关于惰性电子对效应产生的原因探讨

关于惰性电子对效应的产生原因目前有各种不同的解释 ,但通常都是采用单一的因素来分析 ,虽然也能说明部分事实 ,但认识比较片面。事实上随着这些元素形成化合物的类型不同 ,影响其氧化态变化的因素也是不同的 ,从热力学能量角度具体考虑不同情况下影响惰性电子对效应的主要因素 ,得到了较好的结果     

“惰性电子对效应”问题探讨

用原子结构理论、热力学理论和相对论性效应讨论了“惰性电子对效应”，分析说明了“惰性电子对效应”称为“惰性价电子效应”更准确．     

关于惰性电子对效应产生的原因探讨

关于惰性电子对效应的产生原因目前有各种不同的解释，但通常都是采用单一的因素来分析，虽然也能说明部分事实，但认识比较片面。事实上随着这些元素形成化合物的类型不同，影响其氧化态变化的因素也是不同的，从热力学能量角度具体考虑不同情况下影响惰性电子对效应的主要因素，得到了较好的结果。     

惰性价电子效应的普遍性与规律性

本文系统研究了周期表中65种元素的有效核电荷,利用原子(或离子)的半径及电子的屏蔽效应和钻穿效应,讨论了惰性价电子效应产生的普遍性;并根据周期表中元素的性质,揭示了这一效应所表现出的规律性。     

再论周期表中的相对论性效应

简要地论述了多电子原子体系的主要相对论性效应,即相对论性收缩、自旋-轨道分裂和相对论性自洽扩展等。随着元素原子序数增加,上述效应的影响迅速增大,这是决定重元素及其化合物“反常现象”的主要因素。诸如某些重金属元素的“反常性”、特殊性、差异性和相似性均可用相对论性效应予以解释。     

“惰性电子对效应”产生原因的探讨

在元素周期表内的Ⅲ_A,Ⅳ_A,Ⅴ_A族中,各同族内低氧化态化合物自上而下趋于稳定,而高氧化态化合物自上而下趋于不稳定的现象称为“惰性电子对效应”.对“惰性电子对效应”的产生可以认为是钻穿效应及离子半径对成键强度影响的结果。也可以从us~2电子对的电离能之和来解释.还可从热力学离子焓及高价化合物的平均热化学键能来说明.     

核碰撞中直接电子对产生截面的计算

介绍了高能核-核碰撞中直接电子对产生截面的理论结果,计算了高能氧核与核乳胶电磁作用中产生直接电子对的截面。     

超导电流的动量守恒与超导电子对隧道效应

讨论了稳恒电流的动量守恒现象,由此分析了直流约瑟夫森隧道效应。指出,描述约瑟夫森隧道效应的2个基本方程遵循稳恒电流动量守恒定律;约瑟夫森隧道结上的超导电子对质心定向运动速度比隧道结2侧超导体内的超导电子对质心定向运动速度大3个数量级：vS2～1 03 vS1;约瑟夫森隧道结上超导电子对的质心定向运动速度和动量很大的原因在于其运动遵循稳恒电流动量守恒定律;约瑟夫森隧道结上超导电子对质心定向运动速度可以达到费米速度的数量级、其定向运动动能可以达到费米能的数量级,从而使隧道结由超导态转变成正常态。     

关于谱对和和谐对的刻画

研究了在谱自仿测度中的重要概念谱对和和谐对的刻画．最近,Dorin．Ervin．Dutkay and P．E．T．Jorgensen在Quasiperiodic spectra and orthogonality for iterated function system measures一文中建立了一个一维中谱对和和谐对的刻画,并且得到这种谱集的谱只有有限多个．本文将这一结论推广到了n维,也得到这种谱集的谱只有有限多个．     

PDF法在SrBi2Ta2O9铁电薄膜结构分析中的应用

采用Sol—Gel法及spin—coating法制备出了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜．通过对“对密度分布函数”(pairdistributionfunction，PDF)中结构因子的修正，利用X射线衍射的：PDF数据对铁电材料SrBi2Ta2O9的结构尺寸进行了分析，得出分布几率随陈化温度的变化呈现出不同的变化规律的结果．将2种陈化温度下的PDF数据和SrBi2Ta2O9扫描电镜的结果进行了对比分析，结果表明PDF法在分析局域结构以及局域结构和平均结构之间的关系方面更具优越性。     

SISIS结中的电子对隧道效应的某些详细的分析和计算结果

采用Feynman方法分析了超导体－弱连接－超导体－弱连接－超导体结构（SISIS结）中的电子对隧道效应，得到了描述该效应的基本方程组，当两个弱连接结区处于零电压状态时，忽略弱连接结区的电容和电感（如超导桥和点接触的情况），得到了该方程组的严格解。结果表明，在没有任何外部因素（如外电压、外磁场等）影响时，完全由于SISIS结内部的电子对隧道效应，在SISIS结中会出现交流电，这种交变电流用椭圆函数表示。本文给出了这些结论的详细分析和计算结果。通过进一步的讨论还指出，在SISIS结中，并不会伴随着这种用椭圆函数表示的振荡电流的出现而发出电磁辐射。     

余氏理论中原子平均共价电子密度研究

在价电子理论中提出了原子平均共价电子密度的概念 ,计算了马氏体中典型结构单元内各晶面上的原子平均共价电子密度 .研究表明 :在相邻晶面上的原子平均共价电子密度应连续是不同结构类型单元相邻的必要条件 ,把此条件应用于余氏理论的价电子结构计算中 ,可以消除或减少多重解 .     

ECCD中的俘获电子效应

通过对聚变堆级条件下的电子回旋波电流驱动(ECCD)进行模拟,研究了俘获电子效应对电流驱动及功率沉积的影响。结果表明:俘获电子会吸收更多的波功率,使波功率的沉积更加集中,并且使电流驱动效率明显降低。     

平面移动副运动链的结构分析

通过实例分析了单闭环平面移动副运动链的基本概念、演变特点和结构特征,指出了平面机构中单闭环移动副运动链个数的确定方法,通过机构自由度计算实例,演示了公式F=3n-2p_l-p_h在含移动副运动链的各种平面机构中的应用。     

Transmission electron microscopy investigation of the Ar+ ion irradiation effect in semiconductor GaAs

Room temperature irradiation effect of GaAs compound semiconductor by 100 keV Ar⁺ ions has been systematically studied by means of transmission electron microscopy. The dose dependenceoof the Ar⁺ ion irradiation and room temperature annealing effects have been investigated. The experimental results show that the structure of GaAs transforms from perfect crystalline through weakly and severely damaged crystalline to amorphous states with the increase of the irradiation dose and the damaged states are changed during room temperature annealing. Yang Xiangxiu: born in 1968, Doctor     

Field-Induced structure and pair distribution function of fractals

The structure transitions in cluster-cluster aggregation (CCA) and diffusion-limited aggregation (DLA) under external electric fields have been investigated by computer simulations. With the increase of external electric field, there exists a structure transition from disorder to order, i. e., the aggregates change from fractals of diffusion-limited CCA and DLA to the electrorheological chains parallel to electric field. Pair distribution shows, the system changes from local order to long-range order gradually with the external field rising.     

含单势垒量子隧穿结构电子稳恒输运中的接点效应(英文)

基于散射矩阵理论和费米-托马斯近似,通过对含单势垒的量子隧穿结构的研究,得到了稳恒输运中介观结构的电导特性.结果表明,稳恒条件下接触效应对介观体系中的电子透射以及内部特征势有明显的影响;电势降所呈现的电导特性与经典电路中的基尔霍夫定律相违背,整个介观体系的电阻不能简单地视为接触电阻和散射电阻串联,必须考虑接点和介观器件间的量子相干性.因此,接点效应对于进一步研究介观体系中的电子输运起到非常重要的作用     

Transmission electron microscopy investigation of the Ar+ ion irradiation effect in semiconductor GaAs

Room temperature irradiation effect of GaAs compound semiconductor by 100 keV Ar⁺ ions has been systematically studied by means of transmission electron microscopy. The dose dependenceoof the Ar⁺ ion irradiation and room temperature annealing effects have been investigated. The experimental results show that the structure of GaAs transforms from perfect crystalline through weakly and severely damaged crystalline to amorphous states with the increase of the irradiation dose and the damaged states are changed during room temperature annealing. Yang Xiangxiu: born in 1968, Doctor