合成金刚石薄膜生长工艺的研究

采用一种快速生长金刚石薄膜的直流等离子体弧焰合成法，进行生长金刚石薄膜的实验。讨论了生长金刚石薄膜时各种工艺条件对成膜形态的影响。ＳＥＭ照片与拉曼光谱分析表明，在工艺条件合适时，可快速生长金刚石薄膜。     

复杂结构无机晶体的可控合成

文章介绍了晶体形状的形成机理并综述了复杂结构无机晶体的可控合成方法.晶体形状是由其生长习惯和分形生长确定的,液相合成利用实验条件调整晶体本身的生长习惯,被证明是复杂结构无机晶体最广泛使用也是最成功的合成方法之一;电沉积法由于可以随意地设计晶体的生长条件和生长环境,同时可以随时停止和随时重新开始结晶,为探讨复杂微结构的结...     

刚玉对陶瓷地砖釉面耐磨性能影响的研究

在釉料中引入一定量的刚玉晶体可以明显提高其釉面耐磨性能,而且比引入普通氧化铝效果显著.引入刚玉对釉面烧成温度影响很小,但刚玉在釉料中引入的量过多会使总孔隙率和闭孔孔隙率增大,一般引入8%～10%的刚玉晶体效果最为显著,不会增加釉层的孔隙率,而且可以明显提高釉面的耐磨性能.     

电熔法板状刚玉的制备及其性能

采用电熔法以γ－Ａｌ２Ｏ３粉料为原料制备出晶体发育充分的板状刚玉。对其进行了化学成分、ＸＲＤ和ＳＥＭ分析，并做了应用实验。结果表明电熔法板状刚玉的显微结构与ＡＬＣＯＡ板状氧化铝是一致的；电熔法板状刚玉细粉用作耐火制品的基质料可提高抗折强度，改善抗热震性。     

分光光度法测定钒酸钇晶体原料中的含钇量

在不同pH值下 ,通过液相法合成了钒酸钇晶体原料 .采用分光光度法测定了上述合成原料中的含钇量 .实验结果表明 ,pH =7.0时为原料合成的最佳酸碱度 ,原料中的含钇量可达 99.39% ,与理论值接近 .可作为优质YVO4 光学晶体的生长原料     

Sialon相的Z值对Sialon/刚玉复合材料组织和性能的影响

研究了一步工艺合成Sialon/刚玉复合材料中Sialon相Z值的控制,以及SialonZ值对Sialon/刚玉复合材料的机械强度、抗热震性、抗化学侵蚀性、抗氧化性和显微组织的影响规律·结果表明:Sialon/刚玉复合材料随着材料中Sialon相Z值的升高,材料的强度降低,热震稳定性下降,抗氧化性提高,抗化学侵蚀性得到显著改善,Sialon柱状晶体尺寸增大;Sialon相Z值选择在3时该材料能够获得优良的抗氧化性和抗侵蚀性并均衡得到适宜的强度和热震稳定性·     

YBCO超导晶体生长规律的实时原位观察研究

本文采用顶部籽晶熔渗法(TSIG)成功制备出了不同过冷度下、不同保温时间的系列YBCO单畴超导块材;同时采用原位观察的方法,借助高温摄像技术实时记录了YBCO晶体的生长过程.通过对在不同过冷度、不同保温时间YBCO晶体生长形貌的分析和研究,结果表明:YBCO晶体起始外延生长温度为1008°C,单畴生长温度窗口为988°C–1008°C;在确定的过冷度下保温时,YBCO晶体的起始生长速率很快,最大平均生长速率达到0.95 mm h-1,之后,先快速衰减,然后逐渐趋于稳定;在YBCO晶体生长温区范围内,过冷度越大,生长速率越快,晶体生长的平均速率与过冷度之间的关系可以用Ra=a(△T)b公式来描述;YBCO晶体的瞬时生长速率在0.01–0.72 mm h-1之间,具有很大的波动性,但瞬时生长速率的平均值随过冷度的增大呈线性增加.这些结果对于进一步制备高质量的YBCO块材具有重要的指导意义.     

掺镱钨酸钡晶体及光谱性能

采用液相法合成掺镱钨酸钡(Yb∶BaWO4)晶体的原料,并用Czochralski法(提拉法)生长出无色透明不开裂的Yb∶BaWO4晶体.对Yb∶BaWO4晶体分凝系数、晶胞参数、热谱、透过和吸收光谱进行测试,计算了有关光谱参数.研究这种晶体成为激光基质晶体的可行性.     

砷化镓材料技术发展及需求

介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可见,成晶情况可控,可生长大尺寸、长单晶;其缺点是晶体温度梯度大、位错密度高、应力高、晶体等径控制差。VB/VGF法生长出的单晶位错密度和残留应力比LEC法低,晶体等径好,适合规模生产;其缺点在于容易产生双晶、线性缺陷和花晶,过于依赖生长系统重复性和稳定性。     

以淀粉为基质仿生合成碳酸钙材料

以淀粉为有机基质,气相扩散法仿生合成碳酸钙晶体,结果显示,淀粉的浓度对碳酸钙的形貌有重要的影响,但对碳酸钙的晶型没有影响。淀粉分子基质影响碳酸钙晶体的成核位点和生长方向。     

电熔AZS材料中各晶相的形貌学研究

研究晶体的生长形态与形成该形态的物理化学条件,最终控制显微结构的形成,是材料科学的重要研究任务。本文研究了工业应用的电熔AZS材料中出现斜锆石晶相,刚玉斜锆石共晶体、斜锆石-莫来石共晶体的形貌。从凝固过程出发,运用界面结构理论及成分过冷等概念,对AZS材料中各晶相的形貌及其形成的物理化学条件关联起来进行了讨论。     

氧化法生产33号电熔锆刚玉工艺

用粉状的工业氧化铝和锆英砂为主要原料,在电炉内熔化后浇铸成锆刚玉砖,称这种生产工艺叫还原法。其在熔化过程中渗入一定量的石墨碳。实践证明,当这种锆刚玉砖用于玻璃窑炉内衬时,这些石墨碳会析出基体进入玻璃融体内,使玻璃产生气泡,降低耐火材料抗玻璃液侵蚀性能。因此降低锆刚玉砖中碳含量是提高耐火材料抗侵蚀性能     

锆刚玉的合成及其性能研究

采用共沉淀法制备ＺｒＯ２超细粉，用分散处理工艺制备Ａｌ２Ｏ３超细粉，并以此为原料合成了具有低热膨胀系数的锗刚玉（ＡＺ），研究了锆刚玉的组成与晶体结构、耐压强度、热震稳定性及热膨胀系数之间的关系。结果表明，掺了ＴｉＯ２的锆刚玉其晶粒明显长大，材料的强度降低，同时也降低了材料的热膨胀系数。不含ＴｉＯ２的锆刚玉有最高的强度，同时剩余耐压强度较高，高温下的热膨胀率较大。     

氧-乙炔焰加热切削参数可行性分析

本文论证氧-乙炔焰加热切削难加工材料的可行性。ZGMn13试棒,分别用普通切削法和加热切削法进行车削。加热车削,在切削力、切削功率、刀具耐用度、金属切削率、表面质量、加工成本方面,显著地优于普通切削法。氧-乙炔焰加热切削与其他加热切削相比,具有加热装置简单,投资费少的优点。     

纳米T型分子筛的合成

在85℃和添加质量分数为10%模板剂的条件下,采用普通加热或微波加热方法合成了平均粒径在80～150 nm范围的T型分子筛.采用XRD、IR、SEM和N2吸附脱附法表征了合成的试样.结果表明,合成的纳米级T型分子筛具有均匀的颗粒粒径分布和大的比表面积,而且极少量的纳米晶种就能有效地促进T型分子筛的结晶.纳米晶体强的晶种效应主要归结于纳米晶体具有可提供给新晶核形成的、大的晶体比表面积和快的自身生长速率.同时,进一步考察了合成条件:晶种、模板剂、合成温度和加热形式对晶粒大小和分布的影响.     

浅谈水热合成法在晶体合成中的应用

通过介绍一些从事晶体合成工作的化学家们利用水热法合成的晶体,阐述了在合成金属有机框架化合物这个被越来越多的化学家们关注的研究方向里,水热合成法的重要应用价值。同时讨论了在水热合成法中,不同的反应条件可以使同一种有机配体构筑出结构不同的金属有机框架化合物,并且拥有不同的性质,这也充分说明了水热合成法在构筑金属有机框架化合物中具有广泛的应用范围和应用价值。     

点状籽晶法生长KDP晶体的(100)面位错分布

通过光学显微镜对点状籽晶法生长的KDP晶体（100）面位错蚀坑的观察和分析,发现柱区的位错线走向不同于片状籽晶法生长的晶体。晶体的位错主要来自籽晶的位错。通过籽晶成锥-微溶-生长的过程可以减少籽晶锥区位错向晶体中的延伸,在晶体内部,当两条夹角很小的位错线相交时会合并成一条位错线。     

凝胶扩散体系中合成草酸亚铁的研究

介绍了一种在凝胶体系中用扩散法制备草酸亚铁的结晶方法.试验结果表明,在琼脂凝胶中生长的草酸亚铁结晶水个数趋近于2,三价铁离子含量少,生成的晶体晶型大而且规则,可作为合成磷酸亚铁锂的优质原材料.     

N-马来酰化壳聚糖的结晶形态

采用间歇法合成了N 马来酰化壳聚糖,用FTIR和1H NMR测定其化学结构,并进一步用偏光显微镜、扫描电子显微镜研究其结晶形态.研究发现,在N 马来酰化壳聚糖的N,N 二甲基甲酰胺溶液浇铸膜中,先出现常见的树枝晶,然后观察到在树枝晶的末端生长出针状晶体和片状晶体两类不同的结晶形态,针状晶体最长为200μm,片状晶体的宽度平均约为20μm.对于针状晶体,分子链方向为轴向,而对于片状晶体分子链垂直于晶片的长轴方向.     

真空CZ法生长硅单晶碳沾污机理的研究

在真空下用CZ法生长硅单晶时,经热力学分折和实验研究证明,硅单晶中碳的主要来源除石墨托与石英坩埚间的反应生成CO外,气氛中氧化组元(O_2,SiO等)亦与石墨器件反应生成CO。碳以CO形式进入融硅,使硅单晶中碳含量增加。本研究采用了对石墨器件表面涂SiC、Mo、ZrO_2和热解石墨等方法,并用石英保温筒代替石墨保温筒。在真空度为1～3×10~(-2)托下,投料300g,用CZ法生长硅单晶,其晶体尾部的碳量平均值,比原工艺晶体中碳的平均含量降低了45％。