6H-SiC表面热氧化SiO2的正电子谱研究

本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术,应用于对SiC表面热氧化生长的SiO2特性的研究．S参数和W参数在退火前后的变化,直观的反映出SiO2/SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变．通过与SiO2/Si样品的对比,证实C元素及其诱生空位型缺陷的存在,很可能是影响SiO2/SiC氧化层质量和SiC MOS击穿特性的重要因素,后退火工艺可以提高SiO2/SiC中氧化层的致密性．实验表明,慢正电子湮灭多普勒展宽谱是研究热氧化SiO2特性的有效手段     

利用红外反射光谱法研究6H-SiC表面的SiO2特性

通过干氧氧化的方法，在6H-SiC表面生长一层SiO2层，接着置于N2气氛中经过不同的温度退火，使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反射谱，通过观测表面氧化层SiO2的红外反射谱图中特征反射峰位(1090cm^-1附近)的变化，以判断退火前后表面氧化层密度的变化情况，进一步推断氧化层的结构变化与杂质类型．     

SiOx薄膜微结构的正电子谱学研究

实验中选择Si（N型,（100面）,3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底,利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜,并通过真空退火来改变其缺陷态．正电子湮没多普勒展宽能谱（DBS）测量在慢正电子束流装置上进行．正电子湮没结果显示随退火温度增加,SiOx薄膜中有纳米晶硅生成,使正电子的捕获缺陷减少,从而使S参数呈下降趋势．     

6H-SiC γ辐照的正电子研究

用正电子湮没寿命谱(PALS)方法对经过不同剂量γ辐照的n型6H-SiC内的缺陷进行研究.实验表明,辐照可以使样品内部产生单空位缺陷Vc.对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发现,低剂量的γ辐照对n型6H-SiC有类似退火效应的作用.这些研究结果可以为n型6H-SiC的生产及其可能的应用提供有效的参考价值.     

辐射交联聚乙烯正电子湮灭谱的研究

本文用正电子技术研究了辐射交联聚乙烯在不同辐照剂量下的正电子湮灭参数,井与化学交联的聚乙烯样品近行比较,得出有意义的结果。     

Finemet合金核外电子间相互作用的正电子湮没多普勒展宽谱研究

采用双高纯锗探头符合的正电子湮没技术测量了Finemet合金各组元以及在350℃、380℃和400℃下退火(10分钟)的Finemet非晶薄带的多普勒展宽谱,对Finemet合金热处理过程中元素核外电子间的相互作用进行了研究。结果表明,Finemet合金淬火态商谱（参照样品为硅）的谱峰比纯金属元素Fe、Cu、Nb的谱峰要低,Fe和Nb之间存在着3d-4d轨道键合作用。随着退火温度的升高,Fe原子的3d电子与Nb原子的4d电子之间的轨道键合作用增强,商谱的谱峰降低,Cu原子易在表面富集,而Nb原子则在非晶薄带中富Fe区域里重新分布。     

慢正电子技术研究ZrO2(Y2O3)薄膜的温度效应

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2 O3稳定的 Zr O2 薄膜 (简称 YSZ膜 ) .研究发现 :YSZ膜心部区 S参数随退火温度升高而降低 ;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄 ;基片加热 ,有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织     

溶胶凝胶法制SiO2底膜的研究

本文研究了采用溶胶凝胶法制备SiO2底膜的方法,探讨了各种因素对溶胶凝胶制作和SiO2底膜质量的影响.     

LDPE／SiO2复合膜性能的研究

以LDPE/EVA(质量比为90/10)为基材,添加SiO2制备了LDPE/SiO2复合膜,对该复合膜进行了力学性能,透气、透湿性能和结晶性能的测试.结果表明:添加SiO2后,LDPE/SiO2复合体系的力学性能有所下降;O2和CO2气体透过系数先增加后下降;水蒸气透过系数先增加后趋缓;LDPE复合体系的成核速率和结晶速率增加,结晶温度略有提高.形成的球晶尺寸变小,数量增多.     

甲壳胺与SiO2杂化材料膜制备的研究

将甲壳质在碱液中进行脱乙酰化反应,制得不同脱乙酰度,粘度的甲壳胺;制成的甲壳胺溶液与ＴＥＯＳ溶胶进行凝胶化反应,得到一种杂化材料;通过红外光谱检测和物理性质观测,发现反应温度、时间、体系的酸度对反应产物有影响,部分产物出现Ｓｉ－Ｏ－Ｃ键;凝胶化所得膜不溶解于水。     

TiO2薄膜在光催化下处理含铬废水

主要研究了ＴｉＯ２薄膜在光催化下处理合铬废水。实验证明：基片种类不同,镀膜源物质不同,光照时间不同均对铬离子转化有影响。该结果为实际处理含废水提供了理论依据。     

退火工艺对SiN膜及SiO2/SiN双层膜钝化特性的影响

针对硅太阳电池的背表面钝化,研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2/SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性.通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命,发现SiN膜比较适合于在500℃以内的温度下进行常规炉热退火,而SiO2/SiN双层膜则比较适合在600~700℃之间的温度下进行常规炉热退火.对SiN膜进行链式炉热退火实验表明,低温(700~850℃)条件下表面钝化效果最好.     

pH值对电致发光粉表面包覆SiO2膜的影响

采用Na2SiO3水解法,在ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2膜层,并主要分析了包SiO2膜时,pH值对包覆膜致密性的影响.发现电致发光粉在pH=9.5的Na2SiO3溶液中预分散条件下,陈化至8.5,易于形成均匀致密的SiO2膜层.因此,电致发光粉的老化性能得到一定程度的改善,延缓了它的老化.     

nc-Si/SiO2复合膜的非线性光学性质

采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,制备a-SiOx∶H(0相似文献   

射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨

介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和其他镀膜技术相比,射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。