超导MgB2薄膜相含量的分析

该文运用物相衍射分析中的多相物质衍射强度公式对所制备的超导MgB2薄膜的相含量进行了研究，算出了多相衍射相关的物理量，获得了MgO在MgB2超导膜中的相含量．在计算过程中。作者作了适当的近似，并在此基础上，分析了相含量对薄膜质量的影响．     

超导电力技术

超导技术在电力领域的应用研究已受到广泛关注。一些示范样机,诸如超导输电电缆、变压器、故障电流限制器、电机和储能装置已经研制成功并投入示范性试验。本文综述了超导技术在电力应用方面的研究进展,并对今后的发展前景进行了简要分析。     

超导限流器--超导技术产业化的领头产品

一、现实对限流器的迫切需要电力系统发生短路故障时将会产生很大的短路电流（一般情况下,短路电流约为额定电流的20倍）,因此电气设备须按短路电流水平来设计,这就使得电气设备的经济性大大降低。短路电流对电气设备的危害很大,这种危害甚至可能是灾难性的,因为短路电流在许多电气设备中会产生高温和很大的Lorentz力;同时,巨大的短路电流所引起的电压和频率不稳定性将对某些用户产生严重的后果。因此短路故障将对系统的安全与稳定运行产生严重的影响。尽管如此,电力系统中的短路电流水平却在不断地增长,这是因为短路电流水平随电…     

超导技术及其应用

本文介绍了超导技术的基本知识,着重介绍了超导技术在核聚变装置、磁悬浮列车、生物、医学上的应用,并展望了超导技术的应用前景.     

超导薄膜制Bolometer器件的微透镜红外增强

采用离子束刻蚀制备线列熔凝石英柱微透镜阵列,准分子激光扫描消融法淀积性能均匀且稳定性良好的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜,湿法刻蚀制备导薄膜器件,微透镜阵列与超导薄膜器件用胶粘合构成组合红外探测器,测试了组合器件在１－５ｍ红外波段的光响应特性。     

超导技术及其应用

本文介绍了超导技术的基本知识,着重介绍了超导技术在核聚变装置、磁悬浮列车、生物、医学上的应用,并展望了超导技术的应用前景。     

超导薄膜临界磁场的非线性非局域效应研究

在处理薄膜中的超导现象的理论时,London理论、Pippard理论和GL理论都有其局限性,因为这些理论都不能完全解释超导电性的本质。根据对超导薄膜临界磁场普遍适用的公式,结合实验测得的超导薄膜临界磁场在理论上应该具有非线性、非局域性的特点;分析了影响超导电性的各种要素,得出了London理论、Pippard理论下修正后的临界磁场的表达式;分析了GL理论下波函数分别为球面波和正弦波时临界磁场分布情况。     

陶伯万：超导薄膜激扬青春

2010年1月13日,由著名科学家钱学森提议设立的＂中国青年科技奖＂公布了第十一届获奖者名单,电子科技大学微电子与固体电子学院的陶伯万教授获此殊荣。     

MgB_2超导材料的薄膜制备及其超导器件的实现

报道了采用电子束蒸发技术实现MgB2薄膜制备的实验工作。通过蒸镀B膜和Mg/B多层膜两种前驱体,分别经高温区(~900℃)和中温区(~700℃)退火处理后成功获得了高质量的MgB2薄膜样品。对样品的超导性能、晶体结构和表面形貌进行了详细的测量和表征,并对两类样品性质上所表现出的差异进行了分析。此外,还报道了在薄膜制备基础上利用微加工技术实现的超导微波谐振器的结果。     

MgB2超导材料的薄膜制备及其超导器件的实现

报道了采用电子束蒸发技术实现MgB₂薄膜制备的实验工作。通过蒸镀B膜和Mg/B多层膜两种前驱体,分别经高温区(～900℃)和中温区(～700℃)退火处理后成功获得了高质量的MgB₂薄膜样品。对样品的超导性能、晶体结构和表面形貌进行了详细的测量和表征,并对两类样品性质上所表现出的差异进行了分析。此外,还报道了在薄膜制备基础上利用微加工技术实现的超导微波谐振器的结果。     

本征超导辐射探测器的研究

报道了本征超导辐射探测器的实验过程及结果分析，探测器是利用超导的临界电流与温度的关系来工作的，而且完全工作在超导本征态，高温超导薄膜为采用准分子激光消融法制备的ＹＢＣＯ外延超导薄膜。采用离子束地刻蚀进行器件的图形制备，在８￣１４μｍ红外波段进行了探测器的光响应测试，调制频率为１０Ｈｚ时，探测器的等效噪声功率（ＮＥＰ）为１．８×１０＾－１２Ｗ·Ｈｚ＾－１／２；归一化探测度为２．５×１０＾９ｃｍ·Ｈｚ     

耐热铝合金和超导输电技术

本文介绍了耐热铝合金输电技术的基本原理、作用、适用场合、优缺点和国内外应用情况；简单介绍了超导输电技术的现状。     

超导量子芯片硅穿孔填充技术

超导量子计算是目前最有可能实现实际应用的量子计算方案之一,多层堆叠是实现超导量子比特大规模扩展的最佳方案。介绍了超导量子芯片中硅穿孔（TSV）填充工艺的特点并汇总概括了当前超导TSV填充技术。以电镀和金属熔融填充为代表的完全填充工艺具有器件可靠性高、工艺复杂度低等优点,但与半导体技术兼容性较差;以物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积和快速原子连续沉积技术为代表的部分填充工艺,具有与半导体技术兼容性好的优点,但器件可靠性低、工艺复杂度高。开发新材料的电镀工艺或许是未来较为可靠的方案。