SNO2掺Sb薄膜导电机理

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。本文介绍了掺锑氧化锡（ATO）薄膜的导电机理和光电性能。掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈＋4价,掺杂的Sb分别以＋5和＋3价形式存在。对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。     

透明导电薄膜(Ⅱ):多元透明导电氧化物薄膜

透明导电薄膜具有可见光区透光及一定的导电性,包括金属基、氧化物基及其他化合物基透明导电薄膜等.以多元氧化物基透明导电氧化物(TCO)薄膜为对象,综述其组份、组织、相结构、禁带宽度、光电性能等方面的研究进展,并对多元和掺杂TCO薄膜的光电性能进行比较.     

SNO2掺Sb薄膜导电机理

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。对SnO2薄膜电学性能的研究表明.适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。     

掺杂Sb的SnO2基陶瓷导电薄膜的研制

对SnO2陶瓷导电薄膜的特性、导电机理、制备、应用进行了叙述,并且利用喷涂热解工艺制备了SnO2陶瓷导电薄膜,探讨了掺杂剂Sb的掺杂量、喷涂溶液的浓度对SnO2导电薄膜电阻值的影响     

溶胶凝胶法制备Sb掺杂SnO2透明导电膜的结构与性能研究

在乙醇溶剂中,以无机金属盐SnCl2.2H2O和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Sb掺杂的SnO2透明导电薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量和热处理温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,热处理温度为500℃、Sb掺杂摩尔百分比为15%～20%时,薄膜具有较好的结晶性能、好的导电性能、较高的可见光区透射率和红外光区反射率。     

粉末溅射SnO2:Pt薄膜和SnO2/SnO2:Pt双层膜的气敏特性

用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2 :Pt薄膜和表面层掺杂SnO2 /SnO2 :Pt双层膜 .实验结果表明 ,由室温至 2 0 0℃ ,这两种薄膜对CO气体均显示了较高的灵敏度和选择性 .单层膜厚度和双层膜导电层及气敏层厚度对灵敏度有明显的影响 .通过对掺杂单层膜和双层膜气敏特性的比较 ,对粉末溅射SnO2薄膜的气敏响应机理进行了探讨 .     

透明导电薄膜(I):掺杂透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物薄膜具有良好的光电性能.作为前电极,此类半导体材料薄膜广泛应用于半导体器件.本文以典型的掺杂TCO薄膜为切入点,综述了透明导电氧化物薄膜的发展历史及应用,重点阐述了几种典型掺杂TCO薄膜的结构特征、光电特性、制备方法及应用展望.     

Al掺杂量和衬底温度对ALD沉积的ZnMgO:Al薄膜的影响

ZnMgO∶Al具有近紫外透明导电薄膜的应用潜力.使用原子层沉积(ALD)制备了ZnMgO∶Al薄膜,研究了Al掺杂量和衬底温度对ZnMgO∶Al薄膜的物相和光电性能的影响.研究结果表明,在较高Mg含量下,Al重掺杂(>5%)将破坏ZnMgO∶Al的结晶性,迅速恶化其电学性能.ZnMgO∶Al的光学性质对衬底温度不敏感,但较高的衬底温度(210℃)能大幅改善薄膜的导电性.     

ZnO基透明导电薄膜制备方法研究进展

ZnO基透明导电薄膜与掺锡氧化铟薄膜（ITO）相比,不仅性能与其相似,还具有ITO很多无法比拟的优点．因此,制备ZnO基透明导电薄膜成为当今研究热点．综述了ZnO基透明导电薄膜制备方法的研究进展,并对各自的优缺点进行了讨论．     

透明导电薄膜（Ⅰ）：掺杂透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物薄膜具有良好的光电性能。作为前电极,此类半导体材料薄膜广泛应用于半导体器件。本文以典型的掺杂TCO薄膜为切入点,综述了透明导电氧化物薄膜的发展历史及应用,重点阐述了几种典型掺杂TCO薄膜的结构特征、光电特性、制备方法及应用展望。     

石墨烯透明导电薄膜的研究进展

石墨烯是目前发现的唯一存在的二维原子晶体,在薄膜制备中具有很多优点,如高化学和机械稳定性、高透光率、良好的导电性、优异的柔韧性以及原料廉价等,因而被认为是制备透明导电薄膜最有前途的材料之一.文中主要针对单层石墨烯的制备以及石墨烯基透明导电薄膜的研究进展进行综述,并对其发展前景进行展望.     

透明导电薄膜(Ⅲ):TCO/M/TCO三层透明导电薄膜

TCO/M/TCO三层透明导电薄膜具有可见光区透光率高、导电性好且超薄的特点,适用于包括柔性基底在内的电子器件的透明导电电极.本文阐述三层透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物(TCO/M/TCO)薄膜透光导电原理,厚度设计及其对光电性能的影响,金属层的选择及作用机制,溅射氛围和后处理工艺对薄膜性能的影响.     

直流溅射掺杂Pt的SnO2薄膜气敏特性

采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制备掺杂Sb的SnO2薄膜,再经直流溅射制得表面掺杂Pt的Sb∶SnO2薄膜,测试了薄膜对乙醇、汽油、苯、二甲苯、甲苯、丙酮和NH3气体的气敏性能,探讨了不同Pt掺杂量对乙醇气敏性能的影响.结果表明,Pt的溅射时间为90 s时,元件对50×10-6乙醇气体的灵敏度高达43,且薄膜具有较好的响应-恢复特性,其响应时间和恢复时间均为6 s.选择性研究表明,薄膜在加热温度为280℃时,具有很好的酒敏特性和选择性.     

SnO_2∶Sb∶Ni低温气敏薄膜的制备及性能研究

以无机盐SnCl4 ·5H2 O ,SbCl5,NiCl2 ·6H2 O为原料 ,采用溶胶 凝胶工艺制备了Sb2 O3 和NiO掺杂的SnO2 薄膜 .研究了SnO2 ∶Sb∶Ni薄膜的电学和气敏性能 .实验研究表明 ,由于锑的掺杂 ,所制得的SnO2 ∶Sb∶Ni薄膜电阻较低 ,室温下其电阻只有 1 2 0kΩ/□ .而NiO作为催化剂 ,使其对NOx 气体具有较高的灵敏度和良好的选择性 .与SnO2 ∶Sb薄膜相比 ,其工作温度大大降低 ,在常温下对NOx 气体 (主要成分是NO)也具有一定的灵敏度 ;并且水汽不影响其对NOx 气体的灵敏度 .SnO2 ∶Sb∶Ni薄膜工作温度的降低主要是薄膜表面缺陷和颈连粒子的存在所致 .     

溶胶凝胶法制备SnO2掺杂透明导电膜及性能测试

在醇溶剂中,以SnCl4和Si(OEt)4为原料,用溶胶凝胶浸渍法分别制备掺杂锑、氟和锌离子的SnCl2透明导电薄膜,并对其性能进行了测试。结果表明,该方法制得的透明导电薄膜的光电指标性能良好,并且具有工艺简单,生产成本低,适合对大面积和异形基板涂膜的优点。     

退火温度对Li掺杂ZnO薄膜光电特性的影响

采用溶胶凝胶法旋涂制备了摩尔分数为3%的Li掺杂ZnO薄膜,在450~650℃下退火后测试其微结构、表面形貌和光电特性.结果表明薄膜为六方纤锌矿多晶结构且n型导电,退火温度的升高改善了结晶度、表面形貌、透过率和导电性.退火温度超过550℃后电阻率增大,样品由肖特基导电转变为欧姆导电;伏安特性模拟结果表明,替位Li逐渐增多、薄膜功函数增大,有利于制备p型薄膜.退火温度达600℃后,由于薄膜再蒸发等使光电特性变差.550℃是最佳退火温度,适于制备高质量的透明导电薄膜,此时薄膜透过率达95%,薄膜电阻率为2.49×103Ω.cm.     

Effect of Post-Annealing Temperature on Optical and Electrical Properties of Li：ZnO Thin Films

采用溶胶凝胶法旋涂制备了摩尔分数为3%的Li掺杂ZnO薄膜,在450~650℃下退火后测试其微结构、表面形貌和光电特性.结果表明薄膜为六方纤锌矿多晶结构且n型导电,退火温度的升高改善了结晶度、表面形貌、透过率和导电性.退火温度超过550℃后电阻率增大,样品由肖特基导电转变为欧姆导电;伏安特性模拟结果表明,替位Li逐渐增多、薄膜功函数增大,有利于制备p型薄膜.退火温度达600℃后,由于薄膜再蒸发等使光电特性变差.550℃是最佳退火温度,适于制备高质量的透明导电薄膜,此时薄膜透过率达95%,薄膜电阻率为2.49×103Ω.cm.     

柔性透明导电薄膜技术进展研究及对深圳产业发展建议

正0引言透明导电薄膜是一种兼具良好导电性、高光学透过率的薄膜,其在触控屏、显示器、太阳能电池等领域都有巨大的市场需求。近年来,柔性电子组件蓬勃发展,柔性透明导电薄膜因具有可折叠、重量轻、不易碎、便于运输等优点,可广泛应用于光电领域,而成为近年来透明导电薄膜研究的新方向。1柔性透明导电薄膜研究进展光电产业对透明导电薄膜的开发与市场需求一直在不断增长,在现有触摸屏市场,主流的透明导电薄     

聚苯胺薄膜在不同质子酸溶液中的生长

在H2SO4、HCl、HNO3和H3PO4质子酸水溶液中采用原位聚合法在石英基片上制备了聚苯胺薄膜.通过对薄膜试样进行红外光谱(FT-IR)、紫外光谱、扫描电镜(SEM)、导电性能的测试研究不同种类质子酸对聚苯胺薄膜厚度及导电性能的影响.实验结果表明,试样的掺杂程度和薄膜分子链共轭长度是提高试样导电性能的重要因素,质子酸的氧化性对薄膜生长和导电性能也会产生影响.     

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) .