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超突变结变容管C—V曲线拐点存在条件的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
根据改进的超变突结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程,对电容变化比较大时变容管的C-V曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究,得出了产生拐点的条件,从而给出了理论上的解释。 相似文献
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根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程,对电容变化比较大时变容管的C-V曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研究,得出了产生拐点的条件,从而给出了理论上的解释. 相似文献
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饶连周 《西南民族学院学报(自然科学版)》2006,32(5):927-930
介绍了一种以1.66μm二极管激光器作测量光源、以钽酸锂热释电探测器作光电转换器件、以AT89C52单片机为核心,组成的新型甲烷浓度测试仪.该测试仪由探测器系统、信号放大与处理系统及显示输出系统三部分组成.其中,探测器系统主要包括激光器、红外窗口、气路、取样泵、球面反射镜、窄带干涉滤光片及钽酸锂热释电探测器等;信号放大与处理系统主要包括前置放大电路、选频放大电路、采样保持电路、模一数转换电路、单片机等;显示输出系统主要包括LCD显示器、声报警器等.文中还描述了该测试仪的工作原理与基本结构,讨论了其中的技术难点及其相应的解决方法. 相似文献
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本文叙述NY-1型电化学C-V自动测试仪的原理、结构、硬件和软件系统。以及对GaAs材料选用的电解液、电解液/GaAs结特性以及测试结果等问题. 相似文献
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遗传算法是一种新兴的演化算法,计算方法简便,收敛速度快,收敛准确。它被用来估计二极管参数。实验结果表明遗传算法是估计二极管参数的新方法。 相似文献
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PIN二极管收发开关的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
《科技信息》2008,(26)
本文介绍如何研制应用在PHS基站的PIN管收发开关,文中先简单介绍PIN二极管和PIN二极管开关电路,接着给出收发开关的功能要求和具体实现电路,最后给出PIN管收发开关的测试结果。 相似文献
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报道了用于光寻址快速空间光调制器光敏层的氢化非晶硅pin光敏二极管的设计、制备及光电特性的研究,制得了符合光敏层要求的pin二极管。 相似文献
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用于电磁干扰预评估的功率PIN二极管建模研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
对高压大功率PIN二极管的各类微观动态模型的基本假设条件、核心原理和实现过程进行了详细分析,分别从有效性、收敛性、精确程度、计算效率、参数获取难度等方面对各类模型进行比较和评价.在此基础上,对模型的改进方向进行了展望,为PIN二极管模型的优化及其在电磁干扰(EMI)预评估领域的应用提供支撑. 相似文献
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介绍了近几年来DPSSL的研究状况,对各种新出现的DPSSL做了简要综述。总结了激光二极管泵浦全固体激光器的新应用,为其将来的研究提供参考。 相似文献
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设计了一种新颖的绝缘栅控PIN二极管型晶闸管(IGPDT).此结构绝缘栅PIN二极管被用来有效地控制晶闸管的开启及关断.通过二维数值模拟研究了IG-PDT的通导特性及开关特性.结果显示IGPDT有与槽栅基区电阻控制晶闸管(TBRT)类似的导通特性,其栅控电流关断能力达几百A/cm2,且电阻负载的开关速度是TBRT的三倍多. 相似文献
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龚道本 《中南民族学院学报(自然科学版)》1996,15(1):7-11
在MOS电容器的基础上提出了一种新型的电容器,它是由金属-非晶态半导体-氧化物半导体4层结构组成的电容器,简称为MSOS电容器,和C-V仪画出了它的C-V特性曲线;并用能带模型对此特性进行了分析,该电容器的特性是通过控制外加电压V,可以改变其电容量C,且在V=0值附近出现峰值Cmax。 相似文献
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龚道本 《中南民族学院学报(自然科学版)》1997,16(4):11-14
提出了一种通过测量PN结的势垒电容的C-V特性来测量PN结的击穿电压VB的方法,与传统的方法相比它有更精细的击穿特性曲线;同时也为C-V仪开发了一种新的应用。 相似文献
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用第一性原理计算方法研究了在C60中心掺入Si、Li、Au等单原子后对CNT-C60-CNT分子结电子输运性质的影响,包括掺杂前后各体系在不同接触距离下输运性质的变化.计算结果表明:在C60中心,Li原子的存在显著增大了其平衡电导,而Si,Au等原子对体系电子输运性质的影响比较复杂.最后,研究并比较了各体系在非平衡态下的I-V特性. 相似文献
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介绍了电容层析(ECT)成像系统的概况,重点分析了其核心部件激励信号幅值可控双模式交流型C/V 转换电路的工作原理. 相似文献
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采用SOL-GEL方法分别在Si和含有SiO2的衬底上制备出PZT铁电薄膜,并获得了MFS和MFOS结构。利用MOS结构常用的C-V特性分析方法,对MFS和MFOS结构进行了高频C-V特性测试分析,研究了F/(O)S的界面特性,结果表明,金属/PZT/SiO2/Si的MFOS结构具有较低的界面态,可实现极化存储,并可望制成铁电场效应晶体管。 相似文献
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测量电容电流的方法可以分为直接法和间接法两种。间接法比直接法简便、安全,但间接法测量时仍然与一次侧有接触,人员与设备安全得不到保证;而且操作繁琐、工作效率低。我们通过长期的试验研究,提出了一种从TV二次侧测量电容电流的新方法。该方法为从电压互感器二次侧注入异频零序电流信号,通过计算得出系统电容量从而测得电容电流。 相似文献