副载频调制法测量微波0-π调制器载波抑制度的测量误差分析

本文着重分析微波0—π调制器载波抑制度P_(?)的副载频调制测量法中的误差来源。并且指出:为使P_(su(?))的测量值有一致性,必须选用具有合理参数的滤波器和去耦隔离器。     

微波铁氧体相移调制器的研制

本文介绍铁氧体相移调制器的应用;相移调制器使用的铁氧体材料的试验;相移调制器的结构设计和特性参数的测量。在C波段,采用Y_(2·1)Gd_(0·9)Fe_(4·81)O_(12)的YIG相移调制器,在100MC带宽内,载波抑制度≥30分贝,插入衰减(包括调制损耗)≤1.4分贝;在工作频率上,在-40℃～ 50℃的温度范围内,载波抑制度≥25分贝,插入衰减≤1.5分贝,驻波比<1.2。     

多晶铁氧体微波介电损耗的研究

通过对多晶Li系铁氧体和YIG的微波介电损耗的研究,认为固有电偶极子取向极化弛豫和介面极化弛豫是多晶铁氧体微波介电损耗的主要来源。同时,指出降低多晶铁氧体微波介电损耗的主要途径是:①抑制晶格中离子空位的产生、高价或低价杂质离子的混入,以及防止高导电相的出现;②减少宏观或微观的不均匀性(如气孔、另相等)。     

大调制度微波统一测控系统载波捕获算法

深空测控链路余量紧张时,可适当增大信号调制度,使有限的发射功率更多地分配于副载波。针对大调制度导致载波能量过小,不能有效实现载波捕获,使得信号无法正常接收等问题,该文提出用于大调制度的基于载波能量中心的迭代搜索算法和伪对称点最小误差判定方法,在不需要先验知识的情况下能实现对载波的有效捕获。仿真表明,在副载波信号C/N034dBHz时载波一次捕获概率达95%以上。该方法可很好地满足大调制度微波统一测控系统的工程应用要求。     

大调制度微波统一测控系统载波捕获算法

深空测控链路余量紧张时,可适当增大信号调制度,使有限的发射功率更多地分配于副载波。针对大调制度导致载波能量过小,不能有效实现载波捕获,使得信号无法正常接收等问题,该文提出用于大调制度的基于载波能量中心的迭代搜索算法和伪对称点最小误差判定方法,在不需要先验知识的情况下能实现对载波的有效捕获。仿真表明,在副载波信号C/N0>34 dBH z时载波一次捕获概率达95%以上。该方法可很好地满足大调制度微波统一测控系统的工程应用要求。     

Belle实验D0→K0sπ十π-道中性D介子混合参数测量的本底研究

在Belle非对称e+e-对撞机实验中,通过D0 →K0sπ+π-道的含时达里兹分析,可以实现对D0 -D0-混合参数的灵敏测量.详细地讨论了事例的筛选和本底分析方法,给出了信号和各类本底谱函数的具体形式.     

BaMnZnCo-W型铁氧体微波吸收特性的研究

对BaMnZn-W型铁氧体的制备和Co2+含量对其微波吸收特性的影响进行了分析研究,发现有一个2.5mm厚的涂层在11.5GHz频率左右有一较大的损耗吸收峰,峰值高达40dB.初步分析了此损耗吸收峰可能产生的机制,同时比较了在相同条件下加碳纤维前后铁氧体吸收特性的变化.     

BaMnZnCoTi-W型铁氧体微波吸收特性的研究

对用Ｃｏ２＋,Ｔｉ４＋置换Ｆｅ３＋的ＢａＭｎＺｎ－Ｗ型平面六角晶系微波铁氧体吸收材料的制备和吸收性能进行分析研究,发现涂层厚度为１．０６ｍｍ在７－１２ＧＨｚ频率范围内有三个吸收峰,峰值最高达３４ｄＢ以上;同时比较了在相同工艺条件下,随着Ｃｏ２＋,Ｔｉ４＋含量的增加,材料的吸收频率特性和涂层厚度的关系。     

BaMnZnCoTi-W型铁氧体微波吸收特性的研究

对用Ｃｏ２＋,Ｔｉ４＋置换Ｆｅ３＋的ＢａＭｎＺｎ－Ｗ型平面六角晶系微波铁氧体吸收材料的制备和吸收性能进行分析研究,发现涂层厚度为１．０６ｍｍ在７－１２ＧＨｚ频率范围内有三个吸收峰,峰值最高达３４ｄＢ以上;同时比较了在相同工艺条件下,随着Ｃｏ２＋,Ｔｉ４＋含量的增加,材料的吸收频率特性和涂层厚度的关系。     

π-模代数的π-模子代数

设π是群,H是Hopfπ-代数.研究局部有限维的Hopfπ-代数上π-H-模代数的π-H-模子代数,证明了π-H-模子代数与π-H~*-余模余理想间的对偶关系,即π-H-模代数B={Bα}α∈π的一簇子空间I={Iα}α∈π是B的π-H-模子代数当且仅当I⊥={I⊥α}α∈π是B~*的一个π-H~*-余模余理想.     

非因子化方法研究D0→(K)0π0衰变

用光锥QCD求和规则系统地计算D0→(K)0π0衰变过程的强子矩阵元,它包括领头阶因子化部分,as修正的硬胶子交换部分和软胶子交换部分的贡献.计算发现在D0→(K)0π0衰变中软胶子交换部分贡献相当大,甚至超过领头阶因子化部分以及as修正的硬胶子交换部分的贡献.最后计算了该衰变过程的分支比,其计算结果与实验数据相一致.     

D+→π0l~vl衰变过程研究

用光锥QCD求和规则研究D^＋→π^0lvl衰变过程,在计算上D^＋→π^0跃迁形状因子过程中,通过构造新的关联函数,消除了twist-3波函数的不确定性给计算结果所带来的影响,从而使计算结果更加精确．最后计算得到的分支比与最近的实验数据相一致．     

去磁态铁氧体微波磁导率实部的研究

本文应用微波谐振腔方法在3厘米波段测量了纯YIG和YALIG铁氧体材料系列的去磁态微波磁导率实部,得到了与E.Schlomann理论公式基本一致的结果.同时还测量了材料的一些性能参数,特别在利用趋近饱和定律和计算机拟合参数的方法测量饱和磁化强度和磁晶各向异性方面作了一些尝试.     

X波段微带型0-π调相器的等耗设计

有些使用O°--180°电控PIN移相器的场合,对于两态的损耗差别提出了很高的要求,例如小于0.1分贝。这时,在设计中就要求在满足相位变化为180°的条件下,保证良好的等耗特性。下面就此问题进行讨论。     

π-可分群中关于正规π-子群的π-投射特征标

从Isaacs的经典Bx-特征标理论出发,构造了有限π-可分群的所谓"π-投射"特征标,证明它恰好是有限π-可分群上某个复值类函数空间的一组基.特别的,当π={p}时,它就是通常的Külshmmer-Robinson Z-基.     

Bmπ-频谱有限函数空间中的最佳逼近序列

在最佳逼近多项式的基础上提出了最佳逼近序列的定义,并通过将多分辨分析中的尺度函数转化为取样定理中的基函数,讨论了Bmπ-频谱有限函数空间中最佳逼近序列的一种计算方法.     

Z~0——W~+π-过程的衰变宽度

一、能量在10~2Gev 附近的一些加速器已在运行,关于弱中间玻色子人们将得到更多的信息,因此在理论上进一步讨论它们与其它粒子的相互作用是很有意义的。研究弱中间玻色子有关的相互作用过程的标准理论是 CWS 模型,但在讨论中间玻色子与标量介子相互作用时,尚有困难。采用非线性σ模型则可以给出标量介子与弱中间玻色子耦合的顶角。具体的做法是将 GWS 模型中 SU_L(2)×U(1)规范群作为非线性σ模型中 SU(N)_L×SU(N)_R 群的一     

铁氧体-超导体-聚偏氟乙烯复合材料的微波电磁特性

用传输式谐振腔法测量了Li-铁氧体/Bi-Sr-Ca-Cu-O-超导体/聚偏氟乙烯三元复合材料的微波(8-11GHz)复数介电常数和磁导率。复合材料的介电常数和磁导率符合对数加和规律。Bi系高温超导体的加入使复合材料的介电损耗提高了一个数量级。     

非因子化方法研究B~-→π~0π~-衰变过程

本文用 QCD因子化和光锥 QCD求和规则系统地计算了 B- →π0 π- 衰变过程的强子矩阵元和分支比 ,其计算结果与实验相一致 .     

非因子化方法研究B^-→π^0π^-衰变过程

本用QCD因子化和光锥QCD求和规则系统地计算了B^-→π^0π^-衰变过程的强子矩阵元和分支比，其计算结果与实验相一致．