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相似文献
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1.
Mg掺杂Ba(Zr0.25Ti0.75)O3薄膜的介电调谐性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底制备了Mg掺杂Ba(Zr0.25Ti0.75)O3(BZT)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌,研究了Mg掺杂含量对BZT微结构和介电调谐性能的影响.结果表明Mg掺杂BZT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低;5mol%Mg掺杂BZT薄膜有最大的优值因子为16.3,其介电常数、介电损耗和调谐量分别为289.5、0.016和26.8%.  相似文献   

2.
采用溶胶-凝胶工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Mn掺杂的钛酸锶铅钡PBST铁电薄膜.探讨了掺杂后PBST薄膜的微观结构及其铁介电性能.实验结果表明:随着Mn的掺杂量的增加,PBST薄膜的晶化质量变好,介电常数、介电损耗和调谐量均有减小的趋势,其优值因子有显著的提高.在测定频率为1 MHz下,掺杂后的PBST薄膜介电常数和介电损耗呈下降趋势,薄膜的介电常数从未掺杂的1 250降低至掺杂后的610,同时介电损耗由0.095减小到0.033,当Mn为J4 mol%时,有最小的介电损耗0.033,虽然调谐量不是最高的,但有最大的优值因子(FOM),其微波介电综合性能有所改善.  相似文献   

3.
掺杂Ca^2+和Mg^2+对SBN陶瓷介电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以分析纯的碳酸锶、碳酸钡、碳酸钙、氧化镁和五氧化二铌为原料,采用固相法制备掺杂Ca(Mg)的Sr0.5Ba0.5Nb2O6陶瓷材料.采用X射线衍射仪、扫描电镜和阻抗分析仪,研究掺杂样品的相组成、微观组织和介电性能.研究结果表明,Ca2+掺杂量≤0.23 mol时,Ca2+取代钨青铜结构中A位的Sr2+和Ba2+,随Ca掺杂量的增加,SBN晶格常数逐渐减小.介电温谱曲线显示:在150℃和330℃处出现介电双峰;当Ca2+掺杂量≥0.28 mol时,出现第二相CaNb2O6,此时对应(Sr,Ba,Ca)Nb2O6的介电峰逐渐消失.Mg掺杂的所有陶瓷样品,XRD谱呈现SBN50与MgNb2O6两相共存的情形.在150℃和310℃处同样出现介电双峰,随着Mg掺杂量增加,介电峰为1个单峰,并移向低温.  相似文献   

4.
张菊 《科技信息》2008,(8):75-76
采用Sol—gel法在p—Si和Pt/Ti/SiO3/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLTN)电薄膜,研究了Nb掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明:650℃退火处理的BLTN薄膜具有单一的层状钙钛矿结构,表面平整致密,且为随机取向;Nb掺杂量X在0.06的BLTN薄膜介电与铁电性能优良,剩余极化Pr和Ec分别为21.6℃/cm^2和96.8kV/cm,室温下,在测试频率为10kHz时,薄膜的介电常数为386.介电损耗为0.69%。  相似文献   

5.
以醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用溶胶-凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上制备了掺锰Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜。通过X射线衍射和扫描电镜分析研究了薄膜的相结构和形貌,测试了以Pt为底电极、Ag为上电极的MFM电容器的介电性能。研究结果表明:掺锰Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜较未掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电常数高、介电损耗降低。介温谱表明在居里温度附近发生弥散型相变,且居里温度有向低温方向漂移的趋势。  相似文献   

6.
采用Sol~Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上制备了多种不同组分的(Pb0.3Sr0.7)1-xKxTiO3(PST)(x=0,1mol%,2.5mol%,5mol%)多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能.发现掺杂后薄膜的晶型未改变,介电常数降低及介电损耗减小.1MHz时,随K含量的从0增加至5mol%,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0.134减小到0.058,其微波介电综合性能改善.  相似文献   

7.
发展环境友好的传感器、存贮器及换能器用铁电与压电薄膜是当前的研究热点之一.采用脉冲激光沉积(PLD)的方法,通过优化制备工艺,引入La0.6Sr0.4CoO3(LSCO)作为缓冲层,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了准同型相界组分掺杂微量Mn元素的Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3 34薄膜,并对其相结构、微观形貌、铁电、介电等性能进行了研究.结果表明:该薄膜具有纯钙钛矿结构,结构致密,显示出良好的电性能,其中剩余极化可达到1.15×10-1C·m^-2,1kHz下薄膜的相对介电常数约1000.  相似文献   

8.
Gd掺杂对BiFeO3薄膜电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶-凝胶方法在FTO/glass底电极上制备了Gd掺杂BiFeO3薄膜。研究了Gd掺杂对BiFeO3薄膜的晶体结构、铁电性能和漏电流的影响.XRD测试表明薄膜获得良好的结晶。铁电性的测试表明,通过CA掺杂,使薄膜的铁电性得到了增强,剩余极化强度由50.1uC/cm^2增加到89.6uC/cm^2.  相似文献   

9.
报道了用溶胶凝胶法制备由Na、Mg两种元素共同掺杂的ZnO薄膜,研究了在Na-Mg共同掺杂情况下,ZnO薄膜的表面形貌、微结构和电学性质.通过改变Na、Mg掺杂量与Zn的比值,ZnO薄膜可呈现良好的c-轴取向.同时,经过Hall效应测量发现:ZnO薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率随着Na、Mg的掺杂量而变化,并出现离散性,薄膜电阻率最低可达0.57×105Ω.cm,具有P-型传导性.  相似文献   

10.
在钛酸锶钡与质量分数为60%的Mg0混合的基础上,进行了‰()3掺杂的系统研究.随‰03掺入量的增加,~r-MgO材料的晶面间距先变大后变小.掺杂适量的La203可降低BST—Iv/go复合材料高频损耗,同时保证适中的介电常数,但过量的Lal03掺杂使得材料的介电常数降得很低.当L赴03掺杂量为叫(L赴03)=0.2%时,~F-MgO材料的介电常数为84.9,损耗为0.006(2.9GHz),介电常数可调率达14.3%(29.7kV/CITI).利用电介质理论分析了L赴q对BSW—MgO材料介电性质的改性机理.  相似文献   

11.
采用射频磁控溅射法,通过直接溅射铜铟镓硒四元合金靶在镀有Mo背电极的soda-lime玻璃衬底上获得铜铟镓硒(CIGS)薄膜.利用X线衍射(X-ray diffraction,XRD)、扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)和X线能量色散谱仪(energy dispersive X-ray spectroscopy,EDS)研究薄膜的结构、表面形貌和组织成分的变化,并通过紫外-可见分光光度计(ultraviolet and visible spectrophotometer,UV/VIS)获得薄膜的透过率光谱,研究不同工作气压对CIGS薄膜晶体结构、表面形貌和光学性能的影响.实验结果表明:在工作气压为0.8 Pa时制得的薄膜表面均匀致密,可见光范围内透光率接近于零,nCu/nIn+Ga=0.83,nGa/nIn+Ga=0.3,nSe/nCu+In+Ga=1,证明溅射所得CIGS吸收层薄膜的性能接近高效吸收层的要求.  相似文献   

12.
梯度组分BST薄膜的制备及其电学性能的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备上、下梯度组分BST薄膜,研究在相同条件下沉积的上、下梯度组分BST薄膜的微结构及电学性能.实验表明:下梯度组分BST薄膜在测试频率为200 kHz时,介电常数为343.75,介电损耗为0.025;在250 kV/cm偏置电场下,介电调谐率为45.86%,与上梯度组分BST薄膜相近;但是下梯度组分薄膜的优值因子远大于上梯度组分薄膜的优值因子(7.81),达到18.34,说明下梯度组分BST薄膜是比较理想的介电调谐材料,用于微波调谐器件是可行的.  相似文献   

13.
采用固相法合成(0.90-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.10PbSnO3-xPbTiO3(PMN—PSn-PT)铁电陶瓷.研究了(0.90-x)PMN0.10PSn-xPT铁电陶瓷的结构、介电、铁电和压电性能.在PMN-PT陶瓷中加入PSn后,由于Sn在合成过程中的变价行为导致了第二相Sn2Nb2O7的产生.根据XRD分析确定了(0.90-x)PMN-0.10PSn-xPT体系的准同型相界(MPB)位于x=0.36附近,进而结合介电温谱分析得到了(0.90-x)PMN-0.10PSn-xPT的部分低温相图.PSn加入到PMN-PT陶瓷中,降低了PMN-PT铁电陶瓷的压电活性,最大值位于0.52PMN-0.10PSn-0.38PT组分处(390pC/N).极化样品的介电温谱上没有观察到三方四方相变温度点,说明PSn的加入使PMN-PT陶瓷的MPB变窄和竖直,因而PSn的加入可以提高PMN-PT铁电陶瓷的实际使用温度.  相似文献   

14.
采用脉冲激光沉积技术,在LaAlO3和0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3两种单晶基片上外延生长了La0.8Ca0.2MnO3薄膜.X射线衍射分析表明两种薄膜皆为单取向生长,且面内分别受到压应力和张应力作用.晶格失配造成的应力对薄膜的电阻和金属-绝缘相转变温度Tp影响很大.对LCMO/PMN-PT施加外电场,从而调节薄膜所受应力也可以调制其电阻和Tp.  相似文献   

15.
利用直流反应磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积了(002)方向高度择优生长的纤锌矿结构的Zn1-xCdxO(x=0,0.2)合金薄膜.利用XRD、XPS、TEM、PL对薄膜的结构和光学性能进行了详细研究.结果表明,随着x=0到x=0.2,(002)衍射峰从34.36°偏移到33.38°,(002)方向的晶面间距从0.260 nm增加到0.268 nm,Zn1-xCdxO薄膜的光学带隙也从3.20 eV减小到2.70 eV,相应的近带边发光峰从393 nm红移到467 nm.另外,我们还从能带结构观点对Zn1-xCdxO薄膜的发光机理进行了研究.  相似文献   

16.
采用固相反应方法制备出(1-x)Ba 0.2Sr0.8Ti0.98Zn0.04O3+xY2O3(x=0,0.02,0.025,0.03)陶瓷材料,并研究Y2O3掺杂对BST-Zn陶瓷样品结构和介电性能的影响,得到以下结论:(1)一定量的Y2O3掺杂,可使BST-Zn陶瓷的晶胞体积增大,晶粒尺寸减小;(2)频率为10Hz时,当掺入2%Y 2 O 3时,ε'最大值可达到885,此时介电损耗为0.024;(3)Y 2 O 3掺入使得低温的弥散相变转化向极化玻璃化转变,并在250K和350K附近出现新的弛豫过程.  相似文献   

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