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《中国科学:物理学 力学 天文学》2016,(10)
动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单元结构等方面的技术演进.介绍了多种基于U形沟道晶体管的DRAM存储单元以及6F2存储单元的制造方法.基于多项关键技术突破,对下一代DRAM芯片的关键器件工艺的技术发展趋势进行了推测.即:(1)阵列选择晶体管持续使用U形晶体管;(2)低k材料会被大规模使用来降低位线寄生电容;(3)提高灵敏放大电路的灵敏度和随温度来动态调整刷新频率来降低对存储电容的要求;(4)更多关注低功耗设计而不是一味地增大存储容量. 相似文献
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硅器件工艺中的铁污染及其对器件特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
张德贤 《西安交通大学学报》1992,26(3):73-78
文中研究了硅器件的异常产生电流和异常特性,揭示了它们的产生原因均是硅器件中有铁污染。 相似文献
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研究了有机染料掺杂聚合物薄膜器件的J-U特性,发现存在明显的负电阻现象,制备了不同结构的有机染料掺杂聚合物薄膜器件进行了能级分析,表明载流子的不平衡流入对器件J-U曲线负电阻特性影响显著。 相似文献
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掺杂对电致发光器件的电学性能和光学性能有着至关重要的影响。本文在总结分析实验结果的基础上 ,提出了一个发光效率随掺杂浓度而变化的理论模型 ,系统地论述了掺杂浓度对器件的电导率及发光效率的影响 相似文献
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有些有线电视设计人员在设计器件的安装位置时,只考虑到了技术要求,而没有考虑到便于有线电视器件实际安装及后期维修、调试等.本文从实践的角度出发,阐述了有线电视网络中各类器件安装位置存在的各种问题,分析了由于安装位置不当所造成的危害与影响,并提出了设计各类器件安装位置的具体要求及注意事项. 相似文献
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对碳化硅的研究从1907年就开始了,当时H.J.Round通过在一个金属针和碳化硅晶体之间加上偏压示范了黄色与兰色的辐射光。1932年俄国科学家OleyLosev发现了出自碳化硅的两种类型的光辐射,现在我们称之为预击穿光线和场致发光辐射。人们在半个世纪以前已经认识到了在半导体电子学中使用碳化硅的潜力。它最值得注意的性质是(1)宽能带间隔,对于不同的多形体为3至3.3eV; 相似文献
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本实验采用PMS—50(增强型)紫外—可见—近红外光谱分析系统测试了蓝、绿、白、红、黄五种颜色的LED,在小功率、中功率、大功率时,室温下改变注入电流的各项参数。通过实验数据分析了谱形和电流之间的关系;分析了色度参数和光度参数的变化规律。实验结果直观,与相关理论相互验证,有助于进一步了解和掌握LED器件的特性。 相似文献
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红色有机薄膜电致发光器件 总被引:1,自引:0,他引:1
研制了三种以 8-羟基金属螯合物 Mq3(M=Al,Ga,In)为基质、DCJTB为掺杂剂的红色有机电致发光器件 ,对比了不同掺杂浓度下的 Mq3的光致发光光谱、电致发光的亮度 -电压、亮度 -电流关系 ,从光谱重叠、能级匹配角度分析了不同基质对发光效率及色度的影响 相似文献
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本文应用Gummel自洽场理论对LSIMOS器件进行了两维分析,并开发了相应的模拟软件,模拟结果与实验基本吻合。 相似文献
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陈昭佑 《西安理工大学学报》1980,(2)
本文从讨论半导体表面势阱形成开始,着重阐述了 C C D 的基本结构和工作原理,对于 C C D 的主要参数及其在三大领域的应用方面,亦都——作了分析和介绍。 相似文献
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从狭缝光扫描时一维载流子浓度分布的理论出发,计算了SPRITE器件的最佳读出区长度,讨论了寿命对SPRITE器件性能的影响。SPRITE器件读出区位置的选取与寿命有直接关系,材料的寿命不同,读出区最佳位置亦有改变,在选取读出区最佳位置时,应考虑寿命的因素。 相似文献