固相反应形成硅化钛薄膜性质的研究

在超大规模集成技术中,有关自对准硅化钛MOS器件工艺的研究正在日益深入.这一工艺通过对淀积的难熔金属膜进行适当的热处理,形成自对准的MOS器件的栅互连电极与源漏区接触.在Ti/Si系统热处理过程中,氧玷污是一个影响硅化钛形成及其性质的重要因素.本工作提出了用表面覆盖层抑制氧玷污而使形成优良硅化钛薄膜的方法,同时也试验了用快速退火技术形成硅化钛薄膜的工艺. 实验中采用的衬底材料为:P-(111)、P-(100)单晶硅和氧化层上淀积的n~+掺杂多     

在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究

利用质量分离低能离子束外延法,在Ｓｉ（１１１）上生长出了硅化钴薄膜,表面微结构及表面组分,化学价态的分析测试表明,此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜。通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果,对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析。     

非晶快离子导体AgI-Ag_4P_2O_7中银沉积的电子探针研究

用电子探针显微分析法,研究了AgI-Ag_4P_2O_7非晶态快离子导体中的银沉积问题。给出了在电子束轰击下银计数率随时间变化曲线。开始时银沉积率随时间而增加较快,然后变得缓慢,最后趋于一个极限值。对于晶化后的样品,由于晶界的阻碍作用,向轰击区迁移的Ag~ 离子减少,离子源枯竭快,银计数率达到极限值比未晶化前快。文中同时给出了电子束轰击区的二次电子像、背射电子像。AgLαX-射线扫描像。在银沉积过程中,发现在电子束轰击区周围伴生有枝叶状的脉纹似的析出物,是由于电子束轰击样品产生温升而导致玻璃中银和银的化合物析晶所致。     

俄歇电子能谱仪系统及其对铜快离子导体的表面研究

介绍了一台用于表面分析的饿歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上面随电子轰击时间迅速改变。     

掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究

采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10％,即数密度约10^21cm^-3,注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441．6nm光激发有Er^3 较强的1．54μm特征发光发射,探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er^3 的光致发光性能。     

可压缩混合层流动的三维大涡模拟

为了加深对复杂流动混合现象的认识,为化工设备设计提供理论基础,用大涡模拟方法对可压缩气体混合层进行了三维数值模拟.计算结果显示了混合层流动的三维瞬态发展过程以及流动过程中涡的产生、生长、破裂以及涡列的形成与各涡的合并过程,揭示了可压混合层三维演变过程中同样具有自相似性,计算结果与实验结果相符.通过对混合层初始状态条件下不同扰动和不同初始速度比的计算表明:随机扰动量对混合层的失稳演变过程影响最大,而大混合层速度比同样可使混合层失稳加剧并提前.     

葵花粕与葵花籽中微量元素含量的测定

对葵花粕与葵花籽样品进行消解后,采用火焰原子吸收光谱法测定其中铜、锌、铁、锰、银、铅和镉等元素含量,用原子荧光光度法测定其中砷、汞的含量.用离子色谱法测定钙、钾、钠的含量.结果表明,铜、锌、铁、锰等元素在样品中普遍存在.钠、钾元素在样品中含量很高.样品中同时检出一定量的微量金属元素.为葵花样品微量元素的分布提供了科学的依据.     

无机盐和有机物对纳滤膜除砷效率的研究

采用纳滤膜(NF90,NF270,HL)低压错流过滤含砷水,研究一价、二价无机离子和溶解性天然有机物(dissolved organic matter,DOM)对纳滤膜去除水中五价砷(As(Ⅴ))的影响.研究结果表明,原水中无机盐使纳滤膜通量下降,且无机盐浓度增加,通量下降量增大.无机离子的存在导致纳滤膜除砷效率降低,但随着无机离子浓度的增加,砷的去除效率呈现出升高的趋势.天然有机物对纳滤膜除砷效率也有很大的影响,有机物能与砷缔合,且有机物在膜表面形成的凝聚层直接影响纳滤膜对砷的去除效果.     

化学镀银过程硅表面催化性质对镀膜成核的研究

在单晶硅表面用化学镀的方法制备了纳米级的银催化晶籽层,利用开路电位时间曲线(OCP-T)的变化情况监测了硅表面银晶籽的生长过程.研究表明在有Ag 离子存在的溶液中加入HF后的瞬间,银晶籽即在硅表面形成,且在5 s内完全达到覆盖.用OCP-T对刻蚀硅片与银晶籽活化后的硅片在化学镀溶液中的成核情况进行了研究,并结合原子力显微镜与傅立叶红外反射对活化前后的表面经化学镀覆银的情况进行了对比,结果表明用银晶籽层活化的硅片表面具有良好的催化活性,在其上经化学镀银后所得到的薄膜表面平滑度高、致密性好.     

从14MeV中子辐照过的锇靶中分离钨

用14MeV中子轰击天然锇靶,取道^192Os(n,α)反应生成^189W。利用改进的锇蒸馏装置蒸馏O8O4,完成锇与反应产物的分离;通过四苯砷铼沉淀除去铼。使用HPGe探测器测量了分离的钨样品的γ射线谱,该γ射线谱显示钨样品中杂质元素的去污是令人满意的。     

硅烷开发应用前景广阔

硅烷是硅和氢的化合物,分子式SiH4,常温下为无色的压缩气体,有令人不愉快的臭味,其生产方法有硅化镁法、氢化铝锂法、非均相反应法等三种。国内目前的生产厂家有浙江大学半导体材料研究所、南京特气公司、保定红星单晶硅厂、广州半导体材料研究所等,这些企业全部采用硅化镁法生产硅烷。硅烷是生产单晶硅、多晶硅、非晶硅、金属硅化物、氮化硅、碳化硅、氧化硅等一系列含硅化合物的基本原料。由于其具有使外延层形成薄膜,而且薄膜生成均匀的特性,在电子工业中用于制备大规模集成电路、高清晰度平面显示器用氧化膜和氮化膜。在能源工…     

AgI-Ag_2O-B_2O_3三元系非晶银快离子导体中的银沉积

运用电子探针显微分析(EPMA)技术,能有效地研究快离子导体中的金属沉积问题。电子探针是一束聚焦很细的电子束,用以轰击试样,由于探针的电子注入到试样表面,形成负电位,使得快离子试样中的阳离子在电场作用下向电子束注入轰击点迁移、集中,与电子中和后转变为金属原子。当这些析出的原子在传输过程中受到阻碍时,可能在材料表面积累或     

300mm直拉单晶硅生长缺陷研究

本文针对微电子工业的基础材料——单晶硅进行了其生长缺陷方面的研究,基于300mm掺氮直拉单晶硅的生长、原生氧沉淀等方面的热处理进行了详细分析,同时对极低电阻率的情况下分析了掺氮重掺砷和重掺磷直拉硅单晶的生长和氧沉淀等方面进行了应用分析。     

沉积动力学方程对银快离子玻璃中银沉积的研究

借助电子探针显微分析法,用沉积动力学方程,研究了AgIAg_4P_2O_7、AgIAg_2OB_2O_2、AgIAg_2OP_1O_5B_1O_3银快离子玻璃系统中样品的银沉积问题。发现在电子束轰击下,银计数率随时间的变化实验曲线与理论拟台曲线一致,沉积动力学方程能较好地适合银快离子玻璃。对银快离子玻璃中银的沉积物理过程进行了探讨解释,在电子束注入电子的外电场和试样内离子浓差、局域极化内电场作用下,银离子不断迁移、沉积,达到极限值。     

利用二次离子质谱法对氢在SiC-C涂层中热稳定性的研究

利用Ar+离子束轰击混合沉积技术(ion beam mixing)在不锈钢基体上制备在不锈钢和碳钢基体上沉积SiC-C涂层,并然后对样品进行加后热处理热去氩处理(400℃/30min),再用5keV的氢离子辐照样品.最后对部分氢离子辐照后的样品进行加热处理(300℃/20min,600℃/20min,900℃/20min),以观察氢在SiC-C涂层中的热稳定性.通过和二次离子质谱仪(SIMS)H元素深度分布和正离子质谱分析,研究氢元素在SiC-C涂层中和在不同基团中的热稳定性后热处理.结果表明,在300℃     

微秒级脉冲辉光放电中离子产生过程的飞行时间质谱研究

用自制飞行时间质谱仪研究了微秒级脉冲辉光放电中样品离子与基底气体离子的形成过程．气体离子和样品离子的的产生存在着时间上的差异,气体主要通过与电子的碰撞而离子化,形成于脉冲放电期间;而样品原子必须先被溅射出来,再主要通过与能量较高的粒子（氩的亚稳态原子）的碰撞而被离子化,形成于脉冲放电终止以后．文中提出了微秒级脉冲辉光放电中离子的扩散及传输模型,并对结果进行了分析和讨论．     

氢化物—原子吸收分光光度法测定钢铁中砷含量

本文研究了在氢化物一原子吸收分光光度法中各种无机酸介质及其浓度对氢化物形成的影响,说明了钢铁中一些常见离子和几种也能形成氢化物的元素对砷测定的干扰情况,确定了一种测定钢铁中砷含量的简单、灵敏、快速的方法.     

硒对癌细胞生长的抑制作用

本文叙述了用体外癌细胞培养技术来研究硒与维生素A、维生素E及砷对宫颈癌细胞生长的作用的情况.研究结果表明,维生素E对硒表现协同作用,维生素A、砷对硒表现拮抗作用.     

用钛硅化过程中释放的空位消除离子注入射程端缺陷

在顶非晶化硅衬底上淀积Ti金属膜,经600℃及850℃.60分钟退火形成硅化钛.在Ti硅化过程中释放的空位能消除硅衬底上的射程端缺陷.而没有淀积Ti膜的预非晶化硅样品,即使退火温度高达1000℃,射程端缺陷也不能完全被消除.     

Yb~(3+)-Er~(3+)共掺杂的NaYF_4微/纳晶体的制备与上转换荧光

利用水热法制备了Yb3+-Er3+共掺杂的Na YF4微纳/米晶体.氟离子与稀土离子的浓度比对微晶的相及形貌有明显的影响.低浓度比有利于形成立方相的Na YF4,样品呈球形及八面体形;高浓度比有利于形成六角相的Na YF4,样品呈六角碟状或棒状的外形.在980 nm的红外激光激发下,样品辐射红色及绿色上转换荧光,荧光的强度依赖于晶体的相结构及形貌.另外,对晶体的生长机理及上转换发光性质也进行了讨论.