纵向驱动巨磁阻抗效应的相位特性

作者测定了９８ＭＰａ应力退火生成的Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｖ２Ｓｉ１３．５Ｂ９纳米微晶带纵向驱动微磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的规律。从相频曲线的峰位可确定样品的特征频率。从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律,说明了纵向驱动巨磁阻抗效应在小于特征频率时是磁电感效应,大于特征频率时是磁阻抗效应,且在高频时主要是与畴壁移动磁化的阻尼而引起的磁损耗密切有关。     

驱动方式对玻璃包裹铁基纳米晶丝巨磁阻抗(GMI)效应的影响

用HP4294A型阻抗分析仪测量了不同直径的玻璃包裹铁基纳米晶丝在2种驱动方式下的巨磁阻抗.结果发现,纵向和环向2种驱动方式下晶丝的最佳退火温度分别为580℃和560℃.2种驱动方式下,巨磁阻抗比值都随细丝直径的增大而增大;环向驱动方式下,巨磁阻抗频谱曲线峰值对应的驱动频率随细丝直径的增大而减小;纵向驱动方式下,不同直径晶丝的巨磁阻抗频谱曲线峰位频率没有明显的变化.     

磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗效应影响的研究

研究了Fe基纳米晶粉芯线圈与电容并联成LC回路的共振频率，fr)随外加磁场变化的特性，讨论了磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗效应的影响，认为在纵向驱动巨磁阻抗效应中，磁致频移对Fe基纳米晶巨磁阻抗有十分灵敏的影响。     

驱动频率对FeCo基磁环巨磁阻抗效应的影响

利用 Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2(FeCo基)磁环样品,在不同电流驱动频率下进行了环向驱动巨磁阻抗效应(环向外磁场作用下)的研究.发现最佳巨磁阻抗比基本上在驱动频率为200 kHz附近出现,最大阻抗比峰值达到了286%.分析认为是样品材料磁结构的分层分布造成的.     

非晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应

研究在250℃退火温度下非晶FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应.X-ray谱和Mossbauer谱显示样品为非晶状态.导电层的厚度为2 μm,磁性层的厚度为1 μm.三明治结构的最大阻抗效应为20%.为了提高巨磁阻抗效应,在两磁性层之间加入了绝缘层SiO2,在250℃退火温度下最大阻抗效应为62%.随着驱动电流频率的增大,磁阻抗效应曲线由随磁场的单调下降变为出现峰的结构.     

非晶FeCuNbSiB多层膜的巨磁阻抗效应(英)

研究在250℃退火温度下非晶FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应.X-ray谱和Mössbauer谱显示样品为非晶状态.导电层的厚度为2μm，磁性层的厚度为1μm.三明治结构的最大阻抗效应为20%.为了提高巨磁阻抗效应，在两磁性层之间加入了绝缘层SiO₂，在250℃退火温度下最大阻抗效应为62%.随着驱动电流频率的增大，磁阻抗效应曲线由随磁场的单调下降变为出现峰的结构.     

磁偶极作用对铁基纳米晶条带LDGMI效应的影响

研究了多片Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9纳米晶条带的磁滞回线、纵向巨磁阻抗(Longitudinal Driven Giant Magneto-Impedance,LDGMI)效应及阻抗相位角的变化规律.研究发现,样品各向异性场随纳米晶条带片数线性增加,LDGMI曲线的"平台"宽度也线性展宽,这是相邻纳米晶条带的磁偶极相互作用导致的.同时,发现驱动场大小、频率对样品LDGMI曲线的"平台"宽度有调制作用,其肩宽场随驱动场频率的增加而增大以及随驱动场增强而减小.因此,本工作对多磁芯LDGMI器件的研制具有重要参考价值.     

FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应

采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应．实验结果表明：不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0．8,1．5和3．0μm厚薄膜样品在40kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60．112％,262．529％和400．279％,外场灵敏度分别为1．06％,3．85％和3．03％／（A·m^-1）．采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应的巨磁阻抗效应．     

加磁场制备FeCuNbSiB软磁合金薄膜的畴结构和巨磁阻抗效应

本文研究了用射频溅射法制备的Fe73．5CulNb3Si13．5B9薄膜的巨磁阻抗效应,并对其磁畴结构进行了分析．探讨在制备过程中加一纵向或横向稳恒磁场对薄膜各向异性场的影响．在制备过程中加磁场使得材料的软磁性能得到明显改善,矫顽力从400Am^（-1）降为60Am^（-1）,磁阻抗效应有较大提高．加横向磁场制备的Fe73．5CulNb3Si13．5B9薄膜的畴结构,不是严格的沿着样品的长方向,而是略向宽方向倾斜．经300℃退火后的FeCuNbSiB薄膜具有最大的磁阻抗效应,其纵向磁阻抗比为38％,横向磁阻抗比为27％,巨磁阻抗效应的磁场灵敏度分别为47．5％／kAm^（-1）和11．3％／kAm^（-1）．     

真空蒸镀法制备巨磁阻抗材料

采用真空蒸镀法在玻璃基片上制备具有巨磁阻抗效应的单层FeS iB薄膜.通过改变驱动电流方向和外磁场方向,得到4种测量巨磁阻抗效应的方式.通过比较发现,只有当外加磁场和单轴磁各向异性方向垂直时才有比较明显的巨磁阻抗效应的出现,并比较了磁各向同性和磁各向异性FeS iB薄膜的巨磁阻抗效应.验证了用真空蒸镀法能够制备具有巨磁阻抗效应材料的可行性.     

心理学实验中的各种效应及解决办法

对量表衰减效应（天花板效应和地板效应）、罗森塔尔效应（实验者效应）、霍桑效应（被试效应）、安慰荆效应、序列效应（系列位置效应和练习效应或疲劳效应）进行了分析,并针对各自特点提出了相应解决办法。     

作物密度效应递增律及其意义

根据作物密度试验材料,分析发现在同一的条件下,随着效应密度递增,作物的个体效应产量递减,密度效应递增。此规律将充实作物学和植物生态学的理论,对于作物栽培和作物育种都有一定的指导意义。     

406油性剂与极压抗磨剂复合效应的试验研究

通过大量试验,较详细地研究了含氮油性剂T406与含硫极压抗磨剂、含氯极压抗磨剂的复合效应。试验发现,406油性剂与含硫、含氯极压抗磨剂在复合使用中有显著的增效作用,有的增效作用属超加合效应。这一研究成果可广泛应用于新油品的开发研究。     

永磁温控装置中定点力比较法

针对永磁温控装置中，龙作用力与距离变化量平方成反比，弹簧力与距离变化量成正比，因变化关系不一样，所以磁力与弹簧力比较设计中，很难找到了比较点；定点力比较法消除了距离变化量对磁作用力弹簧力的影响，中剩下温度变化对磁作用力的影响，从而使多变量系统转化为单变量系统设计。     

应用代基当量法判断苯环上两类定位基的研究

对苯环上的亲电取代反应提出一种判断苯环上两类定位基的新方法。该方法是应用代基当量法判断两类定位基，判断结果不但准确无误，没有任何例外，而且还可把两类定位基的判断由定性提高到定量表述。     

BSO晶体(■■0)切面的二波耦合增益

考虑了压电和弹光效应对光波耦合的影响,在BSO晶体的(1 1 0)切面上,处理了矢量二波耦合问题,分别计算了入射光偏振态平行和垂直于入射面情况下的信号光的增益系数,得到了增益系数随光栅取向变化的函数关系.     

有机化学反应中的电子效应及其影响

阐述了电子效应对有机化合物的性质和有机化学反应的影响的重要性,指出电子效应的存在及其作用,概述了电子效应影响有机化学反应的一般规律。     

甲基取代基的诱导效应、共轭效应和定位效应

以取代苯苯环碳原子化学位移为依据,用曾经设定并初步证实的甲基诱导效应和共轭效应参数,讨论了甲基取代基的诱导效应、共轭效应及定位效应.化学位移值表示的诱导效应参数表明甲基具有吸电子诱导效应,经校正后的化学位移值表示的共轭效应参数表明甲基具有微弱的给电子共轭效应,甚至其共轭效应有可能正处于给电子和吸电子的临界状态,总之相对于氢原子,甲基具有吸电子效应.甲基有较强的对位定位效应和较弱的邻位定位效应,在适宜条件下间位也有可能发生取代反应.     

在单相介质中超声多普勒效应的应用研究

普通的超声波多勒流量计可测含有固体颗粒或气泡的流体，可在许多条件特殊的流量检测中应用，但不能在单相介质中应用，这极大地限制了它的应用范围．文中提出利用功率超声波激发单相介质流体而产生暂存性散射源，从而解决了这个传统的难题，大大拓展了超声波多普勒流体参量测量技术的应用领域．     

嵌入并联量子点的介观A-B环内的"巨"持续电流

使用双杂质的Anderson模型的哈密顿,从理论上研究了一个嵌入并联耦合量子点(DQD)的介观A B环系统处在Kondo区时的基态性质,并用slave boson平均场方法求解了哈密顿.结果表明,在这个系统中,持续电流依赖于系统的宇称效应和尺寸大小;在强耦合区,电流的峰值与零(弱)耦合区相比,有显著地增强,这说明两个量子点可以相干耦合而形成人造分子.在未来的装置设计中这个系统是很有潜力的.