压控电抗元件的SPICE仿真

基于对应用SPICE程序模拟压控电抗元件方法的讨论，针对SPICE程序没有提供压控电抗元件库模型的问题，给出了用数据表格形式和多项式描述非线性压控电容的方法；研究了变容二极管的工作特性，提出了建立变容二极管SPICE宏模型的可行方法。将变容二极管的模型插入压控振荡器电路中，可以对压控振荡器进行较精确的分析。设计方法简便易懂，在压控振荡电路的设计与仿真中有良好的应用价值。     

压控变容二极管电容特性的解析表达式

利用场论说推导出非线性电容特性的普遍公式，并根据生产厂家给出的实验特性曲线，用Matlab程序进行曲线拟合。得出MMVL105GT1变容二极管的非线性电容作为电压的函数解析式，为工程上使用变容二极管的解析表达式提供了理论依据。     

用OCV细分干涉条纹技术的研究

本文介绍了一种采用光控变容二极管来细分干涉条纹技术。光控变容二极管(OVC)是一种新型半导体器件。用计算机系统采集并处理数据,能够计数和细分干涉条纹,并已获得较高的灵敏度(超过1/90条)。该技术的优点在于它的可靠性,经济性、简单而且速度高。     

用数字鉴频器实现宽频带直线性扫频

采用变容二极管调谐的扫频振荡器其调制电压u(t)通常是直接加在变容管二端,这样使振荡器的瞬时频率ωi(t)与调制电压之间的比值不是常数,而是调制电压的函数。     

电压控制LC振荡器

设计采用Motorola公司的MC1648P(压控振荡器)及双变容二极管与电感组成的振荡电路得到要求的频率范围的高频信号,从而组成电压控制LC振荡器.采用89C51单片机和数/模转换芯片TLC5615CP组成的单片机系统完成对变容二极管的电压调节控制,显示振荡器的当前振荡频率和电压峰-峰值.     

300兆赫集成参量放大器

采用变容二极管的参量放大器具有低噪声的显著优点.由于变容二极管工作于反向区域,因而参放的噪声主要是由串联电阻 R_8引进的热噪声.由附录中的计算可以看出,在 P 波段,利用已有的管子参数和电路技术要做到 1db 左右的噪声系数应该是可以的.若进一步致冷,可成为现在实用的 P 波段最低噪声系数的微波放大器.使用在 P 波段的变容二极管的另一个特点是具有较强的抗烧毁能力.近年来,在微波电路集成化方面,已制     

阶跃变容管x波段波导型0-180°调相器

本文介绍一种采用阶跃变容管的X波段O—π调相器,它具有结构简单,损耗小,开关速度快,激励幅度低,调正方便等优点,适合用于单频小功率连续波编码调相。 本文给出了调相器O—π调相的数学表达式以及等损耗计算公式,同时介绍一种简便的调正方法及激励器线路。 一、阶跃变容二极管等效电路     

超突变P—n结的容——压特性

一、引言任何一个P—n结都具有电容效应,其电容均随外加电压而变。超突变P—n结的电容灵敏地依赖于反向电压,因此,其电容一电压指数n大于突变结。超突变结变容二极管是用超突变P—n结构成的器件,它作为一个可变电容器而用于调谐电路中。近十几年来,由于这种用变容管作调谐元件的电调技术迅速发展,促使人们对超突变P—n结的容—压特性进行广泛、深入的研究。研究工作大体上从两方面进行。     

光纤彩色电视中伴音系统的理论分析

本文从理论上分析了伴音调制器中的副载波电压对变容二极管的不利影响,并对一种新型的双管变容二极管伴音调制器进行了较深入的数学分析。本文还在伴音调制器的设计中引入线性补偿原理,从而引出新型的伴音调制器的设计方法。同时分析了提高伴音解调器的信噪比的主要方法,最后介绍了伴音系统的测试结果。     

超突变结构变容二极管雪崩击穿电压的研究

在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上，对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算，得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及数据表。本文的推导和计算充分考虑了现行变容管的制作工艺，从而获得了优于Ｋａｎｎｍａ和Ｓｏｕｋｕｐ的掺杂分布模型和计算结果。     

SS—1型数字式水分测定仪

由华东师范大学、杭州电讯器材元件厂等单位共同研制的SS—1型数字式快速水份测定仪最近在杭州通过技术鉴定。 SS—1型数字式水份测定仪根据电容传感原理设计而成,它采用对比法浮动定标技术,具有热敏电阻和变容二极管组成的自     

台面型变容二极管铝帽沿结构的存在及其影响

我们试制的是微合金台面型变容二极管。它是在2.5—3ΩCm/口的N型衬底上采用离子注入磷的方法,使其浓度达到N~ ,再在N~ 上扩硼,然后蒸Al,形成Al—Si合金,光刻Al,然后用化学腐蚀的方法腐蚀出台面,最后溅射SiO_2作台面保护。管的结构如图1所示。     

静电放大器TGYS-7601的试验研究

本文对应用变容二极管做调制器的线性运算放大器的原理、电路进行了分析，并就应用中一些问题作了初步探讨。该项成果经化工部鉴定已用于国内研制的一些工业气相色谱仪器中。     

电子调谐射频放大器

如所周知,晶体管的内部结构决定了射频放大器本质上属于非线性电路,因此会产生不应有的输出频率分量,带来诸如谐波失真和内调制失真等问题。实际信号频率为所需信号频率的1.5倍时会发生谐波失真,如果所需信号和多余信号同时进入晶体管且产生不必要的输出信号,就会出现内调制失真。 普通放大器的设计一般在晶体管输出端和直流电压源间设置一并联谐振电路,以满足放大器增益和选择性的要求。并联谐振电路上设有一并联于电控电容(变容二极管)的电感器。变容二极管是一个反向偏置的二极管,其不断变化的容值是直流偏压的函数。 并联谐振电路的缺点一是其品质因数Q值随放大器中心的频率的增高而降低,结果,当变容二级管电容减小时放大器的通带宽度变窄;二是放大器抑制谐波失     

双频带切换可调谐带通滤波器的设计与实现

为了改善频谱资源短缺的现状,设计了一款结构简单、双频带切换的可调谐带通滤波器(Bandpass Filter,BPF).该BPF由2个λ/4的阶跃阻抗谐振器(Step Impedance Resonator,SIR)加载变容二极管构成,而每个SIR的组成又有2部分,通过一个开关二极管连接起来.利用开关二极管在通断状态下表现出来的不同特性,实现了在高、低2个频带内的谐振频率切换;通过调整变容二极管的偏置电压,实现谐振频率的调谐.基于仿真模型加工制作了滤波器实物,测试结果显示,在开关二极管导通时,可在1.76～1.98 GHz之间调谐,插入损耗3.59～4.12 dB;断开时,可在2.26～2.52 GHz之间调谐,插入损耗3.22～4.15 dB,测试与仿真结果基本一致.该款滤波器可有效缓解频谱资源问题,具有较强的实际应用价值.     

基于SOI的可变电容的特性分析

提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法,利用它对一种基于SOI的三端可变电容(栅控二极管)进行了模拟研究,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响.结果显示,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响.在模拟中,还观察到了当栅氧厚度很薄时,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象.该研究结果可为SOI可变电容的进一步实验设计和优化以及建模工作提供指导方向和依据.     

集成式压控晶体振荡器的优化设计

提出了一种厚膜集成式的压控石英晶体振荡器（VCXO）的设计方法，通过采用MOSFET的Miller电容取代变容二极管后，VCXO的振荡部分和调频部分可以集成在一个专用芯片中，另外再与外围电路组成厚膜式集成电路，使其体积大大减小，并从应用的角度阐明了集成电路中有关参数的选用，同时提出通过谐振器的频率-负载特性来改善压控线性度，减小相位噪声的途径与技术难点。     

变容二极管调频的非线性及其校正

该文分析了调频测距系统中变容二极管调频振荡器调制的非线性及其对测距精度的影响。提出了一种具体的校正方法,并详尽地介绍了校正的原理、电路及机辅设计程序。经非线性校正明显地提高了测距精度。     

一种用于频率合成器的双极型晶体管VCO的分析与设计

在VCO设计中，以确保稳定振荡和一定的调谐带宽为基本出发点，确定适当的电路组态。振荡器的电路拓扑以变容二极管为中心的电抗补偿网络作为调谐网络接于晶体管的基极，采用射极跟随的方式输出。在集电极端接一段开路微带线引入极间反馈，通过对极间反馈量的调整来实现帮助起振、变化功率和微调频率。     

K波段CMOS反射负载型无源移相器

研究应用于K波段相控阵收发系统的差分反射负载型无源移相器的设计方法.基于TSMC 90 nm CMOS工艺实现了一个5 bit移相器,其反射负载由电感和变容二极管并联组成.测试结果表明,该移相器的移相误差在23~25 GHz频带内小于6°,在22~26 GHz频带内小于15°.又基于相同工艺提出了一个改进的6 bit移相器,采用品质因数相对较高的叉指电容阵列替代传统的变容二极管,通过开关控制实现电容值的改变.仿真结果表明,改进版移相器的移相误差在23~25 GHz频带内小于4°,在22~26 GHz频带内小于8°.