页岩气水平井产出剖面定量解释方法

涪陵页岩气田多采用多级压裂分段射孔方式完井,气藏开发与管理者迫切需要了解各层段的产出情况,产出剖面测试是获取各层段产出情况最为直接的方法.对于生产稳定的水平井,水平段可以划分为两个射孔簇之间的管流段以及射孔簇位置的射孔段.在全井所有的管流段、射孔段分别应用管流能量方程、射孔簇流体流入能量守恒方程,从而建立全井的产出剖面的解释模型.根据某页岩气井的沿水平段所测温度、压力等数据,选择相应的地质参数、井眼轨迹等,应用全井的产出剖面的解释模型,通过调用MATLAB的lsqnonlin函数,求解模型方程组,实例计算结果显示能够满足工程应用的要求.可见利用温压测试可实现水平井产出剖面的定量计算.     

水平井油水两相产液剖面解释研究

水平井开采面临的最大问题是油层出水,如何确定出水层位及出水量直接影响开采效果。动态监测是解决该问题最有效的手段之一,而解释技术研究是提高监测效果不可缺少的环节,因此对水平井产液剖面的解释研究显得尤为重要。然而水平井中因重力分异普遍存在层流,且流型受井斜角度影响变得复杂,致使测量仪器及测量参数发生变化,传统的解释模型已不适用,为解决这个问题,本文研究探讨了适合斜井水平井的两种解释模型:斜井滑脱速度校正和Hasan and Kabir解释模型,并编写相应解释模块处理斜井水平井,实际应用表明这两种模型解释效果良好。     

井组示踪剂产出曲线组合解释方法研究

针对井间示踪剂产出曲线解释方法存在的问题,提出了井组示踪剂产出曲线的解释方法.建立了以一口注入井对应的多条产出曲线总体拟合最优为目标函数、以相应的注水量和井组面积等静、动态参数为约束条件的解释模型.利用遗传算法实现了产出曲线的自动拟合,避免了最小二乘法中求偏导数困难的问题,提高了求解的速度和精度.实例应用表明,提出的解释方法具有较强的可靠性.     

井组示踪剂产出曲线组合解释方法研究

针对井间示踪剂产出曲线解释方法存在的问题,提出了井组示踪剂产出曲线的解释方法。建立了以一口注入井对应的多条产出曲线总体拟合最优为目标函数、以相应的注水量和井组面积等静、动态参数为约束条件的解释模型。利用遗传算法实现了产出曲线的自动拟合,避免了最小二乘法中求偏导数困难的问题,提高了求解的速度和精度。实例应用表明,提出的解释方法具有较强的可靠性。     

基于PVT相态图的凝析气井产出剖面测井解释

针对国内凝析油气井数量日益增多而配套的动态监测技术却停滞不前的现状,提出凝析气田生产测井产出剖面解释方法。通过分析凝析油气井内流体特性(井筒中气油比大),传统方法使用受限,提出基于相态图的凝析气井生产测井解释模型及相态变化模型,解释的油、气单相误差8%以内,为实现凝析气田产出剖面解释提供强有力的技术保证,并取得了较好的应用效果。     

基于PVT相态图的凝析气井产出剖面测井解释

 针对国内凝析油气井数量日益增多而配套的动态监测技术却停滞不前的现状,提出凝析气田生产测井产出剖面解释方法。通过分析凝析油气井内流体特性（井筒中气油比大）,传统方法使用受限,提出基于相态图的凝析气井生产测井解释模型及相态变化模型,解释的油、气单相误差8%以内,为实现凝析气田产出剖面解释提供强有力的技术保证,并取得了较好的应用效果。     

量子点层厚度对量子点发光二极管发光特性的影响

采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QD-LEDs)。PEDOT作为空穴注入层,TFB作为空穴传输层,量子点作为发光层,采用无机二氧化钛(TiO2)作为电子传输层,在相同的工艺条件下调节量子点层旋涂转速(800~1 100r/min),制备不同厚度的量子点发光二极管发光器件(QD-LEDs)。实验结果表明,当量子点层的旋涂转速为900r/min时,此时的量子点层厚度为30nm,所制备的量子点发光二极管器件(QD-LEDs)的发光性能最好,开启电压最低,只有5.5V。     

半导体量子点及其应用概述

半导体量子点是由少量原子组成的准零维的纳米量子结构,表现出较其它维度的结构的半导体材料更优越的性能,被广泛应用于量子计算、量子生物医学、量子光伏器件、量子发光器件和量子探测器中,是现在前沿科学研究的热门课题之一。     

抛物线性限制势量子点量子比特的振荡周期

在抛物量子点中电子与体纵光学声子强耦合的条件下，应用Pekar变分方法得出了电子的基态和第一激发态的本征能量及基态和第一激发态本征波函数．量子点中这样二能级体系可作为一个量子比特．当电子处于基态和第一激发态的叠加态时，计算出电子在空间的几率分布作周期性振荡．并且得出了振荡周期随受限长度及耦合强度的变化关系．     

柱形量子点qubit的振荡周期

通过精确求解能量本征方程获得柱型量子点中的电子能态,并利用电子的基态和第一激发态构造一个量子比特．对GaAs量子点的数值计算表明：量子点能量随半径或柱高的增大而减小;量子比特的振荡周期随半径或柱高的增大而增大．     

量子点量子阱中的极化子

首先研究了量子点量子阱中的电子态，对阱外及阱内的两种束缚态都进行了考虑，然后采用微扰方法，对量子点量子阱系统中的极化子效应进行了研究。最后采用CdS/HgS为材料的量子点量子阱 进行了数值计算，结果显示极化子效应对电子能级的修正明显并且不能被忽略。     

量子点量子阱结构中激子的极化效应(英文)

考虑激子与体纵光学声子的相互作用,采用变分法研究了量子点量子阱结构中澈子的极化效应.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,得到了激子的基态能量和束缚能.研究结果表明,声子对澈子束缚能的贡献随着阱宽的增加而增加,极化子效应不能忽略.激子的基态能量和束缚能明显依赖于量子点量子阱结构的核半径和壳层厚度,量子点量子阱结构的尺寸对激子-声子相互作用有重要的影响.     

量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响(英文)

采用变分法研究了量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响.计算中考虑了电子与体纵光学声子和表面光学声子的相互作用.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,发现极化子基态能量随量子点半径的增加而单调增加,随电场强度的增加而单调减少.电子-声子相互作用增强了斯塔克能移.极化子自陷能随量子点半径及电场强度的增加而增加.量子点量子阱结构的尺寸对极化子斯塔克能移有显著影响.     

硅量子点表面钝化的发光研究

通过第一性原理模拟计算发现，对硅量子点表面的钝化条件不同，引入的局域态也不同。我们分别用Si=0和Si-O-Si键对量子点表面进行钝化，在带隙中引入了局域态；而分别用Si—H和岛一OH键对量子点表面进行钝化，在带隙中没有引入任何局域态。结合硅量子点的制备实验和发光的检测，可以解释硅量子点在不同条件下的发光机理。     

D-中心量子点的极化子效应

利用少体物理的方法，研究了半导体量子点中负施主杂质低激发态能谱的极化子效应，发现随着量子点的尺寸改变，有和没有电－声相互作用的影响，其能级顺序的改变是不一样的。另一方面，我们计算了负施主杂质中心的基本束缚能随量子点半径的变化关系，发现电－声耦合相互作用对束缚能有明显增强效果。     

自旋极化对量子点系统电导的影响

从自旋非简并 Anderson 模型出发, 研究局域电子自旋能级分裂对系统电导的影响。由于局域电子自旋极化会破坏近藤类型的电子强关联, 在非关联近似下, 通过求解量子点的 Green函数并以自旋能级劈裂为小参数将Green 函数展开, 利用Landauer公式推导出电导变化与局域自旋能级劈裂的关系。     

非均质油藏水平井射孔调剖方法

基于渗透率随机性和结构性特点,将非均质渗透率场转化为等效均质渗透率场和沿井筒变化的非均质表皮。在此基础上建立各向异性盒式油藏水平井产液剖面计算模型,提出以均衡产液剖面为目标的非均质油藏水平井变密度射孔调剖方法。从射孔调剖机制出发,系统分析射孔调压范围及影响因素。结果表明:孔密、孔深越小,射孔可调压差范围越大;以均衡产液剖面为目标优化孔密后,低渗区孔密较大,生产压差较高,高渗区孔密较小,生产压差较低,产液剖面均衡性明显改善;近井渗透率变异性越强,孔密波动幅度及变化范围越大,低孔密所占的比例也越大;孔密越低,舍入误差的影响越大,调剖效果越不理想。     

半导体量子点Rabi振荡品质因子及其退相干机制

采用光致发光方法和纳米光谱成像技术,研究了单个半导体量子点中激发态激子的Rabi振荡。观测了在两个延时位相可控的!/2脉冲激发下,激发态激子数随其量子比特位相旋转而振荡的特性。由实验观测结果分析得知此单个半导体量子点量子比特的自由旋转品质因子约为9.8×104,动力旋转品质因子约为18。讨论了激子从浸润层到量子点的俘获过程对Rabi振荡衰减退相干的影响。简要分析了量子点的激子自旋操控和单光子发射统计特性。