利用PN结的C—V特性来测其击穿电压

提出了一种通过测量ＰＮ结的势垒电容的Ｃ－Ｖ特性来测量ＰＮ结的击穿电压ＶＢ的方法，与传统的方法相比它有更精细的击穿特性曲线；同时也为Ｃ－Ｖ仪开发了一种新的应用。     

GaN基激光器的研究进展

GaN材料作为第三代半导体材料具有十分独特的性能,其发光波段可以覆盖从红外到深紫外波段。GaN材料击穿电场强、发光效率高,使其在显示、照明、通信等领域具有非常广泛的应用。综述了GaN基激光器的发展历程及其失效和退化机制的研究进展。目前最新的蓝光GaN基激光器在3 A电流连续工作时的电压和输出功率为4.03 V和5.25 W;最新的绿光激光器波长为532 nm,在电流1.6 A时,输出功率为1.19 W。进一步阐述了GaN基激光器退化的主要表现,即随着工作时间的延长,激光器发光效率降低、光转化效率降低以及电压升高。总结了四种主要的退化模式,分别为封装退化、静电损伤、腔面退化和芯片失效。     

一种基于四叉树的半导体三角网格生成方法

通过对半导体器件模拟中网格划分原理的分析，提出了一种基于四叉树结构的有限元三角网格生成方法，进行了面向对象的编程实现。结果表明，这种网格生成方法是行之有效的。     

非均匀半导体电导率和霍耳系数测量方法研究

应用电动力学理论，提出了一种测量非均匀半导体电导率和霍耳系数的方法，论述了这种方法依据的原理和计算公式，以及用此方法测量的步骤，并举例说明．结果表明：该方法所得结果与文献给出的实验结果相符，也与用其它方法测量结果一致．     

基于牛顿前向插值公式的联想记忆系统

基于牛顿前向插值公式提出一种对任意阶多维函数可实现无差逼近的新型CMAC联想记忆系统,详细讨论了该系统的原理、插值算法及训练规则,仿真实例表明了系统的可行性与有效性.该系统在信号处理、模式识别及高精度实时智能控制等领域具有广泛的应用价值.     

具有诱导超导电性和自旋轨道耦合作用的半导体纳米线零偏压电导峰的研究

本文对具有诱导超导电性和自旋轨道耦合作用的半导体纳米线的微分电导谱的一些特性进行了详细的分析和研究. 通过对系统的微分电导谱与系统的各种可调控参量之间的关系进行详细的研究,发现在这类系统中存在两种不同类型的零偏压电导峰. 这两种零偏压电导峰具有不同的特点,相应地应由不同的物理机制所导致. 论文中的计算结果对澄清最近一些有争议性的理论问题有一定的理论参考意义.     

低偏振相关的半导体光放大器

分析了半导体光放大器的偏振特性,研制成功一种具有低偏振相关增益的半导体光放大器,该器件采用张应变与压应变混合量子阱结构,在有源层解理面上镀制超低剩余反射率减反膜以消除谐振腔效应并抑制自身受激辐射,使入射光信号在经过有源层时获得单程增益,形成行波放大．     

一个新的具有前向安全有代理的多重数字签名方案

文章在研究有代理的多重数字签名的基础上,将前向安全的概念引人在有代理多重数字签名中,提出了一个具有前向安全性的有代理多重数字签名方案,在这种多重签名中,允许部分签名人委托其代理人进行签名．同时该方案能实现即使所有签名人的签名密钥被泄露,攻击者也无法伪造前阶段签名,以前所产生的有代理多重数字签名依然有效．     

基于信息熵的系统诊断参数交互推理选择方法

介绍了一种多输入，多输出系统的故障诊断参数选择方法，该方法经可观参数集的信息熵为标准，进行启发性诊断参数集的划分，先以系统状态决定的启发性诊断参数子集作为驱动数据，实施正向推理，缩小目标集合，再以故障目标集合为对象，进行反向推理以确定最终故障集合；最后将故障集合的元素所对应的可测诊断参数作为系统的诊断参数进行测量，该方法构成了诊断型专家系统的一子部分。     

血糖均值增龄曲线选择性偏差校正方法

为研究正常人群血糖的变化规律,应用大量实测数据构建了人群血糖均值随年龄变化曲线,提出一种基于Heckman模型的血糖曲线选择性偏差校正方法,对血糖曲线进行了偏差分析及校正.根据偏差显著性系数(IMR)呈显著状态以及数据校正对方程的参数估计结果的优化,证实了选择性偏差的存在以及对其有效的校正;应用跟踪数据进行了曲线趋势变化的验证,校正后的曲线平均误差明显小于校正前的平均误差,表明校正方法及校正结果的有效性.     

模扩展结构半导体激光器的有限元分析

运用近似的标量有限元法对模式扩展的结构进行了分析，结合实际，精确划分了有限元网络，模拟出了模扩展的近场图形，并详细分析了结构内部的能量转换效率及其与单模光纤的耦合效率，找到了一种能够指导半导体激光器、放大器设计的有效工具，结果表明，分析结果与已有的实验结论基本符合，波导区折射率大大不能对模场进行有效限制，太小则使模场转换发生困难。