超突变结变容管C—V曲线拐点存在条件的研究

根据改进的超变突结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的解释。     

超突变结变容管C－V曲线拐点存在条件的研究

根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究，得出了产生拐点的条件，从而给出了理论上的解释．     

用1.66μm二极管激光器实现的甲烷浓度测试仪

介绍了一种以1.66μm二极管激光器作测量光源、以钽酸锂热释电探测器作光电转换器件、以AT89C52单片机为核心,组成的新型甲烷浓度测试仪.该测试仪由探测器系统、信号放大与处理系统及显示输出系统三部分组成.其中,探测器系统主要包括激光器、红外窗口、气路、取样泵、球面反射镜、窄带干涉滤光片及钽酸锂热释电探测器等;信号放大与处理系统主要包括前置放大电路、选频放大电路、采样保持电路、模一数转换电路、单片机等;显示输出系统主要包括LCD显示器、声报警器等.文中还描述了该测试仪的工作原理与基本结构,讨论了其中的技术难点及其相应的解决方法.     

电化学C—V仪的原理、结构及应用

本文叙述NY-1型电化学C-V自动测试仪的原理、结构、硬件和软件系统。以及对GaAs材料选用的电解液、电解液/GaAs结特性以及测试结果等问题.     

基于遗传算法提取PN二极管主要参数的研究

遗传算法是一种新兴的演化算法,计算方法简便,收敛速度快,收敛准确。它被用来估计二极管参数。实验结果表明遗传算法是估计二极管参数的新方法。     

PIN二极管收发开关的研制

本文介绍如何研制应用在PHS基站的PIN管收发开关,文中先简单介绍PIN二极管和PIN二极管开关电路,接着给出收发开关的功能要求和具体实现电路,最后给出PIN管收发开关的测试结果。     

用于空间光调制器光敏层的a—Si：Hpin二极管的研制

报道了用于光寻址快速空间光调制器光敏层的氢化非晶硅ｐｉｎ光敏二极管的设计、制备及光电特性的研究，制得了符合光敏层要求的ｐｉｎ二极管。     

用于电磁干扰预评估的功率PIN二极管建模研究进展

对高压大功率PIN二极管的各类微观动态模型的基本假设条件、核心原理和实现过程进行了详细分析,分别从有效性、收敛性、精确程度、计算效率、参数获取难度等方面对各类模型进行比较和评价.在此基础上,对模型的改进方向进行了展望,为PIN二极管模型的优化及其在电磁干扰(EMI)预评估领域的应用提供支撑.     

DPSSL二极管泵浦固体激光器研究进展

介绍了近几年来DPSSL的研究状况,对各种新出现的DPSSL做了简要综述。总结了激光二极管泵浦全固体激光器的新应用,为其将来的研究提供参考。     

绝缘栅控PIN二极管型晶闸管的研究

设计了一种新颖的绝缘栅控ＰＩＮ二极管型晶闸管（ＩＧＰＤＴ）．此结构绝缘栅ＰＩＮ二极管被用来有效地控制晶闸管的开启及关断．通过二维数值模拟研究了ＩＧ－ＰＤＴ的通导特性及开关特性．结果显示ＩＧＰＤＴ有与槽栅基区电阻控制晶闸管（ＴＢＲＴ）类似的导通特性,其栅控电流关断能力达几百Ａ／ｃｍ２,且电阻负载的开关速度是ＴＢＲＴ的三倍多．     

MSOS电容器的研制及其C—V特性分析

在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，和Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ。     

利用PN结的C—V特性来测其击穿电压

提出了一种通过测量ＰＮ结的势垒电容的Ｃ－Ｖ特性来测量ＰＮ结的击穿电压ＶＢ的方法，与传统的方法相比它有更精细的击穿特性曲线；同时也为Ｃ－Ｖ仪开发了一种新的应用。     

中心掺杂对CNT—C60—CNT分子结电子输运性质影响的第一性原理研究

用第一性原理计算方法研究了在C60中心掺入Si、Li、Au等单原子后对CNT-C60-CNT分子结电子输运性质的影响,包括掺杂前后各体系在不同接触距离下输运性质的变化．计算结果表明：在C60中心,Li原子的存在显著增大了其平衡电导,而Si,Au等原子对体系电子输运性质的影响比较复杂．最后,研究并比较了各体系在非平衡态下的I-V特性．     

ECT系统的C／V转换电路分析

介绍了电容层析(ECT)成像系统的概况,重点分析了其核心部件激励信号幅值可控双模式交流型C／V 转换电路的工作原理．     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

分析从TV二次侧测量电容电流新方法的测量

测量电容电流的方法可以分为直接法和间接法两种。间接法比直接法简便、安全，但间接法测量时仍然与一次侧有接触，人员与设备安全得不到保证；而且操作繁琐、工作效率低。我们通过长期的试验研究，提出了一种从TV二次侧测量电容电流的新方法。该方法为从电压互感器二次侧注入异频零序电流信号，通过计算得出系统电容量从而测得电容电流。