Hg_（1－x）Cd_xTe近红外光伏探测器的深能级

用深能级瞬态谱及光电容谱方法，研究了１．５５μｍ近红外波段的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光伏探测器的深能级缺陷．结果表明，探测器中存在位于禁带中央附近的两个施主深能级．它们可能来源于ＨｇＣｄＴｅ材料中的本征缺陷，例如Ｈｇ间隙缺陷Ｈｇ１及Ｔｅ反位缺陷ＴｅＨｇ．     

红外探测单片集成与混合集成的研制

对用于ＨｇＣｄＴｅ红外探测器的单片集成与混合集成技术进行了研究，研制的低噪声的多路前置放大器混合集成模块的等效输入噪声电压〈１．５ｎＶ；Ｈｚ＾１／２，性能稳定可靠，已用于红外工程系统中。     

GaAs1—xPx：TeLED）中深能级及其对发光效率的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ１－ｘＰｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能力０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心。     

Bi2Sr2Ca1—xPrxCu2O8＋δ系列超导体的电子结构研究

采用常规Ｘ射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱分别研究了超导系列样品Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＰｒｘＣｕ２Ｏ８＋δ的芯能级谱和价带谱，讨论了这一系列样品电子结构变化的机制．实验发现随着Ｐｒ的掺杂，各芯能级谱和价带谱的位移都不同，根据Ｃａ２ｐ谱的变化规律，可认为Ｐｒ离子主要占据Ｃａ离子格位     

正电子深能级瞬态谱在GaAs缺陷研究中的应用

本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法.该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征,它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息.本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究,运用该技术并结合深能级Arrhenius分析,得到EL2能级值为0.82±0.02 eV.     

热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在Ｅｃ－０．４４ｅＶ能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶场应力下显示稳态特性的设相提供了有说服力的证明。     

用1／N展开技术研究汞核的能谱和B(E2)

用１／Ｎ展开法加上自洽Ｑ框架的ｓｄＩＢＭ１研究比Ｈｆ更重一些的中等质量核的Ｈｇ的同位素的能谱,计算了＾１８６Ｈｇ基带的几个Ｂ（Ｅ２）值,有一定程度的符合,高激发态符合得较好,特别是能正确反映出Ｂ（Ｅ２）值随能级谱化的趋势,而且只用了很少的可调参数去拟合大量数据,注意到值随能级变化的趋势,而且只用了很少的可调参数去拟合大量数据。注意到Ｈｇ核的质子数Ｚ＝８０,很接满壳层,可见１／Ｎ展开展理论适用于很大     

AsCl_3/Ga/H_2系统GaAs外延片的高分辨率深能级瞬态谱研究

用 AsCl_3/Ga/H_2气相外延系统在 GaAs 衬底上生长出GaAs 外延层并制成 Au-GaAs 肖特基结构.利用高分辨率深能级瞬态谱(HDDLTS)仪研究了外延层中深能级的特性.结果表明,缺陷和杂质在外延层中引进若干较高浓度的深能级,经退火后缺陷深能级会被消除.     

GaAs_（1－x）P_x：TeLED中深能级及其对发光效率的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）方法研究了不同发光效率的掺Ｔｅ的ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘＬＥＤ中的深中心，探讨深能级对ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：ＴｅＬＥＤ发光效率的影响，结果表明，发射率激活能为０．４０ｅＶ的Ｂ能级是影响发光效率的主要无幅射中心．     

BSF硅太阳电池重离子辐照的深能级瞬态谱

对ＢＳＦ硅太阳电池受碳,氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究,结果表明碳,氧离子在硅太阳电池中引入的缺限能级非常相似,都观察到了Ｅ１,Ｅ２,Ｅ３,Ｈ１,Ｈ２５个峰,其中氧离子注量超过４×１０＾１２ｃｍ＾－２时,Ｅ２能级消失,根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型。     

碘化汞晶体的品质鉴定

用气相定点成核法生长出碘化汞单晶体，借助光电流，紫外－可见光谱，傅里叶变换红外光谱和拉曼谱的测量来表征。结果表明，碘化汞晶体中不含Ｈｇ２Ｉ２杂质，晶体质量达到制作探测器和固态光电探测器的水平。     

脉冲激光掺铝P~ N结中的深能级

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了调Q红宝石脉冲激光掺铝P~ N结中的深能极缺陷.当硅衬底中有点缺陷时,激光掺杂将在N区引入一个深电子陷阱,其能级位置在E_c—0.35eV,退火温度约300℃,可能结构是[V_2 0]。如果硅衬底中原来无点缺陷,则未观测到激光诱生深能级缺陷。     

用TSC技术对B~+注入SiO_2-Si系统硅表面深能级的研究

本文用MOS热激电流(TSC)技术研究了B~ 注入SiO_2—Si系统硅表面的深能级。讨论分析了MOS结构硅表面深能级TSC谱的性质,提出由TSC峰值I_p与偏压V_G的依赖关系来判别硅表面深能级的TSC峰。对B~ 注入的SiO_2—Si系统的TSC实验研究表明,硅表面深能级的位置由于B~ 离子注入及随后的高温退火发生变化,这可能是杂质一缺陷互作用的结果、     

双能级跃迁CO激光器腔内光声光谱测量

将纵向共振光声池放入双能级跃迁ＣＯ激光器光学谐振腔内，构成了一个高灵敏度的光声探测器．使用该探测器对低浓度的Ｎ＿２Ｏ和ＣＨ＿４气体作了光声测量，由于气体吸收线与ＣＯ激光器谱线具有很好的重合性，以及较强的腔内激光功率，该系统对Ｎ＿２Ｏ和ＣＨ＿４气体的最低检测浓度分别达到３７×１０￣（－１１）和３７×１０￣（－１２）．     

偏最小二乘原子吸收光谱法同时测定汞和钴

该文用偏最小二乘法校正了火焰原子吸收分析中Ｃｏ２５３．６４９ｎｍ对Ｈｇ２５３．６５２ｎｍ的吸收线重叠干扰，对合成样中Ｈｇ和Ｃｏ的测定结果令人满足，ＰＬＳ法是原子吸收谱线重叠干扰的有效校正方法。     

用LMTO方法研究HgBa2CuO4中缺位氧对超导性的影响

用ＬＭＴＯ方法计算了ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋δ（δ＝０，１）的电子结构，并从态密度的变化，探讨了ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋δ的超导性的导电机制。     

磷化铟的深能级缺陷

磷化铟和与它有关的三元四元合金是目前认为作光电及微波器件比较有前途的材料.上述一些器件的制备工艺虽尚未成熟,但已发现材料的质量与光电及微波器件的性能有很大的影响,因此研究磷化铟体单晶的性质很重要.本文用深能级瞬态谱仪来研究磷化铟的深能级缺陷的性质.采用化学处理方法可以较方便地制备Au-InP的肖脱基势垒二极管,电学特性和稳定性较好,适合于深能级瞬态谱的测量.在测量时发现磷化铟体单晶中有可能存在缺陷团,除此之外还可以测量到浓度较低的另外两个深能级缺陷,它们的能级参数分别为(E_c-0.15eV,σ_n~A=1.2×10~(-18)cm~2)及(E_c-0.40eV,σ_∞~B=1.8×10~(-14)cm~2).     

Si夹层对GaAs/AlAs异质结的影响

用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。     

GaP(N)中深能级缺陷和发光效率

用光电容方法研究了GaP(N)样品中深能级杂质缺陷;以曲线拟合方法计算机分析多能级响应的瞬态光电容谱,确定深能级参数:能级位置、能级浓度和光发射率等;并测量了GaP(N)LED的发射光谱和发光效率。结果表明:发光效率较低的LED(η_(ext)=0.019％)中存在着E_1、E_2、E_3、E_4、E_5、H_1多种深能级;发光效率较高的LED(η_(ext)=0.096％),深能级较少(E_3、E_4、H_1)。这些深能级具有无辐射复合中心作用,使发光效率明显降低。     

Co3（CO）9（μ3—PR）（R=Li,H,OH,F）系列分子电子结构及规律…

用ＤＶ－Ｘα法计算了系列笑话合物分子（Ｃｏ３（ＣＯ）９（μ３－ＰＲ），Ｒ分别为Ｌｉ，Ｈ，ＯＨ和Ｆ，计算结果表明，族合物分子轨道大体可分为四个占据轨道能级组，随着三桥合磷原子所带Ｒ接受电子能力的增大，整体分子能级谱呈规律性降低，Ｃｏ－ＣＯ特征键分子轨道的能级组较Ｃｏ－Ｐ键轨道能级组的能量高，且相对集中，当Ｒ拉电子的能力增另到如Ｆ原子时，两能级间隔为１．０４ｅＶ作为催化剂，这种电子结构特性是较为有利的