快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿

研究不同类型、不同沟道长度的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。     

Si3N4／SiO2栅pH—ISFET传感器的设计与模型

提出了一种含微参比电极和择优差补偿单元的背面引线ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器的新结构，实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离；基于ＳＤＢ／ＳＤＩ材料和硅微机械加工技术，研制成ＰＨ－ＩＳＦＥＴ传感器；讨论了含两种类型表面基的Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２绝缘栅中硅醇基与胺基所占比率对Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ４栅ＰＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能和稳定性的影响，对进一步改善ＰＨ－ＩＳＦＥＴ的敏感性能提供了一种实际的考虑。     

用于集成超声传感阵列的PVDF—MOSFET新结构

本文报道一种用聚酰亚胺膜垫高扩展栅的聚偏氟乙烯压电膜－ＭＯＳ晶体管传感器单元结构。和一般ＰＯＳＦＥＴ结构相比。这种新结构大大减少了扩展栅电容，明显地提高了器件灵敏度。详述了这种结构的制造过程，特别是ＰＩ膜制备条件对ＣＥＧ和器件性能的影响。     

Al2O3／SiNx双层绝缘栅a—Si：H TFT的研究

研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ层双绝缘栅的制作方法，双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低，开态电流上升，获得了１０＾７的开关电流比。     

Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究

研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低、开态电流上升，获得了１０７的开关电流比．     

非晶态合金的自旋波激发与结构涨落及超精细场分布

本文研究了非晶态（ａ）－Ｆｅ－ＴＭ－Ｓｉ－Ｂ（ＴＭ＝Ｃｏ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｎｂ）合金从１．５Ｋ到３００Ｋ的磁化强度及室温穆斯堡尔谱，得到了成里温度Ｔｃ、饱和磁化强度σｓ（０）、自旋波颈度常数Ｄ及平均超精细场等。结果表明，（ａ）对于Ｆｅ８３Ｓｉ５Ｂ１２，当Ｎｂ，Ｍｏ与Ｓｉ，Ｃｏ取代Ｆｅ后，Ｆｅ－（Ｎｂ，Ｍｏ）－Ｓｉ－Ｂ的磁性质不同于Ｆｅ－（Ｓｉ，Ｃｏ）－Ｓｉ－Ｂ；（ｂ）ａ－Ｆｅ－（Ｍｏ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｗ，     

台州地区金枪鱼渔业发展途径探讨

台州地区金枪鱼渔业发展途径探讨李恩林（台州地区钓流渔业公司，椒江３１７７００）ＡＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴＯＦＴＵＮＡＦＩＳＨＩＮＧＩＮＴＡＩＺＨＯＵＤＩＳＴＲＩＣＴＬｉＥｎｌｉｎ（ＴａｉｚｈｏｕＤｉｓｔｒｉｃｔＤｒｉｆｔＮｅｔ－ＨｏｏｋＦｉｓｈｅｒｉｅ...     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ：Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ特性的影响，研究结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ的静态特性，（如开／关态电流比，阈值电压等）有较大的影响，理论分析表明，这是由于钝化怪固体电荷的有源层背面引入了背面空间电荷层造成的，详细分析了背面空间电荷怪的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合。     

快速热氮化改善n—MOSFET氧化层的加速击穿

研究不同类型，不同沟道长的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。     

Pb—Ag—Ca新型阳有在MnSO4—H2SO4溶液中腐蚀速度的测定

分别测定了ＰＡＣ电极（Ｐｂ－Ａｇ－Ｃａ新型阳极的简称）在ＭｎＳＯ４－Ｈ２ＳＯ４溶液中的阴极极化曲线及阳极极 线，从图中求得：ｉｃｏｒ＝１５．８５μＡ／ｃｍ＾２，ψωｒ＝－０．０９５Ｖ，Ｖｃｏｒ＝２．９５Ｋｇ／ｍ＾２ａｎｎ．７．９０％（电极重量每年消耗的百分数）ｉ。（２）＝５４．７０μＡ／ｃｍ＾２及ｉ。（３）＝１．１０μＡ／ｃｍ＾２；讨论了ＰＡＣ阳极的腐蚀机理即反应（２）受反应（３）的动力学参数所     

暴发性鱼病防治的试验

暴发性鱼病防治的试验华建权，叶松林　　（浙江省慈溪市水产技术推广站慈溪３１５３００）ＡＮＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴＯＮＴＲＥＡＴＭＥＮＴＯＦＳＵＤＤＥＮＡＴＴＡＣＫＯＦＦＩＳＨＤＩＳＥＡＳＥＨｕａＪｉａｎｑｕａｎＹｅＳｏｎｇｌｉｎ（ＣｉｘｉＦｉｓｈｅｒｉｅ...     

液态金属离子源与聚焦离子束的研制进展

为了适应大规模集成器件制作工艺发展的需要，开展了液态金属离子源（ＬＭＩＳ）和聚 焦离子束（ＮＢ）的研究。研制成针型、同轴针型与毛细管型的镓与金ＬＭＩＳ，Ａｕ－Ｓｉ、Ａｕ－ Ｓｉ－Ｂｅ与 Ｐｄ－Ｎｉ－Ｓｉ－Ｂｅ－Ｂ三种共晶合金型 ＬＭＩＳ：研究了带有控制栅极的 ＬＭＩＳ的控 制性能；编制了计算聚焦离子枪所需的程序；制成三种型式的聚焦离子枪并获得０．１μｍ 直径的聚焦离子束；制成扫描离子显微镜（ＳＩＭ）；初步开展了刻蚀试验。     

慢性肾衰血浆中红细胞生成抑制蛋白的分离纯化

本文采用慢性肾功能衰竭（ＣＲＰ）病人血浆为材料，通过硫酸铵分步沉淀，ＤＥＡＥＤＥ－５２纤维素离子交换层析、ＳｅｐｈａｃｒｙｌＳ－１００凝胶层析及高效液相凝胶层析（ＨＰＬＣ），从中分离出一种蛋白质．经体外红系集落（ＣＷ－Ｅ）实验证明对ＣＦＵ－Ｅ有明显的抑制作用．该蛋白的分子量为５７０００，等电点（ＰＩ）为４．２，我们称这种蛋白为红细胞生长抑制蛋白（Ｅｔｙｔｈｒｏｒｏｉｅｓｉｓｉｎｈｉｔｏｒｒａｃｔｉｖｔｙｐｒｏｔｉｎ）．     

镍系胶体催化丁二烯聚合反应各组分相互作用的研究

已知在加氢汽油介质中Ｎｉ（ｎａｐｈ）２－Ａｌ（ｉ－ＢＵ）３－（ＢＦ３．ＯＥｔ２＋ｎ－Ｃ８Ｈ１７ＯＨ）体系为胶体催化剂。本工作应用ＦＴ－ＩＲ谱结合Ｔｙｎｄａｌｌ效应,电导率,ＵＶ－Ｖｉｓ,ＥＳＲ谱对催化剂各组分的相互作用进行研究。     

计算加权Moore—Penrose逆AM^＋,N的一个改进的并 …

利用ＰＲＥＰＡＲＴＡＦＴ和ＳＡＲＷＡＴＥ Ｄ Ｖ＾〔６〕的一些结果,给出一个计算回权Ｍｏｏｒｅ－Ｐｅｎｒｏｓｅ逆ＡＮＭ＾＋的改进的并行算法,改善了文献〔８〕中提出的算法。在与ＰＲＥＰＡＲＴＡＦ Ｐ和ＳＡＲＷＡＴＥＤＶ文〔６〕中相同的假设下证明了改进的并行算法的时间复杂性和处理机台数分别为Ｔ＾－＝０（ｌｏｇｎ）＾２）,Ｐ＝ｍａｘ｛「ｍ／ｎ」＾２ｎ＾α／ｌｏｇｎ,２ｒ＾１／２ｎα／（ｌｏｇｒｌｏｇｎ）     

亚临界干燥制备Sio2气凝胶

以Ｅ－４０（多聚硅氧烷）为硅源,ＨＦ为催化剂,采用异丁醇为干燥介质,用溶胶凝胶法在亚临界条件下制备了ＳｉＯ２气凝胶,用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、孔径分布测定仪、比表面积测试（ＢＥＴ）等方法对其微结构进行了研究,结果表明,所制备的ＳｉＯ２气凝胶具有纳米网络结构（平均颗粒大小约１０ｎｍ,平均孔径为１４．５ｎｍ）和大比表面积（约７０８．３ｍ＾２．ｇ＾－１）。由于亚临界干燥使得制备压力从６．４ＭＰａ降低到     

物理处理刘芳香族聚酰胺纤维自由基的影响──紫外线照射和低温等离子体照射处理

经强极性溶剂二甲基甲酰胺（ＤＭＦ）和二甲基亚砜（ＤＭＳＯ）预处理的芳香族聚酰胺纤维Ｎｏｍｅｘ（ｍ－ＰＩＡ）和Ｋｅｖｌａｒ（ｐ－ＰＴＡ），再经紫外线和低温等离子体处理后，用电子自旋共振（ＥＳＲ）研究了纤维基质中自由基强度的变化．芳香族聚酰胺纤维经紫外线和低温等离子体照射后，在纤维基质中能生成自由基；自由基强度与纤维自身性质及预处理引起的纤维形态变化有关；自由基的稳定性随温度升高而减小；在一定温度下，放置短时间后，自由基趋于稳定．     

MAGNETIC RELAXATION AT EARLY TIMES AND FLUX DIFFUSION BARRIER V（J，B，T） FOR Ti－1223 DOPED WITH Pb AND Ba BY COMPLEX AC SUSCEPTIBILITY MEASUREMENTS

ＭＡＧＮＥＴＩＣＲＥＬＡＸＡＴＩＯＮＡＴＥＡＲＬＹＴＩＭＥＳＡＮＤＦＬＵＸＤＩＦＦＵＳＩＯＮＢＡＲＲＩＥＲＶ（Ｊ，Ｂ，Ｔ）ＦＯＲＴｉ－１２２３ＤＯＰＥＤＷＩＴＨＰｂＡＮＤＢａＢＹＣＯＭＰＬＥＸＡＣＳＵＳＣＥＰＴＩＢＩＬＩＴＹＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳＤ...     

高校物资供应部门的局域网建设

高校物资供应部门的局域网建设曹建平（山西大学实验设备处，太原０３０００６）ＴＨＥＣＯＮＳＴＲＵＣＴＩＯＮＯＦＬＡＮＦＯＲＭＡＴＥＲＩＡＬＳＵＰＰＬＹＢＵＲＥＡＵＩＮＨＩＧＨＥＲＬＥＡＲＮＩＮＧＩＮＳＴＩＴＵＴＥＳＣａｏＪｉａｎｐｉｎｇ（Ｄｉｖｉｓｉ...     

密切圆的推广──密切椭球

密切圆的推广──密切椭球ＣＩＲＣＬＥＯＦＣＵＲＶＡＴＵＲＥＴＯＥＬＬＩＰＳＯＩＤＯＦＣＵＲＶＡＴＵＲＥ石益祥ＳｈｉＹｉｘｉａｎｇ（浙江水产学院基础课部，舟山３１６１０１）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＢａｓｉｃＣｏｕｒｓｅｓ，ＺＦＣ，Ｚｈｏｕｓｈａｎ３１...