红色有机薄膜电致发光器件

研制了三种以 8-羟基金属螯合物 Mq3(M=Al,Ga,In)为基质、DCJTB为掺杂剂的红色有机电致发光器件 ,对比了不同掺杂浓度下的 Mq3的光致发光光谱、电致发光的亮度 -电压、亮度 -电流关系 ,从光谱重叠、能级匹配角度分析了不同基质对发光效率及色度的影响     

高效率的白光有机电致发光器件

为了提高白光有机电致发光器件的发光效率和光谱稳定性,采用染料掺杂的方法,制备了多层结构白光有机电致发光器件。通过参数优化实现了非常好的白光发射,并表现出良好的光谱稳定性。器件的开启电压为5.1V,发光亮度达到10800cd／m^2,最大电流效率和功率效率分别是10.4cd／A和3.5lm／W。     

DCM染料掺杂对有机电致发光磁效应的影响

制备了DCM染料掺杂的有机电致发光器件ITO/NPB/Alq3： DCM/Alq3/ LiF/Al, 研究了15 K-R.T.（室温）温度范围内, 器件的电致发光随磁场的变化关系（即电致发光的磁效应）. 发现电致发光的磁效应由低场（0≤B≤40 mT）效应和高场（B≥ 40 mT）效应两部分组成. 室温下, 对于未掺杂的参考器件, 发光在低场部分随磁场的增加迅速增强, 高场部分随磁场的增加缓慢并逐渐趋于饱和. 而对于掺杂器件, 尽管发光在低场部分随磁场也迅速增强, 但高场部分却在低场增加的基础上出现下降. 器件的注入电流越大, 发光在高场下降越明显. 低温下（T ≤150 K）, 尽管未掺杂器件电致发光的磁效应的高场部分也出现减弱趋势, 但掺杂样品的高场部分受温度的影响要远弱于未掺杂样品的结果. 基于掺杂引起的能级陷阱效应, 通过讨论外磁场作用下的三重态激子淬灭过程, 我们对实验结果进行了定性解释.     

蓝色有机薄膜电致发光材料LiBq4

合成了一种新型的金属有机螯合物ＬｉＢｑ４（Ｌｉｔｈｉｕｍ ｔｅｔｒａ－（８－ｈｙｄｒｏｘｙ－ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ｂｏｒｏｎ）,并研究了其光致发光（ＰＬ）和电致发光（ＥＬ）的性质,在以ＬｉＢｑ４为发光层的三层结构器件ＩＴＯ／ＴＰＰ（５０ｎｍ）／ＬｉＢｑ４（５０ｎｍ）／ＡｌＱ（５ｎｍ）／Ａｌ中得到了蓝色发光。     

电致发光有机薄膜中载流子的输运

研究电致发光有机薄膜中载流子的输运过程,迁移率是描述输运过程的关键物理量。根据载流子在格点间跳跃（hopping)输运理论,提出了一个有机薄膜中载流子输运的理论模型,推导出了迁移率的理论公式,以聚对苯乙炔（poly(p-phenylene vinylene)为例,数值计算了其在不同温度和电场下的迁移率,与实验符合得很好。     

小分子有机电致发光材料研究进展

 有机电致发光器件（OLED）具有效率高、亮度高、驱动电压低、响应速度快以及能实现大面积光电显示等优点,因其在平板显示和高效照明领域具有极大的应用前景而引起广泛关注。在OLED的制备及优化中,有机电致发光材料包括小分子和聚合物的选择至关重要,其中有机小分子发光材料具有确定的相对分子质量、化学修饰性强、选择范围广、易于提纯、荧光量子产率高以及可以产生红、绿、篮等各种颜色光等优点,一直受到国内外学者的广泛重视。本文综述了近年来国内外有机电致发光小分子发光材料的研究状况,对有机小分子电致发光材料进行分类和评述,并简要介绍了小分子OLED的应用前景和发展趋势。     

有机掺杂红色发光二极管的特性研究

研究了不同掺杂浓度掺杂Alq3：DCM体系有机发光二极管的电致发光（EL）特性,根据实验结果,指出器件的EL发射峰值跟作为受体的DCM在给体Alq3中的掺杂浓度有关,应用Forster能量传递理论对其机理进行了解释。     

有机薄膜电致发光器件的研究进展（综述）

对近几年来有机薄膜电致发光（ＥＬ）器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜ＥＬ器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。     

具有异质结的聚合物有机薄膜电致发光器件

本文报道了由一层电子传输材料ＰＰＱ和一层空穴传输材料ＰＤＤＯＰＶ构成的有机聚合物异常结发光二极管的实验结果。虽然双层器件的点亮电压高于由纯ＰＤＤＯＰＶ构成的单层器件,但是它在一定电压下,电流密度降低了一个数量级,而亮度却提高了近两个数量级。     

ZnS:TmF3薄膜电致发光特性的研究

为了提高蓝色薄膜电致发光器件(TFEL)的发光亮度,自行配制了氟化铥(TmF3),并制备了以ZnS:TmF3为发光层的薄膜电致发光器件,研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS:TmF3 发光器件发光特性的影响.实验结果显示,当掺杂浓度为1.2%mol时,发光亮度最强.     

驱动条件对有机薄膜电致发光形成过程的影响

研究了驱动条件对有机薄膜电致发光形成过程的影响，初步分析了这种形成过程的机理．     

铋掺杂氧化铟锌薄膜晶体管的研究

采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌(a-IZBO)为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示出更低的关态电流,正向偏移的开启电压,表明铋掺杂能有效抑制载流子浓度.在铋掺杂含量为原子百分比8.6%时达到最佳的电学性能:载流子迁移率为7.5cm~2/(V·s),开关比为3×10~8,亚阈值摆幅为0.41V/decade.使用光致发光激发谱和X射线光电子能谱评价了a-IZBO沟道层中的氧空位缺陷,分析结果证实了铋的掺杂确实有效地减少了氧空位,从而抑制了半导体沟道层中的载流子浓度,对a-IZO-TFTs的总体电学性能改善起到较大的作用.     

苯胺掺杂聚茜素红薄膜修饰电极的研制及应用

利用循环伏安法研究了苯胺掺杂聚茜素红薄膜修饰电极(PARAN)的制备方法,并对电极的性能进行了电化学表征．利用该修饰电极对酚磺乙胺(DIC)的电催化作用,建立了对DIC进行定量分析的方法．在0．10 mol/L的高氯酸溶液中,DIC的浓度在0．10 mg/mL～1．5 mg/mL范围内与峰电流呈良好的线性关系,检出限可达12．5μg/mL．利用该法对酚磺乙胺针剂、片剂样品进行了定量分析,得到满意结果．十次样品分析结果的相对标准偏差小于4%,样品回收率在97．2%～101．8%之间,完全满足微量分析的要求．     

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜．用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术．研究该薄膜的微结构与发光特性．发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异，掺入的稀土元素铒呈三价．电致发光谱为Er^3 的发光谱线．硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容．     

掺杂浓度对四苯基卟啉掺杂电致发光器件的发光性能影响研究

以8-羟基喹啉铝(Alq3)为主体发光材料,四苯基卟啉(TPP)为掺杂染料,制备了5种不同摩尔掺杂浓度(0．5％、1．0％、1．5％、2．0％、2．5％)的掺杂电致发光器件,考察了掺杂浓度对其器件的电致发光光谱、色度、亮度和发光效率的影响;并结合掺杂器件的发光机理,对实验结果进行了分析和讨论     

氧化锌基薄膜的制备及其光学性质的研究现状

ZnO作为制造高效率短波长发光和激光器件的理想材料,在磁学和电学等方面已经取得了巨大的研究进展,但是在掺杂状态对调控ZnO薄膜的发光行为方面至今鲜有报道。介绍了ZnO薄膜材料的基本结构和特性,综述了ZnO基薄膜的制备技术及其优缺点。此外,借助紫外发光和可见发光这两种发光机制,探讨了Co、Sn单掺及Co、Sn共掺ZnO薄膜的可见光发光特性,同时指出掺杂元素和掺杂量对薄膜能带结构的影响。最后,对ZnO基薄膜材料的应用工作和今后的发展方向进行了展望。     

掺杂半导体的电离率

本文从电子占据能级的几率出发,经过严格数学推导,得到了杂质半导体的电离率、电离能、浓度及温度各量关系的一般表达式,并与某些极端条件下的近似结果进行了比较。分析表明,本文得到的表达式具有普遍意义,该关系式对于分析上述各量关系,特别是在非极端条件下,具有实际意义。     

热激电流法测ZnS:Er薄膜中深能级的研究

采用热激电流法对ZnS：Er交流薄膜电致发光器件中深能级的测量结果。推测了几种深能级的产生机制。     

化学在光电领域的应用（Ⅱ）——彩色与白光有机薄膜电致发光材料

彩色与白光有机电致发光薄膜近年来得到迅猛的发展,是未来平板式全固体彩色电视机的技术关键。文中介绍了国内外此项技术的发展,以期对今后的工作有所借鉴。