新型微功耗集成漂洗发射极晶体管

研制了磷穿过热生长薄氧化层扩散形成发射区的高频集成漂洗发射极晶体管.从与常规晶体管比较的角度,研究了这种新型的漂洗发射极晶体管的直流特性、电流增益与集电极电流及温度的关系、发射区禁带变窄效应和表面复合效应对增益的影响,并比较分析了两者的磷杂质纵向分布.     

多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析

对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用、建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型。该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件，对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便，同时精度也较高，可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计。     

不同波长激发下防风煮沸液的荧光光谱

采用日本岛津荧光光度计RF5301,研究了防风煮沸液的荧光光谱与激发光波长的关系.实验结果表明,在不同波长的光激发下,防风产生的荧光光谱线型及峰值波长基本相同,与激发波长无关,但荧光峰强度随激发波长变化而变化.防风的第1个发射区处于220~430 nm,第2个发射区处于540~740 nm,最佳激发波长为320 nm,荧光峰值为430 nm.为防风的光谱特性研究提供了实验依据.     

氧化锡薄膜的冷电子发射

氧化锡薄膜高阻区具有冷电子发射的特性.本文所给出的初步实验结果表明,氧化锡薄膜主要发射区表面的元素成分和配比均发生了变化,发射电子能量分布不同于场致发射的电子能量分布.气体的种类和压强都可以对它的电子发射性能产生不同的影响.     

硅晶体管禁带宽度的测定方法

禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子的简并情况.     

硝酸介质中锌复合缓蚀剂的研制及评价

采用正交设计法获得了3％硝酸溶液中锌复合缓蚀剂中各单组分缓蚀剂的最佳比例,利用电化学交流阻抗法测定了电阻、电容及表面覆盖度等重要参数.通过DF-T-B3LYP/3-21g高斯软件计算相关的量子化学参数,并解释分析其与缓蚀效率的关系及各组分的作用机理.     

用镜像法处理水平分层土壤中立体地网的基础接地电阻

用镜像法对水平分层的无限大土壤分界面进行处理,获得二层土壤中矩形钢筋混凝土立体接地网的接地电阻的一种数值计算方法,文中给出了该方法的计算式,按照这些计算式编制了相应的计算程序.与文献[1]的结果相比较,验证了方法及程序的正确性.通过2个算例,讨论了镜像个数对计算精度的影响、混凝土电阻率对接地电阻的影响,以及土壤电阻率对接地电阻的影响.该方法具有省内存、省机时、计算精度高的特点.     

正方体不对称电阻网络等效电阻的计算机处理

运用Y-△等效互换方法可以推导出正方体结点间等效电阻表达式,再运用计算机VB系统的计算程序,可以使正方体不对称电阻网络等效电阻的计算更为简单与方便.     

In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究

利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带,电阻仅为纯ZnO纳米带的1/50,但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带,开关比仅为纯ZnO纳米带的1/20.     

二端梯形电阻网络的数值分析

用Matlab编一简单的程序计算二端梯形电阻网络的各级等效电阻,绘出各种情况下各级等效电阻与级次的关系曲线,从中发现各种变化的规律.     

HBT的PN结偏移效应

采用流体动力学输运模型详细分析了发射区ＰＮ结偏移对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件性能的影响，提出了器件优化设计的原则，在等和小的偏压下为了提高，β，ＰＮ结应向宽禁带层偏移，而为了得到大电流下的大电流放大倍数则应采用ＰＮ结是质结对准的结构。     

轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性

对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.     

特大型高压机机身大裂纹的安全技术评定

论述对６Ｌ２Ｋ型氮氢气压缩机机身低压侧主轴支承部位,长达１２００ｍｍ的大裂纹被修复后,在实际测试与理论分析相比较的基础上所作的安全技术评定     

盲人探路负梯度方向法

负梯度方向法作为一个常用的优化方法在机械工程领域发挥着重要作用,但是,因其锯齿现象而具有计算量大、计算效率低的缺点。一维盲人探路寻优思想总结为:根据探测点与极值点相对位置的三种情况采取三种处理方案。基于此,将负梯度方向法进行了改进,提出了新的寻优方法——折线负梯度方向法。算法分为四部分:初始步长检验阶段;步长加倍探测阶段;暂不减半步长阶段;步长减半探测阶段。第三部分考虑了探测点远未及极值点的情况。提供了寻优思想流程图和完整的C语言子程序。通过与负梯度方向法的比较,证明了折线负梯度方向法具有计算量小、寻优效率大的特点。考虑远跨过极值点的情况,提出了走一步退半步探的算法。通过对不进行退半步探运算和退半步探时不减半步长两种情况的比较,证明了折线负梯度方向法的适用范围较广。     

优化区域空间结构,发展大连北三市经济

区域空间结构这一复杂的研究领域一直是地理学界和经济学界的学者们关注的焦点所在。实现区域空间结构的优化是一个国家或地区社会、经济发展到成熟阶段的主要标志。通过对特定区域的空间结构进行时空分析，可以较为精确地反映出这一地区各种人文、社会、经济要素的综合发展历程，从这一角度出发，将大连划分为中心城市和北三市两个子系统，在具体分析大连区域空间结构演变过程的基础上，指出当前大连大力发展北三市经济是优化区域空间结构的关键举措。     

慢速运动平台的单站无源定位方法

在测向交叉定位的基础上,提出了一种根据测向误差概率分布特性估计目标位置的方法.在利用最小二乘法获得定位初值后,根据每次角度测量的信息进行目标位置估计.与常规方法相比,这种方法不需要进行大规模的矩阵运算就可较精确地估计出目标的位置.最后进行了计算机仿真验证.     

平均折射率区域变化对布拉格光纤光栅传输特性影响的分析

本文利用子结构分析方法分析了在某一区域折射率发生微小变化的布拉格光纤光栅的特性,讨论了光栅透射谱随折射率变化量、折射率发生变化的区域长度及其位置的变化关系。     

双极型晶体管发射区有效杂质分布的温度关系

从理论上研究了双极型晶体管发射区中有效杂质分布N_(Eeff)在不同温度下与发射区浓度N_E的关系,结果表明:常温和高温时,N_(Eeff)随N_E的增大而上升;在低温下,N_(Eeff)则随N_E的增大而下降,而在某一特殊温度时N_(Eeff)将与N_E无关,这将为双极晶体管提供设计依据.     

Fe3O4中铁离子电子态的XDAFS研究

用选择Ｂｒａｇｇ峰的Ｘ射线衍射异常精细结构方法测定了Ｆｅ３Ｏ４的ＸＤＡＦＳ谱。结果显示，４００衍射的谷位在２２０衍射谷位的高能量一侧，其位移量约１．４ｅＶ，这表明Ｆｅ３Ｏ４中处于不同晶体学等效位置的两种铁离子的内层电子结构不同。