脉冲激光液相沉积法制备纳米石墨

利用YAG脉冲激光辐射水溶液中的石墨靶制备纳米石墨,研究了制备纳米石墨的工艺与技术,并初步探讨了制备纳米石墨材料的微观机理·用透射电镜和图像分析仪对制备的纳米石墨进行了形貌、结构和粒度分析·研究结果表明:利用脉冲激光幅射在水溶液中石墨靶材,在一定工艺条件下制备出了分散性较好的纳米晶石墨,纳米石墨呈球状,由非晶和部分晶化了的组织组成,平均粒径为35nm,其粒径多为20～50nm;脉冲激光能量和水溶液体系的能量交换等对制备纳米石墨起主要作用·     

液相脉冲放电制备纳米Ni-P合金粉工艺

采用液相脉冲放电技术,通过改变脉冲电压、放电次数、Ni2+浓度、pH值,以及加入稀土添加剂(LaCl3、NdCl3)等途径,研究了制备工艺中各因素对Ni-P合金粉的结构、形貌、粒径以及对Ni2+转化率的影响.结果表明,脉冲能量是影响Ni-P合金粉粒径和Ni2+转化率的主要因素,提高脉冲电压或增加放电次数,Ni-P合金粉平均粒径明显减小,而Ni2+转化率增大.聚焦光束反射测量仪(FBRM)实时监测结果表明,在放电过程中Ni-P合金粉的形核、生长速率显著大于放电结束之后的形核、生长速率.加入LaCl3、NdCl3能使Ni-P合金粉粒径减小,LaCl3质量浓度为0.1g.L-1时制得的Ni-P合金粉平均粒径为156nm,NdCl3质量浓度为0.05g.L-1时其平均粒径为72nm.     

电石渣制备纳米晶碳酸钙的液相法工艺研究

文章研究了以氯化铵为提取液,利用液相法从电石渣中提取钙的工艺条件,并利用提取的钙与碳酸铵反应,成功制备出了纳米碳酸钙;从降低生产成本与提高产品质量出发,设计了一个二级循环浸取工艺,从而成功实现了氯化铵在整个制备过程中的循环利用,并达到环保的目的;该工艺中钙的提取率可达91.43%,产品碳酸钙的纯度与白度分别为99.93%与98,符合国家标准;X射线粉末衍射(XRD)结果表明,产物为纯净的方解石型碳酸钙;透射电子显微镜(TEM)显示产物的粒径为30 nm左右。     

高压快速脉冲放电的脉冲特性控制的研究

高压(千伏级)快速(亚纳秒～纳秒)电脉冲为当前许多前沿学科和军事技术所迫切需要。本文在对亚纳秒脉冲放电特性进行了研究的基础上,综合研究了脉冲放电回路参量对输出脉冲特性的影响及高压快速的特点,提出了两种对输出高压快速脉冲特性参量控制的方法:1)改变亚纳秒脉冲放电管的阳级等效分布电容实现对高压快速脉冲宽度的控制,2)利用亚纳秒脉冲放电管的阳级等效分布电容、阴级等效分布电容、阴级等效分布电感的合理组合实现对高压快速脉冲的前沿和宽度的控制,从而得到了脉冲特性可控的高压快速脉冲源。     

晶种辅助法控制合成CdS纳米棒

本论文以CS2为硫源．首先在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)胶束中制备CdS纳米棒品种．然后利用晶种辅助法实现了不同长径比的CdS纳米棒制备。实验结果表明晶种辅助生长法能否成叻与晶种在反应体系中溶解特性有很大关系。     

脉冲放电制备链枝状非晶态Ni-P合金粉体的晶化行为

在镍盐溶液中利用脉冲放电技术制备出Ni-P合金粉体,并用场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)及差热分析(DTA)等手段研究非晶粉体的晶化行为和组织结构特征.结果表明:Ni-P合金粉体形貌为链枝状,径向可达500nm左右,长度可达数微米.制备的合金粉体为非晶态结构,在280℃以下热处理时没有改变非晶态结构:在300℃开始晶化,析出亚稳相Ni5P2和Ni12P5;在320℃开始析出稳定相Ni和Ni3P;温度升高到400℃时,亚稳相消失.采用Kissinger公式计算出该合金粉体的晶化激活能为291.76kJ.mol-1.     

脉冲电晕放电特性研究

对脉冲电晕放电系统的伏安特性进行了理论分析、以便为脉冲放电系统的实际应用提供依据。推导出了脉冲放电电压、放电电流和脉冲上升时间的理论公式;分析了回路参数对脉冲放电特性的影响;     

铟锡氧化物纳米晶的溶胶凝胶法合成

用溶胶凝胶法以SnCl4·5H2 O和铟为原料 ,制备出了铟锡氧化物 (SnO2 ·In2 O3)的二元氧化物纳米粉末 ,并用差热分析 (DTA)、X 射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)分析了氧化物的相组织和形态 .结果表明 ,所得SnO2 ·In2 O3 为纳米晶 ,主要晶型为四方锡石结构 ,微晶颗粒近似球形 ,粒径为 5～ 2 0nm ,In2 O3 为非晶物质 .     

W/O法控制合成硫化汞纳米晶的研究

在反相胶束体系中,通过反应条件的控制,成功地合成出形状较规则、分布较均匀、粒径在25-45 nm之间类球形的半导体HgS纳米晶。电子衍射、X射线衍射测定表明,产物纯度很高,具立方结构。紫外-可见和荧光光谱发现,纳米材料HgS与体相相比发生了显著地“蓝移”。     

溶胶凝胶自燃烧法合成LaFeO_3纳米晶

将溶胶凝胶法和低温燃烧法相结合,开发了一种溶胶凝胶自燃烧法合成纳米晶技术,并 用此技术合成了ＬａＦｅＯ３。纳米晶。利用ＸＲＤ、ＴＥＭ和ＢＥＴ对合成的纳米晶进行了结构、形貌、大小和 比表面积的测量和表征。并借助于ＴＧ—ＤＴＡ研究了干凝胶的自蔓延特性和析晶过程。结果表明,由 硝酸盐和柠檬酸盐形成的干凝胶,具有自蔓延燃烧的特性,自燃烧的本质是在硝酸氨的参与下,硝酸 根作氧化剂,柠檬酸中的含碳基团为还原剂（燃料）,它们之间发生氧化还原反应。干凝胶自燃烧后, 直接在室温下形成 ４０～６０ ｎｍ具有钙钛矿结构的纯相晶态的 ＬａＦｅＯ３纳米晶。     

液相脉冲放电制备β-SiC纳米颗粒及其光致发光

采用脉冲放电法在六甲基二硅烷液体中放电制备得到β-SiC纳米颗粒,研究了空气气氛中退火样品的光致发光谱与退火温度的关系。在室温下观察到400nm和470 nm的发光峰。讨论了相关的光致发光性质和可能的内在机理。400nm峰可能是源自于β-SiC纳米颗粒表面的原子过量缺陷中心,而470nm峰则认为与在β-SiC纳米晶和无定形SiO2界面处的缺陷有关。     

以碳化细菌纤维素为模板制备碳化硅纳米线

以碳化细菌纤维素为模板和碳源,通过气相渗硅法制备碳化硅纳米线。X射线衍射和扫描电镜(SEM)研究了碳化硅样品的结构与形貌,结果表明所得碳化硅都是纯立方相结构,并且粒度随温度的升高而增大。碳化硅纳米线表面光滑,长度达到微米级。     

SiC/Al电子封装材料的制备工艺研究

对用无压浸渗法制备高体积分数的SiC／Al复合材料的浸渗过程进行了分析。结果表明：温度在900～1100℃之间变化时，随着温度的升高浸渗深度增加；充分的浸渗时间可提高界面的润湿性，促使铝合金液顺利浸渗；Mg量为10%时浸渗能顺利进行；N2作为保护气氛，不但可以防止氧化，而且可以促进铝合金液对SiC颗粒的浸渗。     

MAS/SiC窑具材料的制备与表征

合成堇青石(MAS)并制备MAS/SiC复相材料,测试了复相材料的体积密度、开口气孔率及抗热震性等.实验结果表明:随着烧结温度的提高,抗折强度先增大后减小,1420℃达到最大;1420℃烧结的复相材料体积密度随MAS含量的增加先增加后减小,开口气孔率先减小后增加,抗折强度先增大后减小;当w(MAS)为7%,烧结工艺为1420℃×6h时,复相材料各性能最好,体积密度为2.485g/cm3,开口气孔率为26.4%,并且抗热震性也较好,1200℃热震后,材料的残余强度为19.8MPa.     

射频共溅射SiC薄膜的制备和特性研究

用射频共射复合靶技术和Ｎ２气保护下高温退火的后处理方法,在Ｓｉ衬底上制备出了碳化硅薄膜,通过傅里叶变换红外光谱、室温光致发光谱、电阻率－温度关系谱、Ｘ射线光电子谱等测量手段,研究了淀积膜和不同温度退火薄膜的结构、电学和光致发光等性质。     

过滤用碳化硅泡沫陶瓷的制备和性能

将具有三维网状结构和连通孔道的高弹性聚氨酯海绵作为先驱体,选用一级品α-SiC为骨料,配以各种添加剂,分水基和非水基2种配方调制浆料,浸渍先驱体成型。采用常规烧结法和反应烧结法烧结制品,并利用XRD和SEM等测试手段对制品的结构与性能进行了分析研究。结果表明:经过反复实验研究制备的2组样品中的A-2,B-5具有代表性,通过对比A-2,B-5 2样品的性能、显微结构、晶相,确定了碳化硅泡沫瓷制备的最佳工艺方法,提出了反应烧结碳化硅泡沫瓷的烧结机理。     

过滤用碳化硅泡沫陶瓷的制备和性能

将具有三维网状结构和连通孔道的高弹性聚氨酯海绵作为先驱体，选用一级品α-SiC为骨料，配以各种添加剂，分水基和非水基2种配方调制浆料，浸渍先驱体成型。采用常规烧结法和反应烧结法烧结制品，并利用XRD和SEM等测试手段对制品的结构与性能进行了分析研究。结果表明：经过反复实验研究制备的2组样品中的A-2，B-5具有代表性，通过对比A-2，B-52样品的性能、显微结构、晶相，确定了碳化硅泡沫瓷制备的最佳工艺方法，提出了反应烧结碳化硅泡沫瓷的烧结机理。     

铜合金表面添加SiC晶须的Ni-Cu激光熔覆层

用5 kW CO2激光器,通过优化激光工艺参数,在结晶器用铜合金表面预置添加SiC晶须的镍基自熔合金(Ni1015)粉,制备出表面平整、组织均匀致密、无气孔和裂纹等缺陷、与基体为冶金结合的Ni-Cu激光熔覆层.借助OM,SEM和显微硬度计等分析测定了涂层的显微组织形貌、组织成分和截面显微硬度.结果表明:添加SiC晶须的Ni-Cu涂层比单纯的Ni-Cu涂层的显微组织明显得到细化,涂层的显微硬度高出150HV左右,是铜合金基体(85 HV)的3.7倍,从而能够提高结晶器的使用性能.     

N掺杂SiC薄膜的制备及磁有序

采用磁控溅射技术制备了N掺杂SiC薄膜,利用X线衍射仪、傅里叶红外光谱仪、物理特性测试系统对薄膜成分、结构、磁性进行了表征.结果表明,N掺杂SiC薄膜具有室温铁磁性,N掺杂含量对薄膜的室温铁磁性具有很大的影响,薄膜室温铁磁性可能是由于N替代C来控制Si空位缺陷的电荷态和自旋极化产生的.