N型硅压阻系数π_(11)与π_(12)之间关系的理论推导

本文应用能带结构的多谷模型,对N型硅在[100]方向的压阻效应进行了理论分析。当沿N型硅晶体的[100]轴施加压力并分别在[100]和[010]方向加电场时所引起的电导率变化的主要原因是:电子在能谷之间转移时,电子的迁移率发生变化。由此推导出N型硅的纵向压阻系数π_(11)与横向阻压系π_(12)之间的关系是: π_(12)=-1/2π_(11)且π_(12)的符号是“正”,π_(11)的符号是“负”。这一结果与C.S.Smith的实验测量数据吻合。     

负阻效应的原理与应用

在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念,对负阻效应产生方式和原理进行了论述。NIC(Negative Impedance Converter)是一种广泛运用于设计的负阻抗器件,提出了两种构成NIC的方式,给出了利用NIC来实现阻抗变换的设计原理和方法。运用由运算放大器构成的NIC对现有的LC阻尼振荡实验进行了改进,并给出了具体的电路,使实验结果更接近理论分析结果,还可使观察到的实验现象更加多样化。对负阻效应在几种实际电子线路中的应用进行了研究和总结。     

基于共振隧穿结构的压力传感器稳定性研究

基于共振隧穿结构的压力传感器的优点是灵敏度高且可调,但是稳定性不好,分析了影响振荡稳定性的原因,提出调整I-V特性曲线负阻区宽度及斜率的方法以提高器件的稳定性.利用共振隧穿结构在负阻区域的滞后(Hysteresis)和平台效应(Plateau-like),通过改变结构参数,如量子阱宽度、掺杂浓度等,加宽负阻区域,减小斜率,达到提高器件稳定性的目的.     

PLBT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器

首次报道了 PL BT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器的初步研究结果 ,介绍了硅光电负阻器件 (PL BT)的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器进行了实验研究     

文摘预登

高性能ＧａＡｓ微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器田　彤1,罗晋生2,吴顺君1(1.西安电子科技大学,710071,西安;2.西安交通大学)在前期对ＧａＡｓ微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上,针对国内工艺技术的特点,提出提高其性能的电路结构及其设计技术.该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器,在输入端设计π型宽带匹配电路,并采用经实验验证和优化设计的平面压控变容管.模拟结果表明,该压控带通滤波器性能优越,有10ｄＢ以上插入增益,通带宽度约30ＭＨｚ,调频范围宽约400ＭＨｚ,工作于1.44～1.82Ｇ…     

静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟

运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.     

基于时空信息和非负成分表示的动作识别

为充分利用时空分布信息及视觉单词间的关联信息,提出了一种新的时空非负成分表示方法(ST-NCR)用于动作识别.首先,基于视觉词袋(Bo VW)表示,利用混合高斯模型对每个视觉单词所包含的局部特征的时空位置分布进行建模,计算时空Fisher向量(STFV)来描述特征位置的时空分布;然后,利用非负矩阵分解从Bo VW表示中学习动作基元并对动作视频进行编码.为有效融合时空信息,采用基于图正则化的非负矩阵分解,并且将STFV作为图正则化项的一部分.在3个公共数据库上对该方法进行了测试,结果表明,相比于Bo VW表示和不带时空信息的非负成分表示方法,该方法能够提高动作识别率.     

阻抗变换器的负阻特性分析

本文就广义阻抗变换器的负阻特性进行了分析。在采用运算放大器单极点模型的条件下,得到了负阻特性并作出其频率曲线,给出了负阻变换器的最佳元件设计方案,并进行了灵敏度分析,提出了选择负阻变换器参数应注意的问题。     

硅单晶热稳定性研究

本文对N型(111)高阻、P型(111)和N型(100)低阻硅单晶,进行了热处理实验,研究了氧含量和热处理温度对无位错硅单晶的电阻率、寿命和红外吸收特性的影响,确定了影响电阻率稳定性的氧含量值。     

单结管结构中电压微分负阻的试验分析

一、引言UJT(单结晶体管)是大家熟知的一种具有电流控制式微分负阻器件。图1是 UJT结构的等效电路和特性曲线图。     

T(1,1,t,3,1)的补图的色唯一性

h(G,x)表示图G的伴随多项式, b(G)表示h(G,x)的最小负实根。本文证明了T(1,1,t,3,1)的补图色唯一的充要条件是t不等于1,3,6。     

一类非线性蜕化抛物问题解的渐近性态

讨论了P(1)非负平衡解集的结构和其中某些元素的吸引区域。由此弄清了部分P(1)非负解的渐近状态,作为应用,得到一些在生物群体运动中有参考价值的结果。其中P(1)表示如下初、边值问题:     

薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析

采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．     

Hammerstein型非线性积分方程的固有值与固有元

本文讨论Hammerstein型非线性积分方程φ(x)=f_Gk(x,y)f(y,(y))dy=A_φ(x) (1)当核k(x,y)和f(x,y)为某些特殊函数时的固有值与固有元。这里G表示N维欧氏空间R~N中的有界闭城。在讨论方程(1)的解或算子A的固有值和固有函数时,许多文献都假定核k(x,y)非负或者f_Gk(x,y)dx>0     

基于非负稀疏表示的标签繁殖算法

提出了一种基于非负稀疏表示(nonnegative sparse representation,NSR)的半监督学习标签传播算法.该算法首先构造一个稀疏概率图(sparse probability graph,SPG),其权重由非负稀疏表示算法计算的非负系数组成,自然地反映了各样本之间的聚类关系,避免了传统半监督学习算法中的邻居选择和参数设置过程;然后通过对未标记样本的标签进行迭代繁殖至收敛而获得所有样本的标签.在人脸识别、物体识别、UCI机器学习和TDT文本数据集上的实验结果表明采用非负稀疏表示的标签传播算法比典型的标签繁殖算法具有更好的分类准确率.     

跨阻型集成带阻滤波器设计

作为一种独特的滤波器形式,跨阻滤波器在集成电路中起着重要作用．基于LC原型电路,提出了一种跨阻型集成带阻滤波器的设计方法．首先用状态变量表示LC元件变量关系,然后将关系式表示成信号流图形式,用全差分放大器替换其中的积分部分,最后集成得到全差分有源跨阻带阻滤波器．为验证设计的可行性,给出了六阶Chebyshev跨阻集成带阻滤波器的设计过程及其Hspice计算机仿真结果．仿真结果表明,所设计的滤波器满足设计参数要求,滤波性能良好．     

永久期权价格的闭形式解和最优停时

考虑一个金融市场模型,其中标的股票由Lvy过程和常利率驱动。永久看涨(看跌)美式期权价格的闭形式解由Lvy过程的上确界(下确界)表示。作为上述结论的一个推论,对于带有正(负)混合伽马跳跃和任意负(正)跳跃的Lvy过程,给出了永久看涨(看跌)美式期权价格的闭形式解和最优执行时间。     

负阻振荡器的自适应递推设计

该文以负阻振荡器设计及自适应递推算法为基础，提出了负阻振荡器的最佳自适应递推设计方法。该方法计算简单、收敛快而准确，并保证收敛的唯一性和最优性。它不但可用于各种器件及波段的负阻振荡器的设计，还可用于各类有源非线性网络的调谐与阻抗匹配。文中结合实例，详细分析和验证了该方法。     

关于正交试验设计的注记

我们用A_(m×n)表示m×n矩阵,A_(v×v)≥0表示A是v阶非负定阵,rkA表示A的秩,△_t表示元素全为1的t维列向量,J_(s×t)表示元素全为1的矩阵,I_t表示t阶单位阵。不致混淆时,我们将矩阵的阶数略去。我们还用A~-表示A的广义逆的一个选取,用P_A表示在R(A)的列向量所张成的空间R(A)上的投影P_A~(?)表示在R(A)的正交补间R~I(A)上的投影。X(X_i)表示从     

广西师范学院学报（自然科学版）2008年总目次

第1期均匀离散型随机变量条件数学期望的有限Fourier级数表示………………………………陈乃辉(001)带干扰的双险种复合负二项风险模型……………………………………方世祖,刘瑶环,孙歆,等(004)双指数分布位置参数的经验Bayes检验问题:NA样本情形………………薛婷婷,韦程东,韦莹