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相似文献
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1.
利用差热分析和X射线衍射分析方法对铝交联蒙脱土的性能进行了测试。研究表明,铝交联蒙脱土的最佳制备条件是:OH-与Al3+的摩尔比为2.0,NH+4与Al3+的摩尔比为1.0,Al3+与蒙脱土的质量比为0.081,交联搅拌时间为6h。原料蒙脱土层结构的热稳定性是影响铝交联蒙脱土热稳定性的主要因素之一,NH+4的加入能提高铝交联蒙脱土的热稳定性,但是减少了引入蒙脱土中交联剂柱的数量  相似文献   

2.
二元金属羟基低聚物交联蒙脱土及其催化性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文探讨了金属离子同晶取代[Al13]^7+中部分铝离子,制得二元金属羟基低聚物,并与临安土交联,结果发现,铁,镓、铬等金属离子能同晶取代[Al13]^7+中的Al^3+鸸 菜成二元金属羟基低聚物,且这些羟基低聚物与临安土交联产物的结晶度和热稳定性较好,在异丙苯裂解反应中有丙烯二聚的能力。  相似文献   

3.
用^27AlNMR方法研究了碱化度(B),Al^3+/SO^2-4摩尔比及水中稀释过程对PACS(含SO^2-4的聚合氯化铝)结构的影响,实验结果表明,PACS中铝含量大于0.9mol/L时,水中稀释PACS聚合度影响较大,小于0.9mol/L后水中稀释对PACS聚合度影响较小,水中稀释可使聚合大分子向Al13结构转化,这种转化能力的大小取决于PACS中B的高低和Al^3+/SO^2-4摩尔比的大  相似文献   

4.
和厚朴酚在0.1mol·L^-NH3-NH4Cl底液中,出现一灵敏吸附伏安还原峰,Ep=-0.23V(vs.Ag/AgCl)。当富集时间为3min时,峰电流与和厚朴酚浓度在1.0×10^-8 ̄1.0×10^-7mol·L^-1范围内呈线性关系,检测限为3.0×10^-9mol·L^-1,可用于中药厚朴的测定。  相似文献   

5.
采用Ao-Ferron农时络合比色法研究了PACS中铝水解形态分布随熟化时间的变化,考究了在没经时间,碱化度(B)Al^3+/SO^2-4摩尔比和稀释作用对铝水解形态分布的影响。实验结果表明,熟化时间及稀释作用对铝水解形态分布影响不大;碱化度及Al^3+/SO^2-4摩尔比对铝水解开矿分布有影响,Ala含量随着三化度的升高而降低。  相似文献   

6.
Y^3+,Sm^3+,La^3+离子对DNA热变性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了小牛胸腺DNA黄盐与Y^3+,Sm^3+,La^3+离子分别在摩尔比为1:0.5,1:1,1:2,1:4时,熔解温度tm的变化,实验结果表明,此3种稀土离子对DNA的tm影响表现为:在低浓度时tm变化不大,当摩尔比为2.0以上时,tm明显降低3种离子使小牛胸腺DNA的tm下降的趋势为:Sm^3+〉La^3+〉Y^3+,此外,还发现La^3+对DNA的双螺旋结构影响与其它稀土离子相异。  相似文献   

7.
2-(H酸偶氮)-4,5-二硝基酚光度法测定铝的研究和应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了新试剂2-(H-酸偶氮)-4,5-二硝基酚(HADNP)与铝的显色反应,在PH5.3的六次甲基四胺-盐酸缓冲介质中,HADNP与Al^3+生成3比1的紫色络合物,λmax=570nm,ε=3.29*10^4L.mol^-1.cm^-1,Al质量浓度在0-480μg.L^-1内符合比尔定律,方法用于水样测定,结果满意。  相似文献   

8.
用Sol-Gel法制备钛酸铝微粉及其低膨胀陶瓷合成   总被引:4,自引:1,他引:3  
利用^1HNMR、IR、DTA/EGD/GC、TG、AAS、PSD和SEM手段,研究了Al(ON3)3.9H2O乙醇溶液与钛酸丁脂混合液的反应机理,钛酸铝晶相形成过程中晶相的变化及其陶瓷的热膨胀性。实验结果表明,形成整体凝胶的溶胶「Al^3+」:「Ti^4+」之比接近于理论值。主晶相钛酸铝的形成温度为1300℃,1400℃焙烧过的粉体其平均粒径为3.6μm,经1450℃烧结后陶瓷的热膨胀系数为0.  相似文献   

9.
本文研究了采用微分脉冲极谱法测定锌-二氧化锰干电池电液中痕量铅的各项实验条件,提出孙加入任何试剂,直接利用电液中的ZnCl2-NH4Cl作为支持电解质,可得Pb^2+的微分脉冲极谱图,在此底液中,Pb^2+还原的峰电位为一-0.45V(相对于AgCl电极,实验值),峰电流ip与Pb^2+浓度Cpb^2+在0-2.0μh/ml内线性关系良好。方法简便快速,可靠实用。  相似文献   

10.
Al^3+替代对Mg—Mn微波铁氧体性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:1  
研究用Al^3+替代Fe^3+,对Mg-Mn尖晶石微波铁氧体性能的影响,结果表明,随Al^3+替代量增加,铁氧体的4πMs下降,电降率增加,介电损耗和磁损耗下降。当x=0.4时,4πMs在600-650KA/m,介电损耗和磁损耗都较小,适合于S波段器件的使用要求。  相似文献   

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