金属和超导引线信号传输理论及性能对比分析

对金属和超导引线的信号输理论作了较详细的研究，重点讨论了两种引线的功率衰减和信号传输相速的频率特性，并对两种引线的传输性能尤其是高频信号的传输性能进行了对比。     

贝尔实验室的半导体研究

本文叙述了贝尔实验室有关半导体理论和实验研究的工作，涉及到晶体管效应发现，输运和散射理论，半导体光谱学，深能级研究和电子－空穴液的内容。     

贝尔实验室半导体材料的研究

着重论述贝尔实验室关于半导体材料研究与工艺开发的历史过程，这包括锗和硅的制备，Ⅲ－Ｖ族半导体化合物，区域纯化法和区域致匀性，以及外延，掺杂和掩蔽工艺等。     

Fe掺杂GaN稀磁半导体材料研究

用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长出不同Fe掺杂浓度的GaN薄膜,并对其微观结构、表面形貌以及磁学性能进行了研究。对于低掺杂浓度的Fe掺杂GaN样品,X射线衍射和高分辨透射电镜均没有发现其他相物质存在;对于高浓度掺杂的样品,X射线衍射探测到了Fe单质和Fe3N存在。通过高分辨透射电镜图像,观察到了晶格中的Fe3N纳米团簇,并且发现团簇以Fe3N[0002]晶轴平行于GaN[0002]晶轴的方式存在于GaN晶格之中。同时,随着掺杂浓度的增高,薄膜表面粗糙度增加。磁学测量表明,不同掺杂浓度的样品都显现出明显的室温铁磁性。     

金属纳米颗粒—半导体复合薄膜材料的研究现状

文章综述了目前纳米材料的研究方向和应用前景。     

半导体制冷技术研究

本文讨论了目前制冷技术存在的问题,详尽分析了半导体制冷的特点、应用及发展动向。     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

半导体电热膜的研究

对稀土掺杂和复合稀土氧化物半导体电热膜的制备和薄膜特性进行了研究，并和ＳｎＯ２电热膜进行了研究对比，讨论了新型半导体电热膜的掺杂效应和电阻随的变化规律及导电机理。     

半导体温度计的制作与特性研究

对半导体热敏电阻的温度特性进行了研究,确定了半导体电阻的两个性能参数a,b的值,计算出了半导体材料的激活能,得出了各种不同温度下的半导体电阻的温度系数,确定了半导体电阻的经验公式,给出了一元线性回归方程,介绍了制作半导体电阻温度计的方法。     

过渡金属掺杂ZnO基稀磁半导体的研究进展

简要介绍了ZnO基稀磁半导体（DMSs）材料的最新研究进展,指出了该领域的研究热点和存在的问题,提出了可能的解决方案,并在此基础上对DMSs的潜在应用前景进行了论述。     

NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究．其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-V族半导体表面的钝化及其与金属界面研究;半导体表面的磁性超薄膜研究;与Ⅱ-Ⅵ族半导体有关的异质结能带排列     

黄铜矿半导体DMS的第一原理计算

为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS)，利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=Ⅴ、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2(CdGeP2和ZnGeP2)以及Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2(CuGaS2和CuGaSe2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算．结果发现：Ⅴ或Cr掺杂的Ⅱ-Ⅳ-V2将出现铁磁(FM)状态，而Mn、Fe或Co掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2将出现反铁磁(AFM)状态，Ni掺杂时，DMS的磁性非常不稳定；在TM掺杂的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2的DMS中，Cr、Mn掺杂的CuGaS2和CuGaSe3将表现为FM状态，而当V、Fe、Co或Ni掺杂时，Cu(Ga，TM)S2和Cu(Ga，TM)Se2则表现了AFM性质．Cr掺杂的Ⅰ-Ⅳ-Ⅴ2以及Ⅰ-Ⅳ-Ⅵ3黄铜矿半导体将可能出现较高的居里温度(Tc)。