定的极化子．     

极性晶体中极化子的性质

本文研究极性晶体中极化子的性质，采用微扰法导出了极性晶体中极化子的基态能量和有效质量。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论对极化子性质的影响，结果表明．反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用对极化子自陷能的影响随耦合常数的增加而增大。     

考虑Rashba效应自组织量子点中极化子性质

在对半导体量子点的研究中考虑自旋一轨道相互作用对极化子基态能量的影响．采用LLP变分的方法研究了电子一声子相互作用．结果表明声子对极化子基态能量起了很重要的作用,而且由于极化子分裂能对极化子基态能量的贡献很大,故在量子点中研究极化子性质时不可忽略极化子分裂能的影响．自旋分裂能随动量增加呈抛物线型增加．随Rashba自旋轨道耦合常数的增加极化子基态能量表现为增加和减少两种截然相反的情况,而两个分裂态中自旋向下的能态更稳定．Rashba效应不可忽略．     

强耦合束缚极化子的速率对量子点中声子平均数的影响

采用改进的线性组合算符和幺正变换方法，研究量子点中强耦合束缚极化子的速率对声子平均数的影响，导出了强耦合情况下束缚极化子的声子平均数．结果表明，声子平均数随极化子的速率、库仑束缚势和电子-LO声子耦合常数的增加而增大．     

磁场中束缚极化子的声子平均数

研究磁场中束缚极化子声子平均数的性质，采用线性组合算符和变分法讨论了磁场中强、弱耦合极化子的振动频率和光学声子平均数与磁场B和库仑势的关系，以RbCl晶体为例进行了数值计算，结果表明：强耦合束缚磁极化子的振动频率λ和声子平均数N随磁场B和库仑势的增加而增大。     

Rashba效应影响下半导体量子点中强耦合极化子的声子平均数

采用改进的线性组合算符方法，研究了Rashba效应影响下半导体量子点中强耦合极化子的光学声子平均数．导出在电子-体纵光学声子（LO）强耦合时抛物量子点中极化子的光学声子平均数、振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和Rashba自旋-轨道耦合常数的变化．数值计算结果表明Rashba自旋-轨道相互作用使极化子的有效质量、基态能分裂为上下两支，随耦合常数的增加极化子基态能量、有效质量表现为增加和较少两种截然相反的情形；Rashba自旋-轨道相互作用影响下强耦合极化子的光学声子平均数随量子点的受限强度、电子声子耦合强度增大而增大，极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加，当达到极值后随受限强度的增加而急剧减少．     

抛物量子阱中的极化子能量

研究了抛物量子阱中电子－声子相互作用对极化子能量的影响,用改进的变分法计算系统中极化子基态和激发态能量以及基态到第一激发态的跃迁能量,并给出抛物量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ中的数值结果,研究发现,在较宽的量子阱中,电子－声子相互作用对极子能量的影响很明显。因此,讨论了极化子能量时不能忽略电子－声子相互作用。     

聚二乙炔(polydiacetylene)的基态及极化子和双极化子激发态

建立了描述基态非简并聚合物聚二乙炔(polydiacetylene)的紧束缚模型. 研究了基态和带电激发态下的电子性质. 发现聚二乙炔基态下具有稳定的二聚化结构, 其能带分为四条子带, 对应于聚二乙炔链的四周期结构. 掺杂电荷时可形成极化子和双极化子非线性元激发, 计算了相应的产生能和束缚能, 发现在不考虑电子-电子Coulomb相互作用的情况下, 双电荷掺杂时产生双极化子比产生两个极化子更加稳定, 在双极化子中晶格畸变对掺杂电荷的定域束缚程度远远大于极化子中.     

Rashba效应影响下InAs/GaAs自组织量子点中极化子性质

考虑Rashab自旋-轨道相互作用对半导体量子点中极化子基态能量的影响．采用LLP中耦合的方法处理了电子-声子相互作用．结果表明由于Rashba效应的影响使得极化子的基态能量分列为上下两支而且Rashba自旋-轨道相互作用能与总的基态能及其它能量成分间的比例关系，随电子波矢K变化非常显著．Rashba自旋-轨道相互用作使得量子点中极化子基态能量在无任何外磁场的情况下发生分裂，所以完全不同于强磁场影响下的简单Zeeman效应，然而，自旋-轨道相互作用引起的分裂有时掺杂着Zeeman分裂。因此它引起的分裂属于复杂分裂．声子对总能量的贡献为负，由于声子的存在极化子争裂能较裸电子更为稳定．     

矩形量子线中极化子的电子与LO声子相互作用能

研究了矩形量子线中极化子基态和第一激发态的性质．采用在有效质量近似下的变分变换方法导出了在基态和第一激发态时电子—LO声子之间相互作用能．以GaAs晶体为例进行了数值计算，结果表明：矩形量子线中极化子的相互作用能随量子线尺寸减小而增大。     

压电晶体中表面极化子的性质

研究了压电晶体中表面极化子的性质．首先用微扰法导出了压电晶体中表面极化子的有效哈密顿量，有效质量以及电子-表面声学声子作用的有效势，进而用变分法计算了表面态能量．研究结果指出：表面极化子的自陷能、有效势和有效质量不仅与压电常数、质量密度、声速、声子的德拜波数有关，而且也与电子至表面的距离有关．随着电子远离晶体表面，有效势、有效质量逐渐减小．压电晶体中电子-声学声子作用诱生的有效势是库仑型的，它使电子的能级降低，形成表面态．     

抛物量子阱中界面声子对极化子能量的影响

采用LLP中间耦合方法，对抛物量子阱中极化子能量和电子—声子相互作用对极化子能量的影响进行了研究。计算中不仅考虑了电子与局域LO声子相互作用，而且还考虑了电子与四支界面声子的相互作用，研究结果表明，抛物量子阱中电子—声子相互作用对极化子能量的贡献很明显，阱宽较小时，电子与界面IO声子耦合起重要作用，而在宽阱中，电子与局域LO声子耦合起重要作用。     

齐分子吡咯中极化子和双极化子及其稳定性

采用半经验Austin Model 1(AM1)方法，计算了齐分子吡咯聚合物(PPy)的中性态和带电态的几何结构性质．与中性态相比，带电态下其分子结构表现在C-C键长发生显著改变，单电荷掺杂导致极化子元激发；当掺杂的双电荷随机放置时，出现了两种情况：一种情况下产生双极化子，另一种情况下会产生两个分立的极化子．通过控制链的长度．可实现极化子与双极化子之间的相变，从而揭示出在有机半导体材料中实现自旋极化输运的可能性．     

抛物量子点中极化子性质的研究进展

综述了近年来对抛物量子点中极化子性质方面的部分工作．在第一节中从电子-LO声子系的哈密顿出发首次采用线性组合算符和幺正变换方法，研究抛物量子点中弱耦合极化子的基态能量和结合能的性质．在第二节中研究量子点中与LO声子强耦合极化子的振动频率、基态能量、结合能和光学声子平均数的性质．在第三节中采用改进的线性组合算符方法研究抛物量子点中弱耦合极化子的相互作用能和有效质量的性质．在第四节中研究抛物量子点中与LO声子强耦合极化子的振动频率、相互作用能和有效质量的性质．在第五节中采用Pekar变分方法研究抛物量子点中强耦合极化子基态和激发态的性质．     

抛物量子线中极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符法和变分法，在考虑电子—LO声子相互作用情况下，分别计算了抛物量子线中强、弱耦合情形下极化子的振动频率和光学声子平均数．数值计算结果表明，两种情况下，光学声子平均数都随耦合强度的增大而增大．强耦合极化子的振动频率和声子平均数随有效受限长度的减小而迅速增大。     

抛物量子点中弱耦合束缚极化子的声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中弱耦合束缚极化子的声子平均数，计算结果表明：抛物量子点中束缚极化子的声子平均数随库仑束缚场和电子—体纵光学声子强度的增加而增加，随有效受限长度的增加而减小。     

量子阱中强耦合束缚极化子的性质

运用改进的线性组合算符与变分相结合的方法,研究无限深量子阱中强耦合束缚极化子的性质.得到束缚极化子的基态能量和库仑束缚势、阱宽以及拉格朗日乘子的关系.通过数值计算结果表明:当库仑束缚势、阱宽和拉格朗日乘子增大时,基态能量的绝对值增大.