脉冲式半导体激光测速仪的研究

阐述了半导体激光技术发展现状，国内测速仪的应用现状、现有激光测速仪存在的弊端。提出了脉冲式半导体激光测速仪具体设计方案，对误差来源进行分析，并采用模数转换技术A／D电路来提高测速精度。     

半导体激光列阵关键技术及军事应用

从制备半导体激光列阵入手,讨论了其关键工艺技术,详细分析每一步关键工艺技术中影响半导体激光列阵性能的因素。并介绍了半导体激光列阵的军事应用。     

增益钳制半导体光放大器的实验研究

为了提高半导体光放大器（SOA）的3dB饱和输出功率和稳定增益，用外腔反馈的方法在普通半导体光放大器的增益谱边缘引入一个钳制激光振荡，研制了增益钳制半导体光放大器（GC－SOA），对其阈值特性，增益特性及开关特性进行了实验研究，结果表明，通过在SOA的增益谱边缘引入钳制激光，稳定了SOA的增益，使SOA的饱和输出功率提高了4dB.     

连续激光辐照半导体材料的温度场

根据连续激光加热靶材的实际情况,建立了连续激光辐照半导体材料的一维物理模型。采用数值计算方法——有限差分隐格式法,利用matlab软件数值模拟了连续激光辐照半导体材料的温升过程,分析了激光参数和辐照时间对半导体材料温升的影响。结果表明：靶材温升区域主要集中在激光辐照区,靶材的温升随着激光功率密度和辐照时间的增加而升高．     

1.3μmInGaAsP半导体激光器谱线展宽因子的研究

谱展宽因子是半导体激光器的重要参数之一，本文在分析了半导体激光器有区折射率和增益对载流子的依赖关系的基础上，给出了展宽因子α的定义式，实验测得１．３μmInGaAsP半导体激光的α因子的值约为３．９６。     

半导体激光光束质量与像散特性的研究

对半导体激光的光束质量和像散特性进行了研究。基于二阶矩定义,对表征半导体激光光束质量和像散特性的光束特征参数M2因子和内禀像散不变量a等作了理论推导和分析。半导体激光的光束质量和像散特性与半导体激光运行时的多模模阶次和各阶模的权重因子成比例,模阶次越高或高阶模的权重越大,其光束质量越差,像散越厉害。     

多段式半导体激光器的端面输出谱

在充分考虑激光源于放大自发辐射、而自发辐射可能产生于半导体激光器（LD）有源层中的各点等物理事实的基础上，我们采用射线法、以递推公式的形式导出院多段式半导体激光器的输出谱的解析表达式，并对某些常见的情况进行了简单扼要地讨论。     

半导体激光植物照明量子匹配

为提高植物光合作用效率,分析了光合作用与半导体激光照明、植物增产的关系.得出太阳光子与叶绿素a的量子频率相匹配的结论,并验证了半导体激光植物灯在大田种植与设施农业中应用的可行性.通过比较正常光照与半导体激光照射下的植物生长情况,可以得出半导体激光光子与太阳光子的光质高度相近的结论.     

半导体激光引信光束准直技术研究

文中介绍了半导体激光引信的工作原理及其光学系统的工作原理,并通过对半导体激光引信的光束特性进行分析,设计出使用柱透镜的方法对半导体激光引信光束进行准直。通过使用ZEMAX软件进行仿真模拟验证,得到结果满足设计要求。     

半导体激光血管内照射对人体的免疫调节作用

报道了半导体激光血管内照射对人体外周血Ｔ淋巴细胞亚群及ＮＫ细胞的免疫调节作用，实验结果提示：在２３例患者中经波长６５０ｎｍ，功率５ｍＷ的半导体激光血管内照射治疗１次，５次和１０次的患者中，ＣＤ３＾＋细胞亚群的百分率与照射前（６３．６６％）比较，分别提高到６５．８６％，６９．９４％，７５．０４％；ＣＤ４＾＋Ｔ辅助细胞在第十次治疗后也有所增加，半导体激光血管内照射对ＮＫ细胞及ＣＤ４＾＋／ＣＤ８＾＋具有     

半导体表面态的研究与展望

半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支，因为半导体器件的体积越来越小，靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态，其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。     

基于遗传算法的半导体生产线调度研究进展

半导体生产线调度是制造系统实际生产中的重要问题,也是理论研究的难点之一.遗传算法是计算智能的主要研究对象,因此基于遗传算法的半导体生产线调度研究,具有非常重要的研究价值和实践意义,已经引起了国内外研究者的广泛关注.文中评述近几年来在半导体生产线调度优化中遗传算法的应用,详细介绍了算法编码、操作、参数的选择、算法的改进及具体应用,并指出这一领域中值得进一步研究的一些问题和可能的发展方向.     

光催化技术研究进展

光催化技术是一种新兴的高效节能现代污水处理技术,从半导体光催化方法、反应机理、各类污染物光催化降解的现状、提高半导体光催化剂活性的途径、光催化技术发展中存在问题等方面分别论述了半导体光催化技术现状及发展趋势.     

金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展

由于社会需求紧迫,金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。     

III族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质

III族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料．同时,III族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一．本文介绍了用量子输运和自旋光电流方法对Gain基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展．对III族氮化物半导体中的能带结构,子带占据和散射,自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论．     

溶胶-凝胶法制备纳米级半导体微晶非线性光学玻璃

纳米级半导体微晶掺入玻璃可产生非线性光学性质 ,其量子尺寸效应非常明显。用溶胶_凝胶法制备半导体纳米微晶玻璃具有工艺简单和所得产品纯度高、均匀性好的特点。本文对溶胶_凝胶法制备纳米级半导体微晶玻璃的方法及其性能测试的新进展进行综合评述。     

SnS薄膜的制备技术及其性能的研究进展

SnS是一种Ⅳ-Ⅵ族半导体材料,非常适合于作为太阳能电池的吸收层材料。目前已经研究开发了许多制备SnS薄膜的技术,并对其性能进行了研究,详细阐述了SnS薄膜的制备技术及其性能的研究进展。     

染料敏华太阳能电池的研究进展与趋势

对染料敏化太阳能电池（DSC）的结构原理进行了详细的概述．着重对DSC中的纳米半导体薄膜材料、敏化剂、电解质、对电极等几个方面的现状与发展趋势进行了评述,并对DSC遇到的挑战与应用前景进行了展望．     

二芳基芴类有机/聚合物半导体材料研究进展

在众多构建有机半导体材料分子结构中,二芳基芴类半导体凭借其特殊的电子、空间、位阻以及构象结构展现出良好的商业化前景.国内外研究学者致力于二芳基芴类电致发光小分子与聚合物半导体材料的研究,大量二芳基芴类电致发光小分子与聚合物半导体材料,包括电致发光材料、载流子传输材料、磷光器件的主体材料和电存储材料等已经得到了报道.文中以作者课题组的工作为主线系统总结了二芳基芴类有机/聚合物光电材料的分子结构、性质、及其应用等方面的进展,并展望了二芳基芴类有机/聚合物半导体材料未来发展的趋势与脉络.     

Si基光子材料的探索

Ｓｉ基光子材料是以适应各种新型微电子、光电子器件的需要和发展的世界范围内半导体领域中出现的人工设计的材料，因此，对光子材料的探索引起了人们极大的兴趣。综述了二十世纪末Ｓｉ基光子材料的探索途径、现状与进展。