基于边际损耗灵敏度计算电力市场中输电损耗的方法

电力市场中的输电损耗分配问题可采用基于边际损耗灵敏度的损耗分配方法来解决。     

现代电力电子器件的发展

介绍各种现代电力电子器件的特点、应用现状以及发展过程,分析了电力电子器件的最新发展情况及未来的发展趋势.     

电力电子器件机械应力波的试验研究

通过测试电路与数字滤波技术,探究了一种电力电子器件关断机械应力波的测量方法;通过信号处理与频谱分析得到了机械应力波的时域和频域特征参数,如幅值、峰峰值、峰值频率和频率范围.研究结果表明:合理设置采样阈值和阻带频率能够测量机械应力波;IKW40T120型IGBT器件在关断40 A电流时,关断机械应力波的幅值为5.2 mV、峰峰值为9.6 mV,时域波形约持续100μs且振幅衰减,其幅值频谱明显存在3个频率段,分别为20～100 k Hz、150～200 kHz和290～310 kHz,每个频率段具有1个峰值频率点,分别为54 kHz、163 kHz和299 kHz,几乎呈现1倍、3倍、5倍频关系,三峰值频率点对应的峰值差异较大,分别为1.24 mV、0.69 mV和0.36 mV.     

车用大功率电力电子器件研究进展

 车用电机驱动变流器是电动汽车电机驱动的关键部件,大功率电力电子器件是其核心。对比分析了国内外电动车辆用电机驱动变流器的拓扑结构、变流器控制特点及体积功率密度等关键指标,指出车用电机驱动变流器的技术创新重点在于硅基绝缘栅双极性晶体管(IGBT)芯片及封装技术持续改进碳化硅(SiC)器件的应用。综述了硅基IGBT芯片的演进和IGBT模块封装技术的创新,介绍了碳化硅器件的技术特点。     

国外最新电力电子器件的概述

本文概述了国外最新电力电子器件，给出了它们的等效电路，控制原理及器件特点。这些最新器件包括ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、ＳＩＴＨ、ＭＣＴ。     

电力电子器件表面溅射膜的保护机理研究

本文研究了用直流硅靶溅射反应法制备的溅射膜的导电特性和表面屏蔽作用,得出低含氧气氛下(O_2/Ar<30%)生成的溅射膜是一种半绝缘性的含氧非晶硅.它用于电力电子器件表面作内层保护能屏蔽外界电荷,因而可以大幅度提高器件的耐压稳定性.     

绝缘测试中负损耗的研究

用西林电桥在工频下测量绝缘材料或绝缘结构的介质损耗是评价绝缘性能的最基本试验之一。如果在测试电路或试样本身内存在T形干扰网络,则tgδ测量值就可能出现负误差或甚至出现负值。但是,这一现象迄未进行详细的研究和报道。本文研究的目的是试图找出这一现象的来源,讨论了三电极材料试样产生这一现象的问题,指出某些外国文献认为工频下负损耗来源于保护线路电阻的论述以及所提出第二保护极补偿方法是不正确的。本文提出了试样本身存在负损耗T形干扰网络的可能模型,同时指出了T形干扰网络的另一形式即空间电场感应也可以产生负损耗。最后,本文提出了绝缘材料和绝缘结构如电容套管在介质损耗测试时的某些注意事项。     

平面型电力电子器件场环终端的优化设计与试验研究

对平面型电力电子器件场环终端进行了优化设计与试验研究，提出了用混合因子Ｍｘ（载流子密度与固定电荷密度之比）作为判断理想耗尽区近似是否合理的指标，采用零场强度边界判定法，开发出能在３８６型或４８６型微机上进行模拟器件反偏状况的优化设计程序，根据设计结果制作了几种不同结构的场环器件，以测量其实际耐压，单结在１ｋＶ左右，改进后的方案用于高压ＳＩＴＨ器件的研制，耐压在１．２ｋＶ左右，最高可达１．５ｋＶ。     

变频调速中电力电子器件的应用与感应电机模型研究

本文主要讨论了变频调速中大功率器件ＧＴＲ开关频率、可靠性提高。介绍了ＩＧＢＴ变频器的性能。推导了感应电机在ＳＰＷＭ波供电时的模型。最后提出了改善调速系统低速性能的方法。     

电力半导体器件和装置的功率损耗研究

为了提高电力电子装置和电力半导体器件的运行可靠性 ,提出了估算电力半导体器件损耗和结温的热 -电联合计算方法。基于电力半导体器件的瞬态开关特性的测量 ,构造了器件精确的损耗数学模型 ,同时考虑了器件的结温对器件损耗的影响。在单个器件损耗模型的基础上分析了电力电子变换装置的损耗 ,分析了装置中器件及其散热系统组成的热阻网络及各器件的结温。最后设计了两类实验装置分别验证损耗计算的精度 ,与实验结果的对比表明该方法为合理地设计器件的散热系统、提高电力电子变换装置的效率提供了有效手段。     

电力变压器容量损耗测试仪的设计研究

设计了一种用于电力变压器空载及负载试验的容量损耗测试仪器。该仪器具有以下特点：仪器对三相电压电流同时采样;基于旋转式光电编码器和液晶显示屏的人机交互界面简洁而高效;可编程计数器阵列PCA“捕获”信号的过零点用于双向过零平均鉴相,得到准确的相位差和周期;基于实时参数自寻优的软件同步采样,有效地减小了周期截断误差,提高了测量准确度;数字化功率测量引入了传统的二表法和三表法,扩展了仪器的使用范围;实际容量根据负载损耗用软件查表的方法来判别;测量值已从试验温度折算到了参考温度（75℃）时的值。     

电力市场中损耗分摊方法选择与比较研究

在电力市场环境下,输电服务起着非常重要的作用．针对如何处理伴随输电系统开放而带来的新问题,对联营与双边交易共存(P—B)市场模式下的损耗分摊问题进行了研究．首先对市场成员进行认定,将其划分为内部成员与外部成员;然后对不同类型的成员选用相应的损耗分摊方法．这种划分方式有利于确定市场成员的权利与责任,能够体现损耗分摊的公平性与合理性．IEEE-57母线标准测试系统和某实际系统的计算验证了所提方法的有效性．     

绝缘介质损耗带电测试系统的研究

提出了一种以单片机为核心 ,采用数字化处理技术的介质损耗带电测试方法 ,介绍了它的测量原理、信号抽取方法以及数据处理的有关算法 ,并对测量误差进行了分析 ,给出了用该装置进行测量的实验结果 .     

平面型电力电子器件阻断能力的优化设计

利用场限环终端结构及P^ I(N^-)N^ 体耐压结构分析了平面型电力电子器件的阻断能力，提出了一种优化设计阻断能力的新方法，通过将器件作成体击穿器件，使其终端击穿电压与体内击穿电压之间达成匹配，从而可提高器件阻断能力的稳定性和可靠性，并降低器件的通态损耗及成本。最后通过制作具有PIN耐压结构的GTR和引用国外有关文献验证了该方法的正确性。该方法可直接推广到整流器，晶闸管，GTR，IGBT，IEGT和MCT等多种平面型电力电子器件设计中。     

电力电子设备的高频辐射损耗

在对电力电子设备的几种损耗进行了分析的基础上，对高频辐射损耗，特别是对开关电容的辐射现象进行了实验验证和机理分析。辐射损耗概念的引入有利于电力电子设备效率的分析和计算。     

应答器控制接口回波损耗测试网络建模与研究

应答器控制接口（the Balise controlling interface）C接口作为轨旁电子单元（Lineside Electronic Unit,LEU）与有源应答器的通信接口,其工作性能直接影响信息传输的可靠性.为研究C接口的传输特性,提出了基于传输线理论的C接口回波损耗网络模型.该模型首先对传输信号进行傅氏变换,利用传输线理论建立电缆传输二端口级联网络模型,然后将C接口信号通过不同阻抗匹配条件的网络模型进行仿真,并与其相对应的C接口回波损耗测试网络适配器的实际输出结果进行比较,结果表明：本文网络模型仿真结果与实际测量结果一致,其传输过程存在明显的吉布斯效应,且在不同阻抗匹配条件下：回波损耗测试网络对信号传输会有上升沿冲击以及半周期的延时,造成信号畸变等,降低了信号传输质量.搭建的网络模型可为进一步研究C接口传输特性,提高信号传输性能等提供理论支撑.     

Multisim 2001中测试电子器件特性的方法

利用Multisim 2001软件构建电子器件电路,并用直流扫描分析(DC Sweep Analysis)实现对电阻伏安特性、二极管伏安特性、晶体管输出特性的测试。     

移动通信电波路径损耗的测试

对具体地面电波传播的信号进行测试。经比较,验证了在地面LOS范围的双斜率及室内对数距离路径损耗模式,并提出针对2．4GHz频段的拟合参数取值,对无线组网有参考价值。