用于超宽带通信的低功耗4b 2GHz flash ADC

宽带信号的高速采集电路是超宽带(ultra-wideband,UWB)通信系统的基本单元,在满足高速采集要求的同时保持低功耗是设计的难题。该文通过改进全差分预放和高速比较器电路,设计了一个用于超宽带的4 b flash模数转换器(ADC),获得了2 GHz的采样速率,而功耗仅为38mW。基于和舰0.18μm CMOS工艺的仿真设计和流片测试结果表明,该ADC最大积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)指标分别为+0.31/-0.28 LSB和+0.53/-0.36LSB;采样率在600 MHz以内时非杂散动态范围(SFDR)大于38 dB。所设计的ADC核心面积小于0.14 mm2。     

用于超宽带通信的低功耗4b 2GHz flash ADC

宽带信号的高速采集电路是超宽带(ultra-wideband,UWB)通信系统的基本单元,在满足高速采集要求的同时保持低功耗是设计的难题。该文通过改进全差分预放和高速比较器电路,设计了一个用于超宽带的4b flash模数转换器(ADC),获得了2GHz的采样速率,而功耗仅为38mW。基于和舰0.18μm CMOS工艺的仿真设计和流片测试结果表明,该ADC最大积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)指标分别为+0.31/-0.28LSB和+0.53/-0.36LSB;采样率在600MHz以内时非杂散动态范围(SFDR)大于38dB。所设计的ADC核心面积小于0.14mm2。     

一种基于伪随机动态补偿的12位250 MS/s流水线ADC

提出了一种基于伪随机补偿技术的流水线模数转换器(ADC)子级电路.该子级电路能够对比较器失调和电容失配误差进行实时动态补偿.误差补偿采用伪随机序列控制比较器阵列中参考比较电压的方式实现.比较器的高低位被随机分配,以消除各比较器固有失调对量化精度的影响,同时子ADC输出的温度计码具有伪随机特性,可进一步消除MDAC电容失配误差对余量输出的影响.基于该子级电路设计了一种12位250 MS/s流水线ADC,电路采用0.18μm 1P5M1.8 V CMOS工艺实现,面积为2.5 mm2.测试结果表明,该ADC在全速采样条件下对20 MHz输入信号的信噪比(SNR)为69.92 dB,无杂散动态范围(SFDR)为81.17 dB,积分非线性误差(INL)为-0.4~+0.65 LSB,微分非线性误差(DNL)为-0.2~+0.15 LSB,功耗为320 mW.     

针对植入式应用的8位100kS/s的逐次逼近型模数转换器设计

针对植入式医疗电子的应用需求设计了一个8位100 kS/s的低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC),并且基于0.13μm 1P8M工艺进行了流片(tape-out)验证.为了达到降低功耗的设计目标,对SAR ADC的子模块进行了仔细的分析设计:采用满足精度和速度要求的无源互补开关;采用失调(offset)优化的无静态电流的动态比较器;采用无静态功耗的电容阵列子数模转化器.测试结果表明,当输入测试信号为9.37 kHz时,该SAR ADC的信号噪声失真比(SNDR)为49.2 dB,动态无杂散范围(SFDR)为63 dB,有效位(ENOB)为7.8位.其微分非线性(DNL)和积分非线性(INL)分别为-0.15/+0.15 LSB和-0.35/+0.23 LSB,功耗为3.2μW,优值(FoM)为143 fJ/conversion-step.     

1种1.2V供电电压14位的2步增量放大型ADC

为了降低传统增量型Σ-ΔADC在同精度情况下的量化时钟周期数,提高转换速率,提出了1种采用粗细量化的2步式增量放大型ADC.该ADC采用SAR ADC先进行6位粗量化,再采用增量型Σ-ΔADC进行8位高精度位的细量化,通过数字码拼接完成最终量化结果.同时引入了1种增益自举C类反相器技术,有效地降低了供电电压和整体功耗.该ADC使用0.18μm标准CMOS工艺进行了电路实现,在1.2 V供电电压,1 MHz采样频率、10 k S/s的转换速率的情况下,达到了81.26 d B的信噪失真比(SNDR)和13.21位的有效位数(ENOB),最大积分非线性为0.8 LSB.并且该ADC的整体功耗为197μW,可用于低电压低功耗的仪器测量和传感器等领域.     

0.25 μm CMOS工艺10位150 MHz流水线型ADC设计

采用流水线结构完成了一个10位精度150MHz采样率的模数转换器的设计.通过采用动态比较器降低电路的功耗.在采样保持电路中使用一种新颖的自举开关,可减小失真,使得电路在输入信号频率很高时仍具有很好的动态性能.芯片采用台积电(TSMC)0.25μm CMOS工艺,其有效面积为2.8mm2.测试结果表明,最大积分非线性误差和微分非线性误差分别为1.15LSB和0.75LSB;在150MHz采样率下,对80MHz信号转换的无杂散动态范围为52.4dB;功耗为97mW.     

高速列并行10位模数转换电路的设计

设计了用于CMOS图像传感器列级信号处理系统的10位模数转换器.该模数转换电路采用两级转换的方式,转换速度较单斜ADC提高了近8倍.设计了电阻阵列式多路斜坡发生器、级联结构比较器、数字纠错和消失调等电路,该ADC在不增加工艺成本的条件下满足了10位精度的要求.电路采用Chartered 0.35μm工艺制造.测试结果表明,该模数转换器的INL±0.5 LSB,DNL±0.5 LSB,信噪比为58.364 7 dB.     

基于0.18 μm CMOS工艺的2 GS/s 6 bit数模转换器

根据现代通信越来越高的传输速率和宽带要求,设计了一个可用于超宽带系统的无修正2GS/s,6 bit数模转换器.该转换器采用4+2的分段译码电流舵结构,其中高4位采用温度计码,低2位采用二进制码.在对关键单元电路进行了设计和分析之后,在中芯国际0.18 μmCMOS工艺下完成电路的版图设计和流片,芯片面积为975 μm×775 μm.对芯片进行的键合测试表明,其微分非线性为0.11 LSB,积分非线性为0.25 LSB；当采样时钟频率为2 GHz,输入信号频率为13.3 MHz时,无杂散动态范围为52.1 dB,功耗为79 mW.     

低功耗33MHz采样频率,10比特流水线结构的模数转换器

介绍了一个 33MHz,10bit,3 3V流水线结构的模数转换器 (ADC) .该ADC采用了一种带预放大级的运算放大器和一种动态比较器来降低功耗 ;采用了电荷泵电路来提升时钟信号的电压 ;采用了一个恒跨导偏置电路 .本芯片在 0 35 μmCMOS工艺上实现 ,芯片面积为 1 2× 0 .4mm2 .芯片工作在 33MHz时功耗为 6 9 4mW ,采样 16MHz正弦信号时的信噪比 (SNDR)为 5 8 4dB .     

低功耗14/8 bit逐次逼近式A/D转换器的设计

设计了基于逐次逼近式架构的低功耗A/D转换器.该转换器有14/8 bit转换精度2种工作模式,其采样率分别为0～1×105/s和0～2×105/s.低功耗转换器基于0.18μm的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺完成版图设计,版图面积仅为0.64 mm×0.31 mm.转换器在最高性能下的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)最低有效位分别为0.38 LSB和0.33 LSB,电流消耗仪为2 mA.     

用于单片集成真空传感器的SAR型ADC设计

设计了一款适用于单芯片集成真空传感器的10位SAR型A/D转换器.轨至轨比较器通过并联两个互补的子比较器实现.信号采样时,比较器进行失调消除,提高电路的转换精度.电路采用0.5μm2P3M标准CMOS工艺制作.系统时钟频率为20MHz,输入电压范围为0～3V.在1.25MS/s采样率和4.6kHz信号输入频率下,电路的信噪比为56.4dB,无杂散动态范围为69.2dB.芯片面积为2mm2.3V电源电压供电时,功耗为3.1mW.其性能已达到高线性度和低功耗的设计要求.     

一个采用新颖的混合电容切换模式的SAR ADC设计

提出一种应用于逐次逼近型模数转换器的混合电容切换模式。该模式包含两个幅度相同但单调性相反的开关电容阵列, 无需任何额外的稳压电源和电容补偿阵列, 通过差分电压自身的互相补偿, 实现共模电压的稳定。利用上述技术, 基于0.18 μm的CMOS工艺实现一个转换速率为50 MS/s, 分辨率为10-bit的SAR ADC。设计过程中采用开窗逻辑, 减小了比较器输出信号到DAC 控制信号的传输时间; 采用包含自适应延时逻辑的比较环路, 缩短了SAR ADC低位比特的转换时间。测试结果表明, 所设计的SAR ADC在50 MS/s 的转换速率下, 可以实现57.31 dB的SNDR, 1.81 LSB的INL以及0.98 LSB的DNL。     

Dual-Mode Low Power Pipelined ADC with Pre-charged Switched Operational Amplifier

This paper describes a 12-bit 40-MS/s and 8-bit 80-MS/s dual-mode low power pipelined analog-to-digital converter (ADC). An improved multiplying digital-to-analog converter is used to provide the dual-mode operation. A pre-charged fast power-on switched operational amplifier is used to reduce the power consumption of the pipelined ADC to 28.98 mW/32.74 mW at 40 MHz/80 MHz sampling rates. The ADC was designed in a 1.8-V 1P6M 0.18-μm CMOS process. Simulations indicate that the ADC exhibits a spurious free dynamic range of 90.24 dB/58.33 dB and signal-to-noise-and-distortion ratio of 73.81 dB/47.85 dB at 40 MHz/80 MHz sampling frequencies for a 19-MHz input sinusoidal signal.     

一种改进的流水线模数转换器结构

在分析传统每级1．5位流水线模数转换器的基础上,提出了一种改进结构,该结构完全解决了传统结构因为最后一级的量化电平失调造成的非单调性问题,仿真结果表明改进后的10比特模数转换器在实际情况下的有效位数（ENOB）最大约有0．83bit的提高,且电路的功耗和面积增加量相对较小．     

一种低复杂度逐次逼近型数模转换器设计与仿真

为了降低模数转换器复杂度和功耗,基于低复杂度电容阵列DAC设计了一种低功耗逐次逼近型模数转换器（SAR ADC）. 该结构中,电容阵列DAC每个电容只有两种参考电平选择,降低逻辑控制电路和电容驱动电路的复杂度,电容阵列DAC最低位电容参与转换,使需要的总单位电容数量相比单调结构减少一半;比较器采用两级动态结构,降低功耗;移位寄存器采用动态锁存电路结构,降低功耗和减少误码;电容驱动电路采用CMOS反相器结构,减少晶体管数量. SAR ADC电路仿真结果显示：在1.0 V电源电压和采样速率为100 kHz 时,SAR ADC功耗为0.45 W ,有效位（ENOB）为9.99 bit ,其单步转换功耗为4.4 fJ.     

一种超低功耗模数转换器的设计与仿真

为了降低电子终端设备的功耗,文中提出了一种基于C-2C电容阵列DAC的超低功耗SAR ADC。首先,通过使用C-2C电容和三电平转换方案,文中的电容阵列DAC转换能耗相比传统结构降低99.41%,面积减少87.2%。接着,采用基于动态逻辑的逐次逼近寄存器（SAR）和两级全动态比较降低SAR ADC整体功耗。最后,SAR ADC在180nm CMOS工艺下进行设计与仿真。仿真结果表明：在1V电源电压,100kS/s的采样频率下,ADC的信噪失真比（SNDR）为61.59dB,有效位（ENOB）为9.93位,总功耗为0.188W,品质因素（FOM）值为1.9fJ/Conv.-step。文中设计的超低功耗SAR ADC适用于低功耗电子终端设备。     

一种降低对数域滤波器噪声和功耗的方法

针对现代电子设备微型化的需要,对数域滤波器更适合于低电压工作,动态偏置技术可以降低电路系统的噪声和功耗.文中提出了一种动态偏置应用于对数域滤波器中的方法,可以在不改变滤波器传输函数的情况下降低对数滤波器噪声的功耗.以一个三阶差分对数域滤波器的设计为例说明了动态偏置技术的应用.Pspice模拟结果表明,与恒定偏置滤波器相比,当输入信号为最大允许输入信号的1/10时,动态偏置滤波器的输出噪声和功耗分别下降了约17dB和12dB,但滤波器的动态范围基本保持与最大输入信号时相同.     

一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器设计

基于WIN InGaP/GaAsHBT工艺,设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器。工作在AB类偏置状态,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路。芯片版图面积为1410×785μm2,电源电压为3.4V。仿真结果显示:功率增益大于30.1dB、1dB压缩点输出功率为31.2dB.m,在Band38(2570～2620)MHz内,输入回波损耗S11小于-15dB,S21大于30.1dB,输出回波损耗S22低于-25dB,1dB压缩点输出功率的功率附加效率高达36.6%。     

基于I/Q正交双路的USB、LSB和DSB的一种识别算法

针对传统的单路P参数识别算法中必须保留载波残余频偏的缺点,提出了一种基于I/Q正交双路的识别算法.该算法直接将信号搬到基带,无需保留载波残余频偏,消除了残余频偏对较低频段信号识别和解调的不利影响.给出了上边带调制信号、下边带调制信号和双边带调制信号在不同信噪比(SNR)下的P参数值,并给出了其在不同SNR下的正确识别率.仿真结果表明,在SNR不小于0的情况下,平均正确识别率在95%以上.     

具有平坦增益的3.1~10.6 GHz UWB CMOS低噪声放大器设计

提出了一种采用0.18μm CMOS工艺的3.1～10.6GHz超宽带低噪声放大器.电路的设计采用了电流复用技术与阻抗反馈结构,具有低功耗和平坦增益的特性.仿真结果显示,在3.1～10.6GHz频率变化范围内,低噪声放大器达到平均17.5dB的电压增益,输入和输出的回波损耗均低于-8dB,最小噪声系数约为2.8dB,在电源电压为1.5V下功耗约为11.35mW.