陶瓷基半导体电热膜的研制

介绍在陶瓷地砖上用最简单实用的化学热沉积工艺制备出成本低廉的半导体电热膜,研制新型建筑装修材料—“恒温地面”,同时通过大量的实验数据,详细讨论了陶瓷表面的敏化、核的植入、膜的生长、沉积速率、温度梯度场等相关问题,阐明了半导体电热膜的成膜机理及制备工艺·     

YFeO3复合氧化物半导体材料的制备,掺杂和气敏性能研究

用化学共沉淀法制备了ＹＦｅＯ３及其掺锌固溶体Ｙ１－ｘＺｎｘＦｅＯ３气敏材料，并对其制备条件、相结构、电导和气敏性能进行了研究。结果表明：Ｆｅ与Ｙ物质的量比为１：１，８５０℃以上热处理一定时间可得钙钛矿结构的纯相ＹＦｅＯ３；电导测量显示，该系列材料呈ｐ型半导体导电行为，且固溶体导电优于纯相。Ｙ０．９４Ｚｎ０．０６ＦｅＯ３电导突变温度４００℃，较纯相ＹＦｅＯ３低７０℃，９００℃下热处理４ｈ所得微粉制作     

复合扩散SrTiO3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２ｏ３，Ｎａ２Ｏ３－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构，压敏和介电特性的影响，在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型。     

贝尔实验室半导体材料的研究

着重论述贝尔实验室关于半导体材料研究与工艺开发的历史过程，这包括锗和硅的制备，Ⅲ－Ｖ族半导体化合物，区域纯化法和区域致匀性，以及外延，掺杂和掩蔽工艺等。     

复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．     

半导体掺杂分布精细结构的测量技术研究

论述了一种采用数控精细扫描电压源的电容－电压（Ｃ－Ｖ）测量系统，利用该系统可以测量硅及砷化镓样品表面层的掺杂分布的精细结构，为半导体器件和集成电路芯片的设计与制造工艺的优化提供可靠的依据，测试系统采用ＰＣ微机作为主控机，配以接口模块，数据采集模块，控制模块及电容仪等，可使测量快速，准确地进行，并可使复杂的操作与计算过程完全自动化。     

电热膜快速热水器的研制

介绍了研制电热膜快速热水器的方法，给出了控制电路，该热水器体积小，热效率９２．５％，自动恒温、，使用安全方便。     

电热膜快速热水器的研制

介绍了研制电热膜快速热水器的方法，给出了控制电路．该热水器体积小，热效率９２．５％，自动恒温，使用安全方便     

CdO—Fe2O复合氧物半导体气敏材料的制备和性能

采用化学共沉淀法，制备了系列ＣｄＯ－Ｆｅ２Ｏ复合氧化物气敏半导体材料，研究了制备条件对电导和气敏性能的影响。     

纳米La 2O 3/TiO 2复合薄膜的抗凝血性研究

 采用射频磁控溅射方法制备了TiO₂薄膜和La₂O₃掺杂的TiO₂复合薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射,紫外可见光谱等材料表征方法研究La₂O₃掺杂对TiO₂薄膜的结构及抗凝血性能的影响。结果表明：La₂O₃掺杂促使TiO₂晶粒沿金红石相(110)晶面择优生长,能细化TiO₂纳米晶粒的大小,使薄膜的光学带隙由2.85 eV提高到3.2 eV。血小板粘附实验表明La₂O₃掺杂的TiO₂复合薄膜具有优良的血液相容性能;分析了复合薄膜的抗凝血机理。     

非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究

本文对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜进行了光声谱研究.在光声谱中可以观察到由于量子尺寸效应所引起的吸收边“兰移”现象.将超晶格系列样品的光声谱与它们的光吸收谱以及本征硅的光声谱作了比较,研究表明,在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中光生载流子(电子和空穴)的非辐射复合比本征硅要大得多.光生载流子在带间的跃迁主要属于辐射跃迁,在带尾间的跃迁,主要属于非辐射跃迁.     

无尘稀土复合稳定剂的研制

采用在反应过程中成型造粒的方法制备无尘稀土复合稳定剂,为减少和避免硬脂酸金属皂在生产和使用过程中的粉尘污染提供了一种新方法。所研制的无尘稀土复合稳定剂除具有优良的热稳定作用外,还具有增加材料韧性的优点。在实验中采用正交实验设计优化了反应条件,并对稀土稳定机理进行了探讨。     

稀土元素修饰双层薄膜的气敏特性

采用PECVD方法制备Fe2O3／SnO2双层气敏薄膜，利用浸渍方法对稀土元素（La，Nd，Sm，Er，Yb）与铝配制的乳浊液进行表面修饰．测试结果表明，修饰后的双层薄膜对乙醇或丙酮具有较高的灵敏度与选择性。     

非均匀半导体电导率和霍耳系数测量方法研究

应用电动力学理论，提出了一种测量非均匀半导体电导率和霍耳系数的方法，论述了这种方法依据的原理和计算公式，以及用此方法测量的步骤，并举例说明．结果表明：该方法所得结果与文献给出的实验结果相符，也与用其它方法测量结果一致．     

二苯羟基乙酸稀土配合物的合成表征及导电性质的研究

合成了二苯羟基乙酸稀土固体配合物１４种。元素分析表明配合物的组成为ＲＥ（ＤＢＡ）３．ｎＨ２Ｏ（ＤＢＡ＝Ｐｈ２Ｃ（ＯＨ）ＣＯＯ＾－，ＲＥ（Ⅲ）＝Ｌａ－ＹｂＹ，ｎ＝４－６）。通过红外、紫外和核磁共振谱等对配合物的结构进行了表征。此外对Ｌａ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｄｙ和Ｙ５种配合物的导电性质进行了研究，发现它们具有半导体导电的特征。     

稀土元素修饰催化剂对碳纳米管生长的影响

在催化裂解乙烯生长碳纳米管时，在将稀土元素加入过渡金属催化剂可使合成碳纳米管的温度降至560℃，在稀土元素影响温区（＜600℃），内，碳纳米管的产率可提高约250％，合成的碳纳米管直径随温度变化的测试表明，在反应温度为560℃时直径最小，约为10nm以下，且非晶碳颗粒最少。     

TiO2薄膜的半导体和气敏特性

溶胶-凝胶法制备了添加聚乙二醇和Al3 的TiO2薄膜,研究了薄膜的半导体特性和气敏性.添加聚乙二醇使TiO2薄膜的荧光发射峰从未添加的650 nm蓝移至600 nm处.添加聚乙二醇(相对分子质量2000)2.0 g/100mL的TiO2薄膜在还原性气氛中电阻值增大,在350℃下薄膜对1.0×10-3(体积分数)CO的灵敏度约为3.4;进而掺杂离子半径较小的Al3 ,能够提高薄膜对CO的气敏性:在350℃时添加聚乙二醇且Al3 摩尔分数为50/0、100/0的薄膜对1.0×10-3(体积分数)CO的灵敏度分别为5.0和20.4.X射线光电子能谱表征说明,由于Al3 的晶格替代和氧间隙原子使添加有聚乙二醇和Al3 的TiO2薄膜产生以空穴为主的传导机制,表现出P型半导体特性.该研究结果对于研发TiO基的气敏传感器、新型太阳能电池具有重要意义.     

硒化镉薄膜微区分析

本文用电子探针对硒化镉薄膜进行微区分析,对薄膜的成分和厚度进行同时测定,并分析了制备条件对薄膜参数的影响。     

稀土元素在Ag-BaO光电薄膜中的作用

根据光电阴极的固溶胶理论,结合实验结果对稀土元素在Ag-BaO薄膜中的作用及其对光电发射性能的影响进行了分析。结果表明,增强光吸收和改善光电子输运条件是提高Ag-BaO薄膜光电发射电流的两个因素,而Ag纳米粒子的粒度对这两个因素都有重要影响。由于金属纳米粒子的光吸收是表面等离子激元的吸收,稀土元素在Ag-BaO薄膜中对Ag纳米粒子的细化,球化和密集的作用,使纳米粒子总表面增大,有利于增强薄膜的光吸收能力。Ag纳米粒子的细化还能够增大等效洛仑兹振子能量,降低金属微粒与半导体等效界面位垒,改善光电子输运条件,因而稀土元素在Ag-BaO薄膜中可以起到提高Ag-BaO薄膜的光电发射性能的作用。