级差音量调节电路设计——场效应管的新应用

本文研究了场效应管构成音量调节电路的新应用,得出了这种新应用的控制特性曲线与控制电压的分布范围,为工程设计提供了依据。据此结果设计的级差音量调节电路,已成功地应用于 AA—800与 AAC—1000型的语言学习系统。     

MOS场效应管直流模型参数的计算机自动提取

研制成一种由计算机自动提取MOS场效应管直流模型参数的系统。该系统可以精确地提取SPICE电路分析程序所需的全部MOS场效应管直流模型参数,并且将提取出的模型参数所作出的模拟输出特性曲线与实测曲线进行比较。     

水轮机固定导叶的动力特性

为计算水轮机固定导叶的动力特性，提出了计算座环约束刚度的一个简化方法，推导了刚度系数的计算公式，利用通用板单元分析了导叶在空气中的自振特性，并在真机上作了原型观测；计算结果与实测值吻合较好，进而考虑流体耦合因素，计算了固定导叶在水中的动力特性。     

统一化的场效应管的特性方程及特性曲线

本文根据电荷控制的基本原理及载流子运动的基本规律,论证了场效应管的特性方程,分析了“夹断电压”和“开启电压”间的关系,同时定义了增强型场效应管的饱和电流。故对所有类型的场效应管都可以用统一的特性方程来表达,获得了统一化的场效应管的漏极特性和转移特性,便于增强型埸效应管放大器的定量计算。     

直流电机的磁通方程和通用特性方程

本文首先提出了“直流电机的磁通方程”,在此方程基础上又导出了“直流电机的通用特性方程”。利用这个通用特性方程,结合每种类型直流电机的特性,即可推导出所有直流电机的许多特性曲线的相应方程,得以解决直流电机的非线性定量化的问题。     

场效应管广义对象的数字公式表示方法

场效应管是放大器件。为学习掌握场效应管的特性，在教学中提出了数字公式表示场效应管规律的新方法。将场效应管的类型、沟道、开启或夹断电压、漏极电流或漏源电压以及转移特性的凹凸性表示成数字量，通过它们的关系建立了数字公式。数字公式的简洁方便，更利于通过数字化规律理解掌握场效应管的定性规律，增加学习兴趣，提高教学效率。     

绝缘栅场效应管工作原理的统一表述

关于绝缘栅场效应管的工作原理,现行教材有几种不同的讲解,观点各不相同。结构示意图和特性曲线画法不同。但是,对同一类的场效应管而言,结构示意图和特性曲线只能有一种表述形式是正确的。从场效应管的基本结构出发,用新观点、新方法说明其基本工作原理,击穿的位置,击穿的原因。提出工作原理结构示意图的统一表述方法应当是在源衬、漏衬PN结之间是正负离子对应的耗尽层,在反型层与衬底之间是单一离子层（它不应该与耗尽层混同）。漏极特性曲线的统一表述规律是截止状态时的漏源击穿电压|BV‘DS|是各个不同VGS时,击穿电压的最大值。     

ZX7－125S型场效应管逆变焊机的研制

对国产ＺＸ７－１２５Ｓ型逆变电焊机的主电路和控制电路的工作过程进行了分析，提出了获得下降外特性的原理并推导出了其数学表达式，为场效应管逆变焊机的研制提供了新经验     

一分度平行分度凸轮机构设计

分析一分度平行分度凸轮机构的啮合传动特性及内在设计规律，探讨该类机构实现一分度间歇传动的各种可能结构形式，结合工程计算实例编制了ＣＡＤ通用计算程序。     

开关磁阻电动机磁场的研究

应用二维非线性有限元法计算了开关磁阻电动机的磁场。在此基础上，分析和计算了开关磁阻电动机的静特性曲线。     

场效应管和双极型晶体管复合特性的分析及应用

用场效应管和双极型晶体管组成的复合管具有互补的特性．本文分析比复合管的特性，并举例说明其应用．     

高可靠性晶体管发辉现象的机理分析与测试安全

通过对高可靠性晶体管Vcbo击穿特性发辉现象的失效问题的实验对比分析和物理机理的研究，找出了产生此现象的直接原因，进而通过对晶体管安全工作方面的实验和研究，提出解决发辉现象的措施和测试Vcbo单结特性时应注意的问题，确保了产品的可靠性。     

关于小信号共射电路增益的讨论

利用晶体管小信号H、π、和Y参数模型间的内在联系 ,归纳出在不同模型参数下的共射放大电路增益的一般表达形式及其特点     

约翰·巴丁对点接触晶体管发明的贡献

文章从少数载流子注入、点接触晶体管发明、晶体振荡器和放大器电路、点接触晶体管的重要性方面阐述了约翰·巴丁对发明第一只半导体晶体管的重要贡献.     

大功率晶体管横向结构参数设计与分析

为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。     

Discussion on the relationship between ΔVEB and IE presented in thermal resistance standard IEC60747-7 Version 2000

This paper points out an error in the principle figure and the waveform figure of the thermal resistance standard IEC747-7, which describes the relation between the I-V curves and the temperature. It theoretically proves that the I-V-T curve of the standard contradicts the physical law. This contradiction is also revealed by experimental results. Finally, the correct I-V-T characteristic curve and the waveform figure at two different temperatures for the same transistor is given, which serves as the reference to correct the standard.     

Discussion on the relationship between ΔVEB and IE presented in thermal resistance standard IEC60747-7 Version 2000

This paper points out an error in the principle figure and the waveform figure of the thermal resistance standard IEC747-7, which describes the relation between the I-V curves and the temperature. It theoretically proves that the I-V-T curve of the standard contradicts the physical law. This contradiction is also revealed by experimental results. Finally, the correct I-V-T characteristic curve and the waveform figure at two different temperatures for the same transistor is given, which serves as the reference to correct the standard.     

高效率E类调谐功率振荡器研究

从理论上阐述了振荡器的最佳工作条件．提供了一种实用的反馈网络和振荡器的设计方 法．实验结果表明．振荡器中晶体管集电极电压、电流波形和效率与采用相同晶体管和同样工作 效率的Ｅ类放大器相同．     

对晶体管单管放大电路组态的教学探讨

指出确定晶体管单管放大电路组态时存在的一些问题并通过具体实例进行了探讨。给出确定晶体管单管放大电路组态的一般方法，这种方法具有普遍性，在教学中易于学生接受和掌握.