高亮度发光二极管(HB LED)及应用概况

概述了HB—LED的发展,分析其优点并对HB—LED的国际进展作了简要的评述,同时对HB—LED在半导体照明领域的应用作了叙述。     

高亮度蓝绿发光二极管芯片制造技术研究

高亮度发光二极管（HB—LED）芯片制造是介于外延片生产和芯片封装的中间过程,通过光刻、等离子刻蚀（ICP）、掩模（PECVD）、电子束真空蒸发镀膜、研磨抛光、划片、裂片、点测等工艺技术研究,实现高亮度发光二极管芯片生产的产业化。由于具有体积小、低能耗、冷光源、使用寿命长、环保等特点,蓝、绿光LED应用前景十分广泛,比如全彩显示屏、背光源、汽车刹车灯、装饰灯、交通信号灯、景观照明以及通用照明等。     

发光二极管（LED）和半导体激光器（LD）的应用前景展望

本文从ＬＥＤ和ＬＤ的特点和器件已达到的性能与水平展望其应用前景，目前ＬＥＤ和ＬＤ已在光纤通讯，显示器件，光存储，办公现代化，医疗，军事，检测等领域得到广泛应用显示出其蓬勃发展的应用前景。     

浅析发光二极管(LED)光源在汽车中的应用

发光二极管(LED)汽车灯具的设计包括热学、机械、光学、电路等方面的设计,其中最重要的是光学设计,目前采用计算机仿真的方法进行优化设计,散热是组合式LED灯设计比较难解决的问题,其是否能较好的处理,是LED等设计成败的关键,如何提高散热效率尚需进一步研究。     

国家火炬计划项目：1.半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化 2.功率型高亮度发光二极管芯片开发及产业化

企业基本情况 厦门三安电子有限公司是目前国内最大、国际一流的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地。2000年11月初由福建三安集团有限公司投资组建成立，注册资金2.55亿元人民币。     

发光二极管的应用

介绍了发光二极管的特点和应用的情况。     

浅谈发光二极管

发光二极管是一种常用的半导体器件，起到指示或显示的作用。本文从发光二极管的工作原理、特性、分类、检测及应用五个方面对其进行了简单阐述。     

高稳定的溴铅铯量子点制备及发光二极管应用

通过合理设计钙钛矿量子点（Quantum Dots，QDs）的表面配体，采用在大气水氧暴露的环境中一步合成钙钛矿量子点的制备方法，以3-氨丙基三乙氧基硅烷为表面配体，采用热注入法直接制备二氧化硅包裹的溴铅铯量子点（CsPbBr3@SiO2 QDs）核壳结构. 研究反应时间对二氧化硅壳层厚度的影响，利用透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪表征量子点核壳结构的形貌，分析材料的元素组成. 利用光谱仪表征材料在水、氧、光照等环境下的发光光谱，分析和讨论光谱的时间稳定性. 实验结果表明，反应时间为30 min时，可成功制备壳层均匀、形貌良好的CsPbBr3@SiO2 QDs. 得益于二氧化硅壳层的包裹和高分子膜的封装，量子点在刮涂成膜后，其光学薄膜仍保持优越的光致发光性能；在水氧环境下的稳定性得到了改善，置于水中180 d仍可保持较高的光致发光强度；进一步将量子点溶液应用于发光二极管器件，可实现较窄的发光峰和较高的光谱稳定性.     

GaN LED量子阱光发射模型

在分析GaN LED量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制Stark效应和Franz-Kddysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模拟结果表明LED的光发射效率和波长依赖于有源区In组分变化引起的势能涨落和阱尺寸,并得到LED发光波长红移的原因为：非故意掺杂引入新的施主能级和受主能级,新能级之间以小于带隙的能量跃迁;Franz-Keldysh效应随阱厚的增加而加强;压电极化和自发极化形成的内电场在空间上将电子和空穴隔开,但电子和空穴波函数的交叠允许它们在较低的能级上辐射复合;以及带边吸收的影响.     

半导体激光器的精密温控系统设计

介绍了一种大功率半导体激光器的精密Fuzzy＋PI温控系统的设计，利用半导体制冷器对大功率半导体激光器进行精密温控，控制精度高、振荡小；在常规模糊PID控制器的基础上，通过增加模糊控制规则，从而构成变积分系数的模糊PI控制器，通过在线调整积分系数，间接调整常规模糊控制器的模糊控制规则，以改善其性能。     

功率型发光二极管芯片的温度场与应力场

发光二极管(LED)的结点温度和应力分布对它的发光效率、可靠性和寿命有着至关重要的影响。为了优化器件的性能,该文利用有限元方法对功率型LED芯片在不同输入功率、基板材料、换热条件下的温度和热应力进行了模拟与分析。结果表明,目前广泛应用的Sapphire基板效果不是很好,如果能减小晶格不匹配的影响,采用硅基板是较好的选择。当基板导热系数、换热系数大于一定值后,单纯的改进基板的导热系数或强化基板换热,对提高器件的性能已经没有明显的效果。     

功率型发光二极管芯片的温度场与应力场

发光二极管(LED)的结点温度和应力分布对它的发光效率、可靠性和寿命有着至关重要的影响。为了优化器件的性能,该文利用有限元方法对功率型LED芯片在不同输入功率、基板材料、换热条件下的温度和热应力进行了模拟与分析。结果表明,目前广泛应用的Sapphire基板效果不是很好,如果能减小晶格不匹配的影响,采用硅基板是较好的选择。当基板导热系数、换热系数大于一定值后,单纯的改进基板的导热系数或强化基板换热,对提高器件的性能已经没有明显的效果。     

白光LED用新型高效红色荧光粉的制备及其发光性能研究

用Na＋做电荷补偿剂,Sm3＋做敏化剂,采用高温固相法制备了Ca0.5MoO4：Eu3＋0.25-x,Sm3＋x,Na＋0.25（x=0,0.001,0.003,0.005,0.008,0.01,0.02,0.03,0.05,0.07,0.09）系列红色荧光粉,实验结果表明：Sm3＋的加入没有改变CaMoO4：Eu3＋,Na＋的晶体结构,也没有改变粉体发射光谱的形状和发射峰的位置,而是加宽了荧光粉CaMoO4：Eu3＋,Na＋激发光谱在400 nm左右的吸收峰,有利于样品的激发峰和近紫外LED芯片相匹配,并且提高了荧光粉在615 nm处发射光谱的发光强度.本文主要对Sm3＋提高荧光粉的发光强度的原理进行探讨,研究结果证明在CaMoO4基质中存在Sm3＋-Eu3＋之间能量传递,此外得出Sm3＋的最佳掺杂浓度是0.5 at.%.     

发光二极管辐射模型的快速建立与验证

基于Source Property Generator软件,根据配光曲线图快速获得相应的光源数据,提出运用非线性回归分析阻尼最小二乘(L-M)法,由模拟公式得到的光源数据与由配光曲线(或测量)获得的光源数据之间的误差,以寻求模拟公式参数的变化步长;然后,由误差均方根与归一化互相关两个判断标准来重建辐射模型的精确性.结果显示:误差均方根低于1%,归一化互相关接近100%.该方法只需提供光源的配光曲线图即可以获得相应的光强分布函数和辐射模型,如果前面的函数设置没有出现错误,一般只要一次就能通过验证;而且只要改变某些要求参数,即可便捷地设计出一系列同类型透镜的辐射模型函数.     

用于高功率半导体激光器列阵 散热的微通道热沉的研制

行政不作为的实质,是懈怠行政职责。它有行为状态和事实状态两种情形。行政不作为的形式,除传统理论归纳的拒绝、迟延、不予答复以外,还应当包括未作为、假作为和弱作为等3种形式。行政不作为的违法性,既可以表现为行为的违法,也可以表现为结果的违法。     

用亮度和色温测算LED蓝光危害

提出了一种采用亮度结合色温估算荧光粉转换型LED的蓝光危害方法。先选择同型号普通照明用白色LED样品21只,用光谱仪测量其正常发光下的归一化光谱功率分布,然后计算光源的色温,以及在蓝光危害限值范围内可以容许的亮度,最后得到在蓝光危害限值内,容许亮度与色温的关系。研究表明:对于同型号的荧光粉转换型LED,当色温小于7 500 K时,亮度在100 000 cd/m2以下不会引起蓝光危害。在蓝光危害限值范围内,色温和容许亮度成反比,且对应曲线随环境温度变化很小,因此,对于同一类型白色LED,该曲线可用来评估LED灯具是否对人眼构成蓝光危害。     

LED光调控技术在芽苗菜生产中的应用

 芽苗菜风味独特、品质柔嫩、营养价值高,但在生产中通常使用一些生长调节剂或微量元素溶液进行浸种或喷洒,易造成化学物质在芽苗菜内积累。光环境调控技术采用物理手段调控植物生长,符合绿色农业的要求。本文针对芽苗菜的研究现状、芽苗菜生产中存在的问题,综述发光二级管（LED）光调控技术在芽苗菜生产中的研究进展,展望LED 光调控技术在芽苗菜生产中的应用前景。